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[发明专利]一种钛酸锶/钛酸铅单晶异质结复合材料及其制备方法-CN201711086356.1在审
发明人：任召辉;武梦姣;沈烨婷;韩高荣;沈鸽 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种SrTiO3/PbTiO3单晶异质结复合材料及其制备方法。该方法是以硝酸锶(Sr(NO3)2)、钛酸四正丁酯(TBOT)和钛酸铅(PbTiO3)纳米片作为主要原料，氢氧化钠(NaOH)作为矿化剂，通过调配各项原料物质的量，采用水热法实现SrTiO3/PbTiO3单晶异质结复合材料的合成。
一种钛酸锶钛酸铅单晶异质结复合材料及其制备方法

[发明专利]一种多铁异质结及其制备方法-CN201810374202.0在审
发明人：钟高阔;安峰;李奥林;谭锐;谢淑红;钟向丽;王金斌 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种多铁异质结，从下至上依次包括钛酸锶衬底、钌酸锶底电极层、钛酸钡铁电层和四氧化三铁磁性纳米柱阵列。本发明以钛酸钡为铁电层，四氧化三铁为磁性纳米柱阵列，形成的多铁异质结具有优异的铁电、铁磁性能。
四氧化三铁异质结磁性纳米柱铁电层钛酸钡自旋电子器件存储器磁化取向底电极层电场控制离子运动数据存储铁磁性能铁电极化电极翻转磁性能低功耗钌酸锶钛酸锶可逆衬底铁电制备调控

[发明专利]具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结及其制备方法-CN200910091646.4无效
发明人：崔益民;王荣明 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结，该p-n异质结由p型半导体材料铽锰氧TbMnO₃和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr_0.99Nb_{0.01本发明的铽锰氧p-n异质结是采用脉冲激光沉积方法制备得到，经该方法制得的p-n异质结在150K以上的温度范围内均表现出优异的二极管正向整流特性，在125K以下的温度范围内均表现出优异的二极管反向整流特性}
具有双向整流特性铽锰氧异质结及其制备方法

[发明专利]半导体和钛酸锶p－n结-CN01104459.4无效
发明人：吕惠宾;颜雷;戴守愚;陈正豪;周岳亮;陈凡;谈国太;杨国桢 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2001-02-27 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明涉及电子学领域，特别是涉及一系列新型p-n结。本发明提供的半导体和钛酸锶p-n结，其特征在于：n型和p型的半导体为掺杂的硅或锗或砷化镓；n型钛酸锶SrA_xTi_1-xO₃或Sr_1-xLa_xTiO₃，其中A是Nb或Sb或Ta；p型钛酸锶SrB_xTi_1-xO₃，其中B是In或Ga或Mn；X＝0.005～0.5；将该p型或n型钛酸锶与该n型或p型半导体进行叠层生长，制备半导体与钛酸锶p-n结、p-p结、n-n结、n-p-n结、p-n-p结。
半导体钛酸锶

[发明专利]一种基于铪酸钙材料的复杂氧化物场效应晶体管-CN201910261407.2有效
发明人：谢燕武;张蒙;任天爽;陈峥 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铪酸钙材料的复杂氧化物场效应晶体管。钛酸锶衬底上的中间形成凹槽作为导电通道，导电通道以外的钛酸锶衬底上表面沉积形成绝缘的氧化物材料，氧化物材料上表面和导电通道中通过激光脉冲沉积方式外延生长极薄的铪酸钙从而形成铪酸钙介电材料，铪酸钙介电材料和钛酸锶衬底之间的界面处会形成具有二维电子气的异质结
一种基于铪酸钙材料复杂氧化物场效应晶体管

[发明专利]一种用于净化空气中有机气体污染物及抑菌的Z型异质结光热催化剂-CN202110707591.6有效
发明人：芮泽宝;陈佳怡;郭小敏 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于净化空气中有机气体污染物及抑菌的Z型异质结光热催化剂，由铜的氧化物、银、钛酸锶或二氧化钛组成，其光生电荷呈现Z型传递路径。该异质结催化剂不仅能通过光热协同催化氧化作用净化室内甲醛、甲苯等有机气体污染物，还将银、铜的氧化物的化学消杀抗菌性与光催化抗菌性结合使其具有优异的抗菌性能。
一种用于净化空气有机气体污染物型异质结光热催化剂

[发明专利]一种开路电压连续可调的肖特基结及其制备和应用-CN202111222870.X在审
发明人：仇杰;刘国珍;高炬 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体电子材料技术领域，具体涉及一种开路电压连续可调的肖特基结及其制备和应用，该开路电压连续可调的肖特基结，包括钛酸锶衬底和设在所述钛酸锶衬底上的La0.7Sr0.3MnO3(LSMO层)，所述LSMO层的表面部分覆盖有钛酸锶钡层，所述钛酸锶钡层的表面部分覆盖有金属电极；所述钛酸锶钡层的材质为锰掺杂钛酸锶钡，通式为Ba0.6Sr0.4Ti1‑xMn本发明肖特基结在锰掺杂浓度在0‑1.5mol％皆表现出良好的I‑V调制特性，特别是该肖特基结的开路电压可以被锰掺杂含量连续调控，这种肖特基结具有结构简单、性能优良且易于制备的优点，并且为肖特基二极管在高开路电压下的应用方面提供了材料和器件基础
一种开路电压连续可调肖特基结及其制备应用

