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[发明专利]一种X切铌酸锂晶圆正反面判定方法-CN202310759385.9在审
发明人：贾斌;李真宇;张秀全;卢桂杰;薛海蛟;胡卉 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开一种X切铌酸锂晶圆正反面判定方法，将X切铌酸锂晶圆的Y轴沿着X切铌酸锂晶圆的Z轴轴心旋转α角度后夹在X切铌酸锂晶圆正反面判定装置的上测试探头和下测试探头之间；利用X切铌酸锂晶圆正反面判定装置中的电磁驱动器在X切铌酸锂晶圆上施加低频交变力，X切铌酸锂晶圆产生交变电荷，测量获得X切铌酸锂晶圆的被测输出电压；利用X切铌酸锂晶圆的被测输出电压，计算获得X切铌酸锂晶圆的纵向压电应变常数；基于X切铌酸锂晶圆的纵向压电应变常数，判定X切铌酸锂晶圆的正反面状态，正反面状态为X切铌酸锂晶圆的+X面朝上或X切铌酸锂晶圆的‑X面朝上，本方法可以成功识别X切铌酸锂晶圆的正反面。
一种切铌酸锂晶圆正反面判定方法

[发明专利]一种铌酸锂晶圆的减薄方法-CN202010711681.8有效
发明人：何肇阳;赵亚东;罗立辉;钟志明;汪洋;陈楚杰 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂晶圆的减薄方法，属于芯片封装技术领域。本发明的铌酸锂晶圆的减薄方法，包括以下步骤：提供一铌酸锂晶圆，在铌酸锂晶圆的背面贴第一划片胶膜，并沿铌酸锂晶圆正面的切割道进行预切割至预定深度；去除第一划片胶膜，在铌酸锂晶圆的正面贴磨片胶膜，磨片胶膜为双层胶膜；对铌酸锂晶圆的背面进行研磨至晶粒分离；在铌酸锂晶圆的背面贴第二划片胶膜，再去除磨片胶膜。本发明实现了铌酸锂晶圆的研磨前切割工艺，避免了现有技术中铌酸锂晶圆在磨切加工时易出现脆性破坏、亚表面损伤层深和切割正背面崩裂大等损伤的现象，且芯片正背面崩裂均可以控制在10um以内，有利于保证铌酸锂芯片封装产品的品质
一种铌酸锂晶圆方法

[发明专利]一种键合剥离后的铌酸锂晶圆的修复方法和铌酸锂晶圆-CN202011466815.0在审
发明人：刘昆;周赤;吉贵军;张大鹏;王兴龙;黄杭东;陆龙钊 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/477 文献下载
摘要：本发明提供一种键合剥离后的铌酸锂晶圆的修复方法和铌酸锂晶圆。修复方法包括对键合剥离后的原料铌酸锂晶圆加热退火；对所述原料铌酸锂晶圆的剥离面进行抛光处理，抛光深度等于或大于离子注入深度蔓延范围的一半。该修复方法能够对键合剥离后的铌酸锂晶圆进行修复，从而使得废弃的铌酸锂晶圆得到再次利用，避免浪费。
一种剥离铌酸锂晶圆修复方法

[发明专利]铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件-CN202211665071.4在审
发明人：翟进;周赤;吉贵军;刘昆;陆龙钊;黄杭东;胡志刚 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02B6/134 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件，其中铌酸锂脊波导的制作方法包括先在铌酸锂晶圆上生长硬掩模，在形成了刻蚀图形之后进行自对准质子交换，以在铌酸锂晶圆上形成交换区，之后再在铌酸锂晶圆上对交换区进行刻蚀，如此设置一方面可以提高铌酸锂的刻蚀效率，可以将铌酸锂的刻蚀效率提高4至5倍；另一方面，能够提高铌酸锂晶圆刻蚀面的光滑度，进而提高铌酸锂脊波导的良品率。
铌酸锂脊波导制作方法光电器件

[发明专利]一种铌酸锂晶圆加工废水处理装置-CN202210455845.4在审
发明人：夏钰坤;江训振 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C02F9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种废水处理装置，尤其涉及一种铌酸锂晶圆加工废水处理装置。要解决的技术问题为：提供一种能够便于人们加入絮凝剂，并且能够对废水杂质进行吸附处理的铌酸锂晶圆加工废水处理装置。一种铌酸锂晶圆加工废水处理装置，包括有支撑底座和污水处理框等，支撑底座上侧连接有污水处理框。本发明通过将絮凝剂和铌酸锂晶圆加工废水加入到污水处理框右上部分，如此能够便于人们对铌酸锂晶圆加工废水进行处理，同时活性炭板能够对铌酸锂晶圆加工废水内的杂质进行吸附，能够实现铌酸锂晶圆加工废水的絮凝处理和吸附处理同时进行
一种铌酸锂晶圆加工废水处理装置

