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[发明专利]一种高性能铌酸钠基无铅热释电陶瓷材料及其制备方法和应用-CN201910601425.0在审
发明人：董显林;周明星;梁瑞虹 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本发明涉及一种高性能铌酸钠基无铅热释电陶瓷材料及其制备方法和应用，所述铌酸钠基无铅热释电陶瓷材料的化学组成为：(1‑x)NaNbO₃‑xBa_0.6(Bi
热释电陶瓷材料铌酸钠基无制备方法和应用化学组成

[发明专利]一种镍铌中间合金及其制备方法-CN201310157377.3有效
发明人：陈道华;蔡柯金;马步洋;王浩冰 -专利权人：江苏美特林科特殊合金有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C22C27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍铌中间合金材料，所述合金材料各组分的质量百分比为：铌60%-70%、镍26.5%-36.5%、铝≤1.5%、氧≤0.1%、氮≤0.05%、硅≤0.3%、磷≤0.01%、铁≤1%、钽≤0.2%本发明还公开了镍铌中间合金材料的制备方法。本发明镍铌中间合金可以大大降低熔炼含铌镍基合金的温度；制备镍铌中间合金采用了严格的原材料控制，产品产度高，产品杂质含量低，可控性好，生产效率高，合金氮氧含量低，更加纯净。
一种中间合金及其制备方法

[发明专利]低损耗硅-氧化硅-掺铒铌酸锂电光调制器及集成方法-CN202210316787.7在审
发明人：邹卫文;王静 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种低损耗硅‑氧化硅‑掺铒铌酸锂电光调制器及集成方法，所述电光调制器包括光耦合器、多模干涉仪、定向耦合器、二色向耦合器、电光移相臂、行波电极。所述集成方法包括：通过硅、氧化硅的刻蚀，能够形成硅波导与氧化硅‑掺铒铌酸锂异质波导，通过金属沉积形成行波电极。所述的硅波导组成多模干涉仪；所述的硅波导与氧化硅‑掺铒铌酸锂异质波导组成定向耦合器和二色向耦合器；所述的氧化硅‑掺铒铌酸锂异质波导组成电光移相臂。本发明使用掺铒铌酸锂作为损耗补偿的增益介质与电光调制材料，结合硅材料能够制备小尺寸光子回路，可以实现硅基无源器件与掺铒铌酸锂基电光调制器的兼容。
损耗氧化掺铒铌酸锂电光调制器集成方法

[发明专利]Li和Bi改性的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料及其制备方法-CN200710018777.0无效
发明人：杜红亮;周万城;朱冬梅;罗发 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2007-09-30 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明是一种Li和Bi改性的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料及其制备方法，通过添加Li和Bi离子提高铌酸钾钠陶瓷的居里温度，同时保持了高的压电性能和优良的温度稳定性。本发明的原材料包括无水碳酸钾、无水碳酸钠、无水碳酸锂、五氧化二铌和三氧化二铋，其化学计量比为[(K_(1-x)/2Na_(1-x)/2Li_x3yBi_y]NbO₃无铅压电陶瓷，其中0.0≤x≤0.07，0.0≤y≤0.01，通过配料、烘干研磨、造粒、成型、烧结和被银电极后极化过程，获得铌酸钾钠基无铅压电材料，有效改善了原有的铌酸钾钠体系压电陶瓷的烧结特性，提高了陶瓷的致密化程度，同时增加了铌酸钾钠体系压电陶瓷的居里温度，具有工艺简单，实用性强的特点。
li bi 改性铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种基于马赫-曾德干涉的硅基铌酸锂薄膜光调制器-CN201510875527.3在审
发明人：姜城 -专利权人：派尼尔科技（天津）有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明提供一种基于马赫-曾德干涉的硅基铌酸锂薄膜光调制器，包括行波电极，铌酸锂波导层，下包层，地电极和衬底，所述的衬底上表面覆盖所述的地电极；所述的地电极上表面覆盖所述的下包层；所述的下包层上表面覆盖所述的铌酸锂铌酸锂波导层；所述的铌酸锂波导层上表面覆盖所述的行波电极；所述的铌酸锂波导层包括铌酸锂晶体和钛扩散条波导，所述的铌酸锂晶体设置在钛扩散条波导的下表面中部。本发明的铌酸锂波导层的设置，在实现低功耗驱动的同时降低了调制器的尺寸，提高了器件的稳定性，具有制作工艺简便，器件尺寸小，稳定性好等优点，便于推广和使用。
一种基于马赫干涉硅基铌酸锂薄膜调制器

