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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种具有纳米尺寸的钨塞小电极相变存储器件制备方法-CN202010855149.3有效
发明人：刘成;郑勇辉;成岩;齐瑞娟;黄荣 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有纳米尺寸的钨塞小电极相变存储器件制备方法。选用预加工的填充有钨塞的氧化硅衬底，根据氧化硅与钨塞刻蚀的速率差异，采用聚焦离子束刻蚀的方法得到具有更小的纳米尺寸的钨塞小电极钨塞。采用物理气相沉积方法在钨塞上层依次沉积相变材料和电极材料层，利用聚焦离子束系统在W塞正上方沉积更小尺寸钨硬掩膜，采用反应离子刻蚀方法刻蚀硬掩模周围的的相变材料和电极材料层，再沉积介质层包覆整个器件单元，
一种具有纳米尺寸钨塞小电极相变存储器件制备方法

[发明专利]一种钨塞阻挡层淀积工艺及其结构-CN200410067835.5无效
发明人：缪炳有 -专利权人：上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2004-11-04 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种钨塞阻挡层淀积工艺及其结构。通常情况下，通孔钨塞的制成次序是：先淀积阻挡层金属TiN，然后淀积钨，最后用回刻或W CMP除去多余的W和TiN，只留下通孔中的W和TiN。但当通孔尺寸减小到0.18微米或以下的工艺条件下，由于通孔尺寸小，光刻和刻蚀过程中容易出现通孔和下层金属线位错或对不准，从而导致通孔电阻偏高或均匀性变差。本发明采用Ti/TiN作为钨塞阻挡层，既满足了覆盖率，又满足了钨塞的填孔性。这样，其互连通孔结构由Ti、TiN和后钨塞组成。实验结果证明采用Ti/TiN作为钨塞阻挡层效果很好，提高了通孔互连的可靠性。
一种阻挡层淀积工艺及其结构

[发明专利]检测钨塞化学机械抛光工艺的测试结构-CN200710171605.7有效
发明人：邓永平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种检测钨塞化学机械抛光工艺的测试结构，其中，该测试结构包括多个模块，其上分布有钨塞，钨塞大小相同，每个模块上钨塞分布的密集度不同。所述结构中每个模块的面积相等，钨塞之间的间隔依次增大，每个模块上的钨塞个数依次减少，每个模块上钨塞密度不同。将钨塞划分为钨塞组，通过改变钨塞组的分布改变每个模块钨塞的分布密集度，每个模块上钨塞组分布的密集度不同。与现有技术相比，本发明提供的测试结构可以更清晰地看到侵蚀、边缘过侵蚀与钨塞密度、面积大小的关系，并且同时提供了对凹陷、钨清除能力的检测。
检测化学机械抛光工艺测试结构

[发明专利]在化学机械研磨过程中防止钨塞凹陷缺陷的方法-CN200910247326.3无效
发明人：江志琴 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种在化学机械研磨过程中防止钨塞凹陷缺陷的方法，该方法包括：在半导体器件的层间介质层制作钨塞；在不透明的封闭的化学机械研磨设备中，采用化学机械研磨方式研磨半导体器件钨塞之外的金属层钨，并且使得所制作的钨塞和层间介质层表面平齐本发明提供的方法防止了钨塞凹陷缺陷。
化学机械研磨过程防止凹陷缺陷方法

[发明专利]防止钨插塞腐蚀的方法-CN200910197374.6无效
发明人：王心 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种防止钨插塞腐蚀的方法，包括：提供形成有钨插塞的半导体衬底，所述的钨插塞与形成在钨插塞上但并未完全覆盖钨插塞的金属导线互连，采用弧光或紫外光照射所述金属导线，至消除所述金属导线上的正电荷。采用所述的防止钨插塞腐蚀的方法，由于采用弧光或者紫外光照射的方法，去除了金属导线上的正电荷，因此，在随后的清洗工艺中，避免了金属导线和钨插塞上的电势差，避免了电化学反应的发生，避免了钨插塞被腐蚀。
防止钨插塞腐蚀方法

[发明专利]改善研磨颗粒残留的方法-CN200810203805.0有效
发明人：潘继岗;王亦磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提出一种改善研磨颗粒残留的方法，包括：研磨接触孔密度低的第一晶圆至形成钨插塞，......研磨接触孔密度低的第n-1晶圆至形成钨插塞；研磨带有金属钨层的控片；研磨接触孔密度高的第n晶圆至形成钨插塞，......研磨接触孔密度高的第m-1晶圆至形成钨插塞；以此类推直至整批的晶圆全部研磨完成；在晶圆表面用化学试剂浸泡，进行研磨清洗。本发明提高了钨插塞的电性能。
改善研磨颗粒残留方法

[发明专利]多层布线铝互连工艺方法、铝线互连通孔及半导体产品-CN201110404077.1无效
发明人：张国伟;陈建国 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层布线铝互连的工艺方法、铝线互连的通孔及半导体产品，其中方法包括：对已在接触孔中形成钨塞的晶片进行钨回刻，去除接触孔之外的金属钨；所述钨塞连通下层金属铝；在经过钨回刻的晶片表面溅射导通材料层铝线互连通孔的结构包括：下层金属铝、钨塞、金属钛层和上层金属铝。本发明在钨回刻步骤之后增加溅射金属钛层的步骤，由于作为导通材料层例如金属Ti层的阶梯覆盖率较高，与钨塞和上层金属铝之间的粘附性较好，提高了上下铝金属互连通孔的可靠性，有效地降低了上层和下层铝金属的接触电阻，钨塞的导通电阻由此变的更为稳定。
多层布线互连工艺方法半导体产品