[发明专利]铌酸锂单晶薄膜及其制作方法-CN202011250278.6在审
发明人：周赤;吉贵军;刘昆;张大鹏;王兴龙 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：本发明提供铌酸锂单晶薄膜及其制作方法，制作方法包括：在原料铌酸锂晶圆的光学级表面上制备介质层；穿过介质层朝向光学级表面注入离子，离子穿透光学级表面后形成离子层，在离子层和介质层之间形成单晶铌酸锂薄层；将载体晶圆与介质层键合；加热至第一预设温度，使单晶铌酸锂薄层与原料铌酸锂晶圆分离并存留在介质层上；加热至第二预设温度，第二预设温度大于第一预设温度。通过单晶铌酸锂薄层与原料铌酸锂晶圆分离，并牢固地位于介质层上，以可实现稳定的光波导。
铌酸锂单晶薄膜及其制作方法

[发明专利]一种减弱铌酸锂热释电对光刻影响的方法-CN202211656714.9在审
发明人：胡志刚;周赤;吉贵军;刘昆;陆龙钊;黄杭东 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10N15/10 文献下载
摘要：本公开实施例提供的一种减弱铌酸锂热释电对光刻影响的方法，包括：在清洗后的铌酸锂晶圆的第一表面上形成覆盖所述第一表面的第一导电层；在所述铌酸锂晶圆的第二表面上形成覆盖所述第二表面的第二导电层，所述第二表面和所述第一表面为所述铌酸锂晶圆上相对设置的两表面本公开方法通过使铌酸锂晶圆的等效正负极短路，以中和温度变化过程中在铌酸锂晶圆表面产生的电荷，使得产生的电荷不会累积，从而有效避免铌酸锂晶圆在光刻过程的光刻胶烘烤环节产生炸胶的情况，保证光刻效果。
一种减弱铌酸锂热释电光刻影响方法

[发明专利]一种铌酸锂晶体的生长方法及装置-CN202310889329.7有效
发明人：吴剑波;李胜雨;张虞;倪荣萍 -专利权人：苏州南智芯材科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本申请提供一种铌酸锂晶体的生长方法及装置，所述方法可以控制坩埚旋转。其中，坩埚内设置有铌酸锂的晶料熔融液。将晶种悬停于晶料熔融液的液面上方，并通过加热件烘烤晶种。将晶种浸入晶料熔融液，并快速地将晶种提拉至晶料熔融液的液面上方。再次将晶种浸入晶料熔融液，提拉晶种，并调整晶种的提拉速度对晶种执行缩颈、放肩，以生成铌酸锂晶体。在铌酸锂晶体生长到等径直径时，控制坩埚上升，以使铌酸锂晶体与晶料熔融液的接触界面保持不变。再将铌酸锂晶体提拉至晶料熔融液的液面上方。所述方法可以通过坩埚的旋转，改善晶料熔融液的对流情况，并将固液的接触界面保持在同一位置，可改善晶体生长过程中温度梯度的稳定性。
一种铌酸锂晶体生长方法装置

[发明专利]铌酸锂晶体化学机械抛光后的应力控制方法-CN201010231679.7有效
发明人：刘玉岭;孙鸣;田军 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本发明涉及铌酸锂(LiNbO3)晶体化学机械抛光(CMP)后，铌酸锂晶体表面的应力控制方法。本发明铌酸锂晶体CMP后应力控制方法，CMP刚刚完成后清洗时，采用逐渐慢慢加大水抛清洗液流量，充分释放铌酸锂晶体表面的热应力，达到铌酸锂晶体内外热应力一致，从而有效地避免了铌酸锂晶体清洗过程中易产生开裂、碎晶的问题发生，完美实现了铌酸锂晶体CMP后的应力控制，大大提高了铌酸锂晶体因开裂、碎晶导致的加工良率。
铌酸锂晶体化学机械抛光应力控制方法

[发明专利]基于铌酸锂-硅晶圆的高速低电压电光调制器-CN202010111302.1有效
发明人：邹卫文;王静;徐绍夫;王兴军 -专利权人：上海交通大学;北京大学
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：一种基于铌酸锂‑硅晶圆的高速低压电光调制器，硅晶圆位于铌酸锂晶圆上方，通过刻蚀硅波导，形成铌酸锂‑硅混合波导，通过改变硅波导的结构使得光波在铌酸锂‑硅混合波导中具有不同的能量分布。当硅波导中具有更多的能量分布时，适用于实现紧凑的分波功能、合波功能与热光调制功能；当铌酸锂波导中具有更高的能量分布时，适用于实现高速、低电压的电光调制功能。本发明分别发挥了铌酸锂和硅材料平台的优势，适用于高速低电压的电光调制。
基于铌酸锂硅晶圆高速电压电光调制器

