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[发明专利]一种碳化硅材料杨氏模量的表征方法-CN202311078063.4在审
发明人：宋猛;王振行;赵树春;高超;宗艳民;潘亚妮;王宗玉;张红岩;宋建;杨晓俐;宋生;宁秀秀;刘欣 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅材料杨氏模量的表征方法，属于杨氏模量表征技术领域。该表征方法首先利用X射线衍射仪，测试晶圆不同位置处的晶面衍射，根据晶体学中晶面间距公式计算晶体的a和c值，然后根据a和c值计算晶圆不同位置处的晶胞体积大小，通过第一性原理计算，得到晶胞大小与杨氏模量的关系，最后根据计算的晶胞体积值估算出整个晶圆杨氏模量的分布。本申请的碳化硅材料杨氏模量的表征方法不需破坏晶圆，只需测试晶胞体积，并根据理论计算结果，就能在无损状态下检测整个晶圆的杨氏模量分布，节约成本，快捷实用，适用于工业生产。
一种碳化硅材料杨氏模量表征方法

[发明专利]一种定量表征晶片表层应力的方法及检测晶片表层应力的标准方法-CN202310636694.7在审
发明人：宋猛;王旗;张九阳;王振行;张红岩;高超;宗艳民;石志强 -专利权人：上海天岳半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种定量表征晶片表层应力的方法及检测晶片表层应力的标准方法，属于晶片应力检测技术领域。该方法，包括下述步骤：(1)对晶片进行电阻率测试，根据测得的电阻率数值和拟合函数得到所述晶片的杨氏模量；(2)测试所述晶片表层的应变，根据所述应变和杨氏模量，计算得到所述晶片的表层应力。上述方法通过晶片的电阻率数值和拟合函数，预测出整个晶片不同区域的杨氏模量，相比于直接测试整个晶片的杨氏模量节约了检测时间，可快速并准确预测出晶片的杨氏模量分布，并利用应力、杨氏模量和应变的关系，定量表征出整个晶片的表层应力分布，可推广用于晶片表层应力的标准化检测。
一种定量表征晶片表层应力方法检测标准

[实用新型]一种燃气场站多级别分区域计量装置-CN202221969729.6有效
发明人：王珂;郑重;王振行;李红霞;何冰欢 -专利权人：开封新奥燃气有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： F17D3/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种燃气场站多级别分区域计量装置，包括本体，本体上设有进气管、出气管，进气管通过防松组件与第一燃气管道连通；防松组件的连接管套设在进气管上，连接管通过螺纹配合套设在第一燃气管道上，进气管上还套设有第一锁环、顶盘，顶盘位于连接管与第一锁环之间，连接管与所述顶盘相对的面分别对应设置有单向齿圈，顶盘与第一锁环之间设有弹簧；出气管通过对应的防松组件与第二燃气管道连通；本申请结构合理、配合巧妙，先将进气管与燃气管道通过连接管顶紧连通，再将顶盘通过单向齿圈配合顶压在连接管的端面上，可避免连接管反转松动，避免燃气泄漏，安装方便，提高多个级别、不同区域的输送管道的计量装置的安装效率。
一种燃气场站多级区域计量装置

