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[发明专利]一种磁存储器及其制备方法-CN202111522263.5在审
发明人：卢世阳;殷加亮;商显涛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁存储器及其制备方法，涉及磁存储器领域，该磁存储器包括：电流写入层以及设置在之上的反铁磁耦合自由层，反铁磁自由层包括：反铁磁耦合层、第一铁磁翻转层以及第二铁磁翻转层，第一铁磁翻转层厚度小于第二铁磁翻转层，第一铁磁翻转层设于反铁磁耦合层与电流写入层之间，第二铁磁翻转层设于反铁磁耦合层之上，第一铁磁翻转层通过所述电流写入层产生的自旋累积实现翻转，翻转过程带动第二铁磁翻转层翻转，由于反铁磁耦合自由层厚度较单自由层高，因此提升了存储器的使用寿命，并且由于反铁磁耦合自由层的第一铁磁翻转层的厚度小于第二铁磁翻转层，可以实现优先翻转，并且带动第二铁磁翻转层翻转，翻转速度大于现阶段的翻转速度。
一种磁存储器及其制备方法

[发明专利]全电控自旋电子神经元器件、神经元电路和神经网络-CN202110537062.6在审
发明人：邢国忠;王迪;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本公开提供一种全电控自旋电子神经元器件、神经元电路和神经网络，神经元器件包括：底部反铁磁钉扎层；合成反铁磁层，形成于底部反铁磁钉扎层上；势垒层，形成于铁磁自由层上；其中，铁磁自由层的正对势垒层的区域形成阈值区域；铁磁参考层，形成于势垒层上；其中，势垒层、铁磁参考层和铁磁自由层形成磁性隧道结；第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层，形成于铁磁自由层的除正对势垒层区域外的裸露区域上，且第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层位于势垒层的两侧；其中，铁磁自由层的正对第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层的区域分别形成第一钉扎区域和第二钉扎区域；第一电极，形成于铁磁参考层上。
全电控自旋电子神经元器件神经元电路神经网络

[发明专利]磁隧道结、磁电阻随机存储器、芯片及制备方法-CN201880099442.2在审
发明人：许俊豪;张日清;杨欢 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种磁隧道结的制备方法及磁隧道结、磁电阻随机存储器，该磁隧道结包括：固定铁磁层(11)、自由铁磁层(12)以及设于所述固定铁磁层(11)和所述自由铁磁层(12)之间的磁隧道势垒(13)；通过磁隧道势垒(13)包裹自由铁磁层(12)的侧面和相对固定铁磁层(11)的表面，或，磁隧道势垒(13)包裹固定铁磁层(11)的侧面和相对所述自由铁磁层(12)的表面，更有效地隔离自由铁磁层(12)与固定铁磁层(11)，提升磁隧道结的良品率，而且，不需要用离子或等离子刻蚀的方法形成MTJ垂直的轮廓，降低制备工艺的难度及提高MTJ阵列的可微缩度。
隧道磁电随机存储器芯片制备方法

[发明专利]一种线性响应巨磁电阻效应多层膜-CN200910091793.1有效
发明人：刘涛;蔡建旺 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-08-25 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：该多层膜的特点在于其自由层为复合自由层，它在具有垂直耦合的多层膜“反铁磁偏置层/铁磁层/反铁磁间隔层/铁磁自由层”或者其反结构中“反铁磁间隔层”的上下两界面的任一处或两处插入一定厚度范围的非磁的“调控间隔层“调控间隔层”的插入可以很好地起到优化“铁磁自由层”线性度、大大降低其矫顽力的作用；此外，本发明通过改变“调控间隔层”的厚度可以调控“铁磁自由层”和“铁磁层”的垂直耦合强度从而调控“铁磁自由层”在垂直“铁磁层”钉扎方向的各向异性场的大小，亦即巨磁电阻传感器的磁场线性响应范围。
一种线性响应磁电效应多层

[发明专利]磁性隧道结器件-CN202011431856.6在审
发明人：韩谷昌;哀立波;张恺烨;刘波 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结器件，包括：依次层叠设置的参考层、势垒层、自由层和盖层，参考层具有与参考层的平面大致垂直的固定磁化，自由层包括：第一铁磁层、第二铁磁层以及位于第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合层，第一铁磁层与势垒层相邻设置，第一铁磁层具有垂直于薄膜表面并且可翻转的磁化，第二铁磁层具有与第一铁磁层磁化方向相反的磁化。且自由层的两个铁磁层与反铁磁耦合层之间或者在两个铁磁层层间设置间隔层，提高自由层的饱和磁化强度。本发明的磁性隧道结器件在具有高垂直各向异性能的同时，具有较低的翻转电流。
磁性隧道器件