[发明专利]半导体装置的配线结构和形成所述配线结构的方法-CN200810005304.1无效
发明人：许元九;朴栋均;朴济宪;曹永周;罗圭泰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-01-30 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体装置的配线结构，所述半导体装置的配线结构包括绝缘间层、插塞和导电图案。绝缘间层在基板上具有穿过其的开口。插塞包括钨并填充开口。插塞通过利用源气体的反应的沉积过程而形成。导电图案结构与插塞接触，并且包括第一钨层图案和第二钨层图案。第一钨层图案通过沉积过程形成。第二钨层图案通过物理气相沉积(PVD)过程形成。
半导体装置结构形成述配线方法

[发明专利]插塞结构的制作方法和插塞结构-CN200810204556.7有效
发明人：杨瑞鹏;保罗;胡宇慧;苏娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种插塞结构的制作方法和插塞结构，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上具有半导体器件层和半导体器件层上的具有通孔的金属前介质层；在包括通孔内部的金属前介质层的表面上形成钨种子层；在所述钨种子层上形成钨诱导层，所述钨诱导层的晶粒尺寸大于所述钨种子层；在所述钨诱导层上形成钨膜层，该钨膜层将通孔内部填充；平坦化通孔外的金属前介质层的表面，形成插塞结构。所述方法形成钨膜层之前，先在钨种子层之上形成具有较大晶粒尺寸的钨诱导层，而后再在钨诱导层上形成的钨膜层也具有较大的晶粒尺寸，因而晶界较少，对电子运动的散射减少，能够提高电子迁移率，降低电阻率，无须后续的退火工艺便能够形成具有较低电阻的钨插塞
结构制作方法

[发明专利]钨互连方法-CN200910054437.2无效
发明人：吴永玉;陈建奇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-06 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨互连方法，在有源区之上沉积介质层后，在介质层上形成目标通孔，并采用蚀刻工艺形成一个以上辅助通孔；沉积金属钨覆盖所有的目标通孔、辅助通孔和介质层表面；采用化学机械研磨CMP工艺将金属钨抛光至介质层表面，在目标通孔中形成目标钨塞，在辅助通孔中形成辅助钨塞；在目标钨塞上形成第一层金属连线。采用该方法可避免对钨塞造成侵蚀。
互连方法

[发明专利]一种去除通孔钨塞脱落缺陷的方法-CN201711127736.5在审
发明人：徐杰;李志国;袁力 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种去除通孔钨塞脱落缺陷的方法，包括执行步骤S1提供硅基衬底，并在硅基衬底上之层间介质层内设置通孔；执行步骤S2在所述通孔内沉积通孔钨塞；执行步骤S3对设置通孔钨塞的晶圆进行旋转法湿式清洗。本发明通过对设置通孔钨塞的晶圆进行旋转法湿式清洗，不仅可以有效的避免通孔钨塞脱落缺陷，而且工艺简单，操作方便，具有成本低等优点，值得业界推广使用。
一种去除通孔钨塞脱落缺陷方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201611040773.8有效
发明人：许谢慧娜;曾笑梅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：基底，在所述基底中形成有钨插塞；部分位于所述钨插塞上的金属导线，所述金属导线与所述钨插塞之间形成有衬垫层。与现有工艺相比，本发明提出的半导体器件，可避免其中的钨插塞发生金属原电池腐蚀，有效提高器件的良率和可靠性。
半导体器件钨插塞金属导线基底衬垫层原电池良率制造腐蚀金属

[发明专利]半导体器件中互连层和接触孔层的形成方法-CN202011477797.6在审
发明人：张文广;朱建军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件中互连层和接触孔层的形成方法，包括提供一含有互连线层结构的衬底，在衬底上形成介质层；对介质层进行标准光刻刻蚀工艺，形成图形化后的通孔层；采用选择性钨沉积工艺对通孔层进行钨沉积，在通孔层中形成通孔钨塞；对通孔层表面进行压应力工艺，以增加介质层中介质和通孔钨塞侧壁之间的压应力；依次沉积TiN粘附层和金属钨层，以在通孔层形成通孔钨塞覆盖层；对通孔钨塞覆盖层进行钨化学机械平坦化工艺，以形成平坦化的通孔层。因此，本发明通过提高氧化硅薄膜压应力以增强钨和侧壁的氧化硅介质层粘结，解决了7nm及以下节点钴缺失的问题，且工艺简单。
半导体器件互连接触形成方法

[发明专利]导电插塞结构及其形成方法-CN201510736229.6在审
发明人：张冠群;何朋;蒋剑勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种导电插塞结构及其形成方法，其中方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成接触孔；形成填充满所述接触孔的钨导电层，所述钨导电层包括至少两层层叠的钨导电单元层，所述钨导电单元层为钨成核层和位于钨成核层表面的钨体层所述导电插塞的形成方法提高了钨导电层填充接触孔的能力。
导电结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件的钨塞形成方法-CN96123321.4无效
发明人：朴相勋 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-11-15 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的钨塞形成方法。在接触孔内形成钨塞之后，通过氧化使存在于除接触孔之外的部位上的钨渣氧化并去除掉。
半导体器件形成方法

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