[发明专利]一种通过霍尔效应分析陶瓷内部缺陷的方法-CN202010772336.5在审
发明人：郇宇;王振行;魏涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明的铌酸钾钠基陶瓷材料采用工业原料获得，陶瓷样品均在99.999%的高纯氮气和空气下测试。首先根据霍尔效应的测试要求对陶瓷样品进行电极涂覆，然后通过霍尔效应测试成功地对铌酸钾钠基陶瓷材料的内部缺陷类型进行判断和浓度的量化。本发明实现了对陶瓷内部缺陷类型的直观判定和量化，为制备具有低浓度缺陷、优异的压电性能、周期短、成本低的铌酸钾钠基陶瓷材料提供了一种有效的判定方法。
一种通过霍尔效应分析陶瓷内部缺陷方法

[发明专利]一种具有防紫外线功能的面料及其制备方法和应用-CN202110924214.8在审
发明人：余荣沾;尹华平;关德辉 -专利权人：广东欣丰科技有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： D06M11/47 文献下载
摘要：本发明属于纺织品技术领域，公开了一种具有防紫外线功能的面料及其制备方法和应用，该面料包括基布和氧化铌纳米膜层，氧化铌纳米膜层沉积在基布的表面上。该面料通过对基布的表面依次进行离子源清洗和磁控溅射得到。本发明面料的颜色会随着紫外线的照射越来越深，颜色越深，阻挡紫外线的能力越强，随着紫外线照射时间的增加，防紫外线性能增强，同时氧化铌纳米膜层的厚度为纳米级别，厚度非常薄，使得面料的柔软度和透气性与未沉积膜层前基本一致
一种具有紫外线功能面料及其制备方法应用

[发明专利]一种集抗氧化和阻界面扩散于一体的复合防护涂层及其制备方法-CN202110132652.0有效
发明人：颜建辉;李茂键;康蓉 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2021-01-31 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明的复合防护涂层包括中间的高熵合金阻扩散层和最外面的二硅化钼抗氧化层，其制备方法包括高熵合金粉末的制备、铌基表面高熵合金阻扩散中间层的制备和高熵合金阻扩散层表面二硅化钼高温抗氧化涂层的制备。本发明的复合防护涂层应用于提高铌基合金的高温抗氧化性能以及阻止铌基和抗氧化涂层之间的扩散，延长涂层的服役寿命，具有优越的高温抗氧化性能和阻止界面元素互扩散的能力。
一种氧化界面扩散一体复合防护涂层及其制备方法

[发明专利]碲铌基玻璃及其制备方法、用途-CN200310108869.X无效
发明人：黄文旵;林健;孙真荣 -专利权人：同济大学
申请日： 2003-11-26 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： C03C3/12 文献下载
摘要：本发明属非线性光学玻璃材料技术领域，具体涉及一种碲铌基玻璃及其制备方法、用途。碲铌基玻璃以TeO和Nb₂O₅为主要原料，适当添加过渡金属氧化物或稀土金属氧化物经混合、熔制而成。利用碲铌基玻璃，采用常规方法能制成光通讯的透红外窗口材料、超高速全光开关、光纤参量放大器以及滤波材料等光学元件材料。
碲铌基玻璃及其制备方法用途

[发明专利]陶瓷材料及其制备方法、谐振器、滤波器及射频拉远设备-CN201580079830.0在审
发明人：庄后荣;陆正武 -专利权人：深圳市大富科技股份有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：该原料配方包括重量百分含量为76％‑85％的钡锌铌基陶瓷粉体和15％‑24％有机粘结剂；该制备方法包括以下步骤将上述配方的钡锌铌基陶瓷粉体和有机粘结剂混合以获得混合物料；加热混合物料以形成熔体；将熔体注射成型得到坯体本发明的钡锌铌基介质谐振器密度均匀、尺寸精度高，具有高介电常数和性能稳定性并可成型形状复杂的介质谐振器。
陶瓷材料及其制备方法谐振器滤波器射频设备