[发明专利]电压控制的纳米磁性随机数发生器-CN201410504791.1有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：所述装置包括：自由铁磁层；位于相对于所述自由铁磁层的非共线方向上的固定铁磁层；以及耦合至所述自由铁磁层的第一端子，所述第一端子用于向所述自由铁磁层提供偏置电压。本发明还描述了一种集成电路，其包括：随机数发生器，其包括具有非共线设置的自由铁磁层和固定铁磁层的磁性隧道结(MTJ)；以及用于向所述自由铁磁层提供可调节的偏置电压的电路，所述电路用于控制由所述随机数发生器产生的电流的方差
电压控制纳米磁性随机数发生器

[发明专利]铁电调控人工反铁磁自由层的自旋轨道矩磁随机存储器-CN202011575392.6有效
发明人：闵泰;周雨晴;周雪;李桃;郭志新 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明涉及铁电调控人工反铁磁自由层的自旋轨道矩磁随机存储器。一种自旋轨道矩磁随机存储器可包括多个存储单元，每个存储单元可包括：固定磁层；形成在所述固定磁层上的间隔层；形成在所述间隔层上的具有人工反铁磁结构的自由磁层，所述自由磁层包括：形成在所述间隔层上的第一磁层；形成在所述第一磁层上的非磁耦合层；以及形成在所述非磁耦合层上的第二磁层；形成在所述自由磁层上的自旋轨道矩材料层；以及形成在所述自旋轨道矩材料层上的铁电层。本发明通过铁电层导致的电荷转移及极化电场来调控自由层的人工反铁磁结构从反铁磁耦合转变到铁磁耦合，降低了写入过程所需的电流密度，从而节省了存储器件的功耗。
调控人工反铁磁自由自旋轨道随机存储器

[发明专利]一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件-CN200410030893.0无效
发明人：朱涛;彭子龙;詹文山 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-04-09 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件，该磁隧道结元件包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一引导层、一由两不同铁磁材料形成的复合铁磁层作为自由层、一绝缘层、一由两不同铁磁材料形成的复合铁磁层作为钉扎层、一反铁磁层、一保护层。通过调节复合铁磁层中的薄铁磁层的厚度可以连续可调复合铁磁层的自旋极化率，从而可以调控该元件的隧道磁电阻值；通过调节作为自由层的复合铁磁层中薄铁磁层的厚度可以连续可调该自由层的矫顽力，从而可以调节该元件的开关场大小
一种复合铁磁层磁电隧道元件

[发明专利]铁电调控人工反铁磁自由层的自旋转移矩磁随机存储器-CN202011575436.5有效
发明人：闵泰;周雨晴;周雪;李桃;郭志新 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明涉及铁电调控人工反铁磁自由层的自旋转移矩磁随机存储器。一种自旋转移矩磁随机存储器可包括多个存储单元，每个存储单元可包括：固定磁层；形成在所述固定磁层上的间隔层；形成在所述间隔层上的具有人工反铁磁结构的自由磁层，所述自由磁层包括：形成在所述间隔层上的第一磁层；形成在所述第一磁层上的非磁耦合层；以及形成在所述非磁耦合层上的第二磁层；以及形成在所述自由磁层上的铁电层。本发明通过铁电层导致的电荷转移及极化电场来调控自由层的人工反铁磁结构从反铁磁耦合转变到铁磁耦合，降低了写入过程所需的电流密度，从而节省了存储器件的功耗。
调控人工反铁磁自由自旋转移随机存储器

