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- [发明专利]一种钨酸铋单晶及其制备方法-CN202210955377.7在审
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刘国卿;王国伟;田相鑫;颜强;吴正新;刘永
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深圳大学
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2022-08-10
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2022-11-11
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C30B9/12
- 本发明公开了一种钨酸铋单晶及其制备方法，所述制备方法为助熔剂法，包括步骤：将氧化钨粉末和氧化铋粉末混合后，进行高温固相反应生成钨酸铋多晶；向所述钨酸铋多晶中加入助熔剂，加热熔融并恒温一段时间，然后进行程序降温至预设温度，再自然冷却至室温，得到所述钨酸铋单晶。本发明采用助熔剂法，将助熔剂与制备得到的钨酸铋多晶混合，加热熔融一定时间并通过降温控制钨酸铋单晶的生长，所述钨酸铋单晶可作为闪烁晶体应用于核辐射探测领域，解决了钨酸铋多晶粉体因本身构型缺陷不能作为闪烁晶体应用于核辐射探测领域的问题所述制备方法工艺简单、原料易得、成本较低、容易实现，可为制备大尺寸的钨酸铋单晶提供有益参考。
- 一种钨酸铋单晶及其制备方法
- [发明专利]铋氧氯单晶制备方法-CN201710605079.4在审
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郝维昌;崔丹丹
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北京航空航天大学
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2017-09-25
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2018-04-13
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C30B29/10
- 本发明属于铋氧氯单晶制备技术领域，具体涉及一种铋氧氯单晶制备方法；本发明的目的是，针对现有技术不足，提供一种用配料成本低，反应条件温和的铋氧氯单晶制备方法；本发明的技术方案是包括以下步骤步骤一、配置铋氧氯溶液；步骤二、加入浓盐酸；步骤三、放入反应釜利用水热法合成铋氧氯单晶；所述步骤一种，使用五水合硝酸铋作为铋源，溶于去离子水/醇中，铋氧氯溶液浓度为0.0625mol/L；向配置好的铋氧氯溶液中滴加浓度为36的浓盐酸，直至溶液中浓度达到0.025mol/L，搅拌至溶液澄清；所述水热时间至少为一小时，水热温度为180～200℃；所述步骤三中，水热法后将高压反应釜冷却到室温,收集反应产物、清洗、并干燥得到氯氧化铋单晶
- 铋氧氯单晶制备方法
- [发明专利]一种钬-铋磁制冷材料及其制备方法和应用-CN202210501508.4在审
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张艳;孙志刚;胡季帆
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太原科技大学
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2022-05-10
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2022-07-22
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C30B1/02
- 一种钬‑铋磁制冷材料及其制备方法和应用，属于磁制冷技术领域，钬‑铋磁制冷材料为钬‑铋单晶材料或者钬‑铋多晶材料，钬‑铋磁制冷材料的化学式为：HoBi，具有氯化钠型立方晶体结构，空间群为Fm‑3m，钬‑铋磁制冷材料的相变温度为3.7K与6K；钬‑铋单晶和多晶材料均可以用于液氦温区多级制冷和绝热退磁，并且本发明中提供了钬‑铋单晶和多晶材料的制备方法。本发明提供的钬‑铋磁制冷材料，具有无滞后特性、在液氦温区能实现高磁熵变，钬‑铋磁制冷材料在高磁场条件下具有较大的低场连续正负磁热效应，在高场下具有较大的负磁热效应，不仅可用于一般的磁制冷技术，且可在多级制冷和绝热退磁技术方面实现应用
- 一种制冷材料及其制备方法应用
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