[发明专利]一种多元素掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法-CN202110694937.3有效
发明人：郇宇;侯立敏;王振行;魏涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于压电陶瓷材料制备方法技术领域，具体涉及一种多元素掺杂的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法。所述多元素掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷，其化学式为(Na0.52K0.48)Nb1‑xTaxO3‑yBaZrO3‑zMnCO3，制备方法为：称取原料制备成生坯，排胶处理，升温至1100–1250℃，在还原气氛(由体积分数为99~95%的氮气和5~1%的氢气组成)下保温1–3小时烧结。本发明在还原气氛下所制备的多元素掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷在4kV/mm的电场下的逆压电系数为280~400pm/V，压电常数d33为180~250pC/N，平面机电耦合系数kp=20~25.3%，介电损耗tanδ不高于0.03。
一种多元掺杂铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种丁基橡胶生产过程中氯甲烷气体脱水工艺-CN202010988417.9在审
发明人：雷志刚;王振行;张傑;刘胜利;朱瑞松 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： B01D53/26 文献下载
摘要：一种丁基橡胶生产过程中氯甲烷气体脱水工艺，属于分离纯化技术领域。该方法包括以下步骤:将含有一定水的工业物料经过管道送入吸收塔中，吸收塔塔操作条件优选为：温度25℃，绝对压力4atm，理论板数6块。工业物料中水含量为0.1％‑2％(质量分数，下同)，塔底富含水的离子液体先进入第一个闪蒸罐，脱除其含有的大部分氯甲烷，后进入第二闪蒸罐，脱出其中含有的水分，第二闪蒸罐底部采出的离子液体循环使用，最终出塔气体中水含量达到ppm级别。
一种丁基橡胶生产过程甲烷气体脱水工艺

[发明专利]一种通过霍尔效应分析陶瓷内部缺陷的方法-CN202010772336.5在审
发明人：郇宇;王振行;魏涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明属于无铅压电陶瓷材料领域，具体涉及一种通过霍尔效应分析陶瓷内部缺陷的方法。本发明的铌酸钾钠基陶瓷材料采用工业原料获得，陶瓷样品均在99.999%的高纯氮气和空气下测试。首先根据霍尔效应的测试要求对陶瓷样品进行电极涂覆，然后通过霍尔效应测试成功地对铌酸钾钠基陶瓷材料的内部缺陷类型进行判断和浓度的量化。本发明实现了对陶瓷内部缺陷类型的直观判定和量化，为制备具有低浓度缺陷、优异的压电性能、周期短、成本低的铌酸钾钠基陶瓷材料提供了一种有效的判定方法。
一种通过霍尔效应分析陶瓷内部缺陷方法

[发明专利]一种选择合适铌酸钾钠基压电陶瓷烧结气氛的方法及陶瓷制备工艺-CN201911116769.9在审
发明人：郇宇;王振行;魏涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择合适铌酸钾钠基压电陶瓷烧结气氛的方法及陶瓷制备工艺，所述铌酸钾钠基陶瓷材料的化学通式为0.96(K
铌酸钾钠基陶瓷烧结气氛压电性能导电机制铌酸钾钠基压电陶瓷电学性能测试陶瓷制备工艺材料提供高纯氮气工业原料化学通式霍尔效应陶瓷材料烧结电阻率阻抗谱制备测试成功

[发明专利]一种可在还原气氛下烧结的铌酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法-CN201811339783.0在审
发明人：郇宇;魏涛;王振行 -专利权人：济南大学
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种可在还原气氛下烧结的铌酸钾钠基压电陶瓷组分及其制备方法。本发明所述的压电陶瓷的化学组成为Sn、Zr、Mn、Bi掺杂的(K,Na)NbO₃压电陶瓷，其中各组分的摩尔百分数为：50%的Na，45–50%的K，90–100%的Nb，0–5%的Bi，0–1.0%的Sn，0–1.0%的Zr，0–0.5%的Mn。制备方法为：（1）称取原料，并行星球磨6–24小时；（2）将混合料烘干并在800–900℃下预烧5–6小时；（3）将步骤2中的粉体行星球磨12–24小时；（4）将步骤3的粉体压制成陶瓷圆形生坯；（5）将生坯在1050–1150℃保温1–3小时完成烧结，烧结气氛为体积分数95–99%的氮气和1–5%的氢气。本发明制备的陶瓷致密度高，压电系数可达350pC/N，1kV/mm下的绝缘电阻率可达398GΩcm。
制备烧结铌酸钾钠基压电陶瓷还原气氛压电陶瓷粉体陶瓷氮气绝缘电阻率摩尔百分数化学组成烧结气氛体积分数行星球磨压电系数圆形生坯氢气掺杂的混合料烘干称取生坯预烧保温并行星球压制

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