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[发明专利]一种高密度、快衰减时间的闪烁晶体Bi2-CN202310238466.4在审
发明人： 田相鑫;李志远;刘敬权 -专利权人：临沂大学
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开一种高密度、快衰减时间的闪烁晶体Bi2W2O9的制备方法和应用，属于闪烁晶体材料技术领域。本发明将元素周期表中最重的稳定元素Bi与重元素W与低维Aurivillius型晶体结构进行有机结合，制备得到一种高密度、快衰减时间的闪烁晶体材料。本发明制备得到的Bi2W2O9晶体的衰减时间短，最小衰减时间为1.40ns，慢分量为41.63ns，是一种超快衰减的闪烁体。本发明合成与晶体生长方法，所使用的原料均可以在市场购得，价格便宜，不含有毒有害元素，便于进行规模化生产，可应用于高能射线、高能粒子的探测和防护等技术领域。
一种高密度衰减时间闪烁晶体 bi base sub

[发明专利]一种超快衰减时间的卤铋甲胺闪烁晶体及其生长方法-CN202310042693.X在审
发明人： 田相鑫;齐静平;刘国卿;李志远;刘敬权 -专利权人：临沂大学
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开一种超快衰减时间的卤铋甲胺闪烁晶体及其生长方法，属于高能粒子/射线探测技术领域。本发明涉及的闪烁晶体的化学式为：MA3Bi2(ClxBryI1‑x‑y)9，其中，MA+＝CH3NH3+，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。本发明晶体具有纳秒、亚纳秒量级的衰减时间，具有400‑500nm，600‑700nm两个主发射带，可以制成闪烁晶体器件，用于超快闪烁探测器；本发明提供的晶体生长方法，所需条件易于实现，操作简单，且生长体系中不含目标晶体以外的异质元素，且原料易得，价格便宜，生长条件温和。本发明闪烁晶体还可以用作半导体晶体，用于发光二极管、半导体型光电探测器等领域。
一种衰减时间卤铋甲胺闪烁晶体及其生长方法

[发明专利]一种钨酸铋单晶及其制备方法-CN202210955377.7在审
发明人：刘国卿;王国伟;田相鑫;颜强;吴正新;刘永 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨酸铋单晶及其制备方法，所述制备方法为助熔剂法，包括步骤：将氧化钨粉末和氧化铋粉末混合后，进行高温固相反应生成钨酸铋多晶；向所述钨酸铋多晶中加入助熔剂，加热熔融并恒温一段时间，然后进行程序降温至预设温度，再自然冷却至室温，得到所述钨酸铋单晶。本发明采用助熔剂法，将助熔剂与制备得到的钨酸铋多晶混合，加热熔融一定时间并通过降温控制钨酸铋单晶的生长，所述钨酸铋单晶可作为闪烁晶体应用于核辐射探测领域，解决了钨酸铋多晶粉体因本身构型缺陷不能作为闪烁晶体应用于核辐射探测领域的问题。所述制备方法工艺简单、原料易得、成本较低、容易实现，可为制备大尺寸的钨酸铋单晶提供有益参考。
一种钨酸铋单晶及其制备方法

[发明专利]大尺寸钨酸铋晶体的助熔剂生长方法及应用-CN202210110657.8在审
发明人： 田相鑫;刘敬权 -专利权人：临沂大学
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸钨酸铋晶体的助熔剂生长方法及应用，晶体生长料的预制，预先合成目标晶体的多晶，将多晶与助熔剂进行充分混合获得晶体生长料；或者不经目标晶体的多晶合成，直接将原料按照目标晶体的化学计量比进行配料，与助熔剂进行充分混合，获得晶体生长料；目标晶体的助熔剂生长，先无籽晶生长，后籽晶生长，获得目标晶体。本发明所需条件容易达到，操作简单，生长周期在20天左右可以获得30mm×30mm×2mm的大尺寸单晶，基本满足加工和物理性质表征的要求。采用的助熔剂不含高毒元素，且均可以在市场方便够得，价格低廉，生长过程中产生的废渣对环境的污染和损害较小。
尺寸钨酸铋晶体熔剂生长方法应用

[发明专利]一种自激发拉曼复合功能晶体钨钼酸铋及其晶体生长方法-CN202011251211.4有效
发明人： 田相鑫;张永专;刘伟;李传明;崔亮;刘敬权 -专利权人：临沂大学
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种自激发拉曼复合功能晶体钨钼酸铋，化学式为Bi2MoxW2‑xO9，x的取值范围在0～0.3内，属于单斜晶系，Pbcn(No.60)空间群。晶体生长方法，将Bi2O3、MoO3和WO3按照化学计量比配料，采用球磨机充分混合均匀后在压料机上压实，在300～600℃范围内进行固相烧结，合成钨钼酸铋多晶，与助熔剂按照摩尔比为1∶(0.2‑6)充分混合均匀，放入铂坩埚，升温使原料完全熔化，调温至750℃，下入铂籽晶杆并使之转动，程序降温使晶体自发结晶。钨钼酸铋晶体作为自激发拉曼晶体，可以用于激光器的制作；钨钼酸铋晶体作为闪烁晶体的应用。本晶体生长方法可以获得具有良好光学质量的钨钼酸铋厘米级单晶，方法简单，原料成本低，适合批量生产。
一种激发复合功能晶体钼酸及其晶体生长方法

[发明专利]一种异质结构电催化析氢材料及其制备方法与应用-CN202111257235.5在审
发明人：崔亮;冯中汉;刘敬权;田相鑫;刘伟 -专利权人：临沂大学
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C25B11/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结构电催化析氢材料及其制备方法与应用，属于无机纳米催化材料制备技术领域。本发明所述的电催化析氢材料的分子结构式为CoO/Co3O4。该催化剂负载在金属Ti基底上，在Ti基底表面形成活性物质层，活性成分层致密无龟裂，由含有大量氧空位的纳米线阵列排列而成，增大了其与电解质溶液的接触面积，暴露更多的活性位点，能够在室温条件下更好的进行析氢反应。通过在H2氛围中还原Co3O4纳米线阵列形成CoO/Co3O4，提高了CoO/Co3O4的析氢反应电化学性能。且本发明所述的材料制备方法操作简单，适于大规模生产，可广泛应用于电化学能源存储与转换技术，具有较高的应用价值。
一种结构电催化材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于纳米多孔金属导电聚合物的超级电容器材料及其制备方法-CN201210356113.6有效
发明人：司鹏超;张洪杰;田相鑫;宋琳琳;孟繁慧;肖鑫鑫 -专利权人：山东大学
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01G11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米多孔金属导电聚合物的超级电容器材料，包括多空金属和聚合到金属表面的噻吩系列导电聚合物。本发明还提供了一种基于纳米多孔金属导电聚合物的超级电容器材料的制作方法，包括如下步骤：脱合金法制备纳米多孔金属；配制溶液；采用循环伏安法对电极进行活化；电聚合；所述多孔金属为金；所述导电聚合物为聚3，4乙烯二氧噻吩。推广使用超级电容器，能够适度减少石油消耗，减轻对石油进口的依赖；有效地解决城市汽车尾气污染；摆脱传统电子行业和能源产业对铅酸电池等其它电池的依赖。而该项技术的发明，即基于纳米多孔金属导电聚合物的电极材料，在很大程度上将会推动超级电容器的推广使用。
一种基于纳米多孔金属导电聚合物超级电容器材料及其制备方法

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