[发明专利]一种锆酸钙和钽掺杂的铌酸钾钠基压电陶瓷、其制备方法及应用-CN201911314941.1在审
发明人：高晓菊;周雅伟;满蓬;王成;张丛;张武 -专利权人：内蒙金属材料研究所
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料制备领域，尤其涉及一种锆酸钙和钽掺杂的铌酸钾钠基压电陶瓷、其制备方法及应用。本发明通过CaZrO3掺杂铌酸钾钠基陶瓷，可以较好地提高KNN基压电陶瓷的高压电性能，CaZrO3掺杂的KNN基陶瓷在同时，在CaZrO3‑KNN基陶瓷中掺入钽离子，在得到高致密度的无铅陶瓷情况下，使其仍保持良好的压电性能和温度稳定性。
一种锆酸钙掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷制备方法应用

[发明专利]芳基二元醇的制备方法-CN200410067624.1有效
发明人：李应成;何文军;何立;杨为民;周斌 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： C07C33/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种芳基二元醇的制备方法，主要解决以往技术方案中反应水比高(水和芳基环氧化物的摩尔比)，能耗大的缺陷。本发明通过采用氧化铌为催化剂，利用氧化铌催化剂对芳基环氧化物的环氧环的高选择性开环水合反应性能，在较低水比下高选择性地制备芳基二元醇的技术方案，较好地解决了该问题，从而可以显著降低生产成本，可用于芳基二元醇的工业生产中
二元制备方法

[发明专利]一种导电率好的铜基合金坯料-CN201810491518.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：刘爽
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电率好的铜基合金坯料，该铜基合金坯料包括以下组分：Cu元素：70‑98wt％，石墨烯态：1‑1.5wt％，其余为Nb，总量为100％，制备时，以纯铜锭、纯铌锭/纯银锭、纯铜粉末/纯铌粉末/纯银粉末、石墨烯粉末为原料，首先将纯铜锭、纯铌锭/纯银锭混合后加热至1700℃，使其融化成合金熔体，保温10min后，采用氩气保护熔体液面，并且加入纯铜粉末/纯铌粉末/纯银粉末、石墨烯粉末，采用机械搅拌方式对合金熔体充分搅拌900‑1600℃，并保温10‑15min，使合金熔体迅速凝固并且形成半固态混合组织的熔体，将半固态混合组织的熔体浇注到采用循环水冷却的磨具中制备形成铸锭，以50‑200℃/min的速度冷却至室温，得到铜基合金坯料
合金熔体铜基合金纯铌坯料石墨烯纯铜粉末纯银粉末混合组织半固态导电率纯铜熔体银锭制备保温机械搅拌方式循环水冷却熔体液面速度冷却温度降低氩气保护浇注磨具铸锭加热融化凝固

[发明专利]一种薄膜铌酸锂基集成芯片及制备方法-CN202010533310.5在审
发明人：顾晓文;周奉杰;钱广;王琛全;孔月婵 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂基集成芯片及制备方法，其衬底材料为硅基薄膜铌酸锂，波导为铌酸锂脊形波导，其结构包括输入输出端口、马赫曾德尔电光强度调制器、耦合双环谐振器，马赫曾德尔调制器包含2个1×2多模干涉耦合器本发明通过将电光调制器与微环谐振器集成，实现滤波与延时功能，且采用全硅基薄膜铌酸锂材料，拥有大带宽、快速调谐的优势。
一种薄膜铌酸锂基集成芯片制备方法

[发明专利]基于碳负载铌基双金属氮氧化物催化剂及其制备方法与应用-CN202211500343.5在审
发明人：田新龙;罗俊明;张雅亭;卢哲 -专利权人：海南大学;海南大学三亚研究院
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于碳负载铌基双金属氮氧化物的催化剂及其制备方法与应用，涉及燃料电池的技术领域，所述方法包括：将铌盐和另一种过渡金属盐溶于水或醇溶液中，制备前驱液；将碳载体均匀分散在所述前驱液中，过滤、干燥后得到前驱体；将所述前驱体与氮源煅烧，得到碳负载铌基双金属氮氧化物的催化剂。本发明制备的铌基双金属氮氧化物纳米粒子分布均匀且粒径小，有利于暴露大量的活性位点，碳负载使其具有良好的导电性，这些优点使其适合用于燃料电池催化剂，有利于提高催化剂的电流密度；该催化剂具有双金属组分，不仅耐酸
基于负载双金属氧化物催化剂及其制备方法应用