[发明专利]一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法-CN202010602379.9有效
发明人：欧欣;孙嘉良;游天桂;林家杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L41/253 文献下载
摘要：本申请提供一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法，包括以下步骤：获取晶圆，所述晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆；对所述晶圆进行还原性离子注入处理，获得注入还原性离子的晶圆；将所述注入还原性离子的晶圆进行退火处理该方法基于离子注入进行晶圆黑化，能够在不影响材料压电性能的情况下，获得高质量黑化晶圆。该方法利用离子注入技术，将Fe2+等还原性离子注入到铌酸锂或钽酸锂晶圆，Fe2+等的注入会占据晶格中原本更高价态离子的格点，增加铌酸锂或钽酸锂晶体中的氧空位浓度，使晶圆内的载流子浓度提升，进而提高晶圆的电导率，降低电阻率，随后对晶圆进行退火修复，能够有效降低晶体的热释电效应。
一种基于离子注入铌酸锂钽酸锂晶圆黑化方法

[发明专利]一种改善铌酸锂薄膜晶圆稳定性的工艺方法-CN202210798473.5在审
发明人：侯松岩 -专利权人：侯松岩
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提出一种的工艺制备过程，用来制作耐高温的单晶薄膜铌酸锂或钽酸锂晶圆。在进行离子注入之后，在晶片和硅衬底旋涂氢倍半硅氧烷聚合物光刻胶，然后在进行晶圆键合，通过调整热退火的温度、时间以及气体，使晶片内部形成损伤层膨胀，进而将薄膜剥离，同时将氢倍半硅氧烷聚合物光刻胶变性成为致密的二氧化硅薄膜，之后对单晶铌酸锂晶圆另一面进行抛光打磨，得到耐高温的铌酸锂薄膜。利用此工艺制备的铌酸锂或钽酸锂薄膜晶圆的耐高温性能将会大大提高，极大拓展了铌酸锂或者钽酸锂薄膜材料在微纳器件领域的应用。
一种改善铌酸锂薄膜稳定性工艺方法

[发明专利]铌酸锂器件的制备方法及其结构-CN202111045217.0在审
发明人：贾连希;曾宪峰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明提供一种铌酸锂器件的制备方法及其结构，该制备方法首先将完整的单元区域及不完整的单元区域定义出来，然后在对铌酸锂薄膜进行刻蚀时，基于该完整的单元区域及不完整的单元区域单独对其下方的铌酸锂薄膜进行刻蚀，这样对于每一个单元区域下方的铌酸锂薄膜刻蚀时，均是以硬掩膜层作为掩膜，其他区域被光刻胶层保护，这样可以对每个单元区域的铌酸锂薄膜刻蚀采用不同的刻蚀条件，进行工艺优化，避免了现有的两步掩膜刻蚀技术导致晶圆边缘处刻蚀平整度较低，晶圆边缘的粗糙、铌酸锂薄板厚度变化大的问题；另外，因为铌酸锂晶圆的价格昂贵，采用本实施例的制备方法可以有效降低铌酸锂刻蚀工艺的开发成本。
铌酸锂器件制备方法及其结构

[发明专利]一种铌酸锂薄膜波导器件及其制备方法-CN202311203319.X在审
发明人：杨志远;李鑫;陶艺;马世超;郑名扬;刘洋;谢秀平 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明适用于光通信器件微纳加工技术领域，尤其涉及一种铌酸锂薄膜波导器件及其制备方法。方法包括：提供铌酸锂薄膜晶圆；在铌酸锂薄膜晶圆上涂电子束光刻胶，电子束光刻胶包括正胶；将涂电子束光刻胶的铌酸锂薄膜晶圆经过电子束曝光、显影、镀膜、剥离工艺，得到标记以及波导结构硬掩膜；镀膜工艺包括镀金属，标记以及波导结构硬掩膜均为金属材料；对标记保护后，利用波导结构硬掩膜，通过刻蚀工艺对铌酸锂薄膜进行刻蚀，并经过清洗后得到带有标记的铌酸锂薄膜波导结构；通过带有标记的铌酸锂薄膜波导结构得到铌酸锂薄膜波导器件
一种铌酸锂薄膜波导器件及其制备方法

[发明专利]基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件-CN202211167513.2在审
发明人：蔡鑫伦;张仙 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：本发明涉及光学器件技术领域，提出一种基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件。其中，包括薄膜铌酸锂光子芯片，薄膜铌酸锂光子芯片上通过异质集成晶圆键合技术集成有III‑V有源波导层；薄膜铌酸锂光子芯片上设置有铌酸锂波导层，铌酸锂波导层的输出端与III‑V有源波导层的输入端垂直倏逝波耦合本发明通过异质集成晶圆键合技术将III‑V有源波导层集成到铌酸锂光子芯片上，实现了薄膜铌酸锂平台片上光探测的功能。III‑V有源波导层与薄膜铌酸锂光子芯片通过优化设计的III‑V/LN模斑转换器以垂直倏逝波耦合的方式光学互连，实现III‑V有源波导层与铌酸锂波导之间的高效率耦合。
基于集成薄膜铌酸锂片上耦合结构制备方法器件

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