[发明专利]一种利用电压调控的频率可调微波振荡器-CN201810669197.6在审
发明人：赵巍胜;龙明直;曾琅;魏家琦 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种利用电压调控的频率可调微波振荡器，核心单元结构包括垂直磁化磁隧道结以及引出的三个端口；垂直磁化磁隧道结由下至上为“金属层/厚氧化层/自由铁磁金属层/薄氧化层/固定铁磁金属层”；固定铁磁金属层，自由铁磁金属层，金属层分别连接电极作为端口；“厚氧化层/自由铁磁金属层/薄氧化层/固定铁磁金属层”为微波发生器件，是产生微波输出信号的核心单元，自由铁磁金属层磁矩可产生高频进动，且具有较强的压控磁各向异性可通过隧道结电流及加在自由铁磁金属层上的电压对微波输出信号的功率及频率分别进行调控，具有更高的实用性。
金属层自由铁磁固定铁磁磁化微波输出信号微波振荡器薄氧化层磁隧道结电压调控核心单元厚氧化层频率可调隧道结垂直微波发生器件磁各向异性高输出功率连接电极磁矩进动调控保证

[发明专利]磁盘记录系统和双磁电阻读传感器-CN00129074.6无效
发明人：哈德亚尔·S·基尔;布鲁斯·A·格内 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1996-08-20 - 公布日： 2001-08-29 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种双磁电阻读传感器,其第一自旋阀结构包括第一铁磁自由层;含有经反铁磁耦合层隔开的两层铁磁材料的第一铁磁钉扎层;第一非磁性导电间隔层,位于上述自由层和钉扎层之间;第一层反铁磁材料,与第一钉扎层中的第二层铁磁材料直接接触;第二自旋阀结构包括第二铁磁自由层;第二铁磁钉扎层;第二非磁性导电间隔层,位于第二自由层和第二钉扎层之间;第二层反铁磁材料,与第二钉扎层直接接触;非磁性绝缘间隔层,位于第一自旋阀结构与第二自旋阀结构之间
磁盘记录系统磁电传感器

[发明专利]具有改善的灵敏度和线性度的磁传感器-CN201610264985.8在审
发明人：韩秀峰;黄黎;吴昊;袁忠辉;万蔡华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及具有改善的灵敏度和线性度的磁传感器。一种磁传感器可包括：第一人工反铁磁结构，包括：第一铁磁层；设置在所述第一铁磁层上的第一耦合层；以及设置在所述第一耦合层上的第二铁磁层，其中所述第一耦合层使所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间形成反铁磁耦合；设置在所述第二铁磁层上的第一间隔层；以及设置在所述第一间隔层上的自由磁层，所述自由磁层的磁矩能随外磁场而自由旋转，其中，所述第一铁磁层的磁矩大于所述第二铁磁层的磁矩。
具有改善灵敏度线性传感器

[发明专利]磁存储器-CN202010057668.5在审
发明人：赵巍胜;熊丹荣;彭守仲 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种磁存储器，包括：第一反铁磁层，用于提供交换偏置场；插入层，设置在反铁磁层上，用于阻挡退火过程中第一反铁磁层的材料的扩散；自由铁磁层结构，设置在插入层上；第一势垒层，设置在自由铁磁层结构上；参考铁磁层结构，设置在第一势垒层上，具有固定的磁化方向；其中，自由铁磁层结构的磁化方向与参考铁磁层结构的磁化方向平行或反平行。
磁存储器

[发明专利]磁电随机存储单元及具有其的磁电随机存储器-CN201110200577.3有效
发明人：南策文;胡嘉冕;李峥;舒立;林元华 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提出一种磁电随机存储单元，包括：底电极层；形成在底电极层之上的铁电氧化物层；形成在铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在铁磁自由层之上的隔离层；和形成在隔离层之上的铁磁固定层，其中，铁磁自由层、隔离层和铁磁固定层构成具有磁阻效应的夹层结构，铁磁自由层和底电极层分别作为铁电氧化物层的上下电极而对铁电氧化物层施加电场，其中电场的方向垂直于铁电氧化物层，铁电氧化物层在电场的作用下通过磁电耦合控制铁磁自由层中磁化方向转动以使得夹层结构的电阻变化
磁电随机存储单元具有存储器

[发明专利]具有垂直各向异性和增强层的磁性隧穿结单元-CN201110352579.4无效
发明人：丁元俊;Y·郑;Z·高 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及具有垂直各向异性和增强层的磁性隧穿结单元，其包括：铁磁自由层；具有至少约厚度的增强层；氧化物阻挡层；以及铁磁基准层，其中所述增强层和所述氧化物阻挡层位于所述铁磁基准层和铁磁自由层之间，且所述氧化物阻挡层相邻于所述铁磁基准层，且其中所述铁磁自由层、所述铁磁基准层和所述增强层均具有平面外的磁化方向
具有垂直各向异性增强磁性隧穿结单元

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