[发明专利]一种钛酸铋-氧化钛异质结纳米材料的制备方法及其应用-CN201310429276.7无效
发明人：王玉萍;杨维本;任建坤 -专利权人：南京师范大学
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种钛酸铋-氧化钛异质结纳米材料的制备方法，以及利用该钛酸铋-氧化钛异质结纳米材料制备膜电极用于光电催化处理压载水中的细菌的方法，采用本发明的工艺制备钛酸铋-氧化钛异质结纳米材料，合成温度低，制备工艺简单；应用钛酸铋-氧化钛异质结纳米材料制备膜电极，制备方法简单，膜电极稳定性较好，并且电极可重复使用；利用光电催化技术将膜电极应用于压载水灭菌领域，设备简单，除菌时间短、效率高，所需外加电压小，
一种钛酸铋氧化钛异质结纳米材料制备方法及其应用

[发明专利]一种水转移铁电薄膜硅基波导调制器-CN202211319493.6在审
发明人：王俊嘉;陶梦雪;董国华 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：以钛酸钡材料为例，水转移法是通过将生长的铝酸锶/钛酸锶异质结浸入去离子水中溶解铝酸锶层以获得钛酸钡层，再转移到硅基波导调制器上。目前已有的钛酸钡硅基波导调制器多是基于在氧化层钛酸锶上外延沉积钛酸钡的方法制备钛酸钡，对比于现有的氧化缓冲层制备钛酸钡薄膜的方法，采用水转移的方法可以制备得到具良好铁电性和外延性、优异的柔韧性的高质量钛酸钡薄膜并使其无损转移到衬底上
一种转移薄膜基波调制器

[发明专利]具有交换偏置效应和电致阻变效应的异质结及其制备方法-CN201410542348.3有效
发明人：张铭;魏纪周;邓浩亮;楚上杰;杜敏永;严辉;宋雪梅;王波;王如志;侯育冬;朱满康;汪浩 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明属于磁性材料领域，提供一种具有交换偏置效应的铁磁/反铁磁异质结，以La0.7Sr0.3MnO3作为铁磁层及底电极层，掺杂有Ba、Ca、Sr、Pb中的一种或多种的BiFeO3作为反铁磁层，钙钛矿结构的铝酸镧、钛酸锶或镓酸钕单晶为衬底。本发明还提出所述铁磁/反铁磁异质结的制备方法。
异质结电阻状态反铁磁电致偏置铁磁制备磁性材料领域钙钛矿结构耐疲劳性能底电极层多次测量反铁磁层曲线分析剩余极化铝酸镧铁磁层铁电性钛酸锶镓酸钕变性衬底单晶交换掺杂

[发明专利]钛酸锶锂/二氧化钛异质结光催化剂及制备方法与应用-CN202211463213.9有效
发明人：王艳;张超;张宝仲;郝敬瑞;牛忠华;秋淑娟;郭绪光;郝彦海;王世杰 -专利权人：山东环投环境工程有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： B01J23/04 文献下载
摘要：本发明属于光催化析氢技术领域，涉及钛酸锶锂/二氧化钛异质结光催化剂及制备方法与应用。>2TiO3；将C球@H2TiO3制成C液；将氢氧化锶和氢氧化锂加入至去离子水中溶解获得本发明将钛酸锶锂与TiO2相结合，构建异质复合材料可以促进电荷分离，抑制复合速率，并且使得材料具有较小的带隙，有助于增强复合材料对可见光的光吸收能力以及光稳定性
钛酸锶锂氧化钛异质结光催化剂制备方法应用

[发明专利]一种制备具有有序表面结构的镧钙锰氧薄膜的方法-CN99125425.2无效
发明人：赵柏儒;彭海兵;龚伟志;谢中;林媛;郝昭;许波 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 1999-12-08 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：利用镧钙锰氧薄膜与钛酸锶基片热膨胀系数的差异，通过对激光溅射参数、沉积温度及热处理温度等因素的调控，使镧钙锰氧薄膜表面形成有序微裂纹结构，从而在薄膜表面诱导纳米尺度颗粒的有序分布，并实现对裂纹宽度及密度的控制这种有序结构增强了镧钙锰氧薄膜在低磁场下磁电阻效应，也便于进行异质结的研究。本发明工艺简单可靠，易于控制，样品重复性好，在异质结和半导体的研究中可推广应用。
一种制备具有有序表面结构镧钙锰氧薄膜方法

[发明专利]一种铁酸铋/钛酸铅单晶异质结的制备方法-CN201611113463.4有效
发明人：韩高荣;李玮;任召辉;李铭;沈烨婷;沈鸽 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开一种铁酸铋/钛酸铅单晶异质结的制备方法。本发明采用二次水热法首次制得了铁酸铋/钛酸铅单晶异质结。该方法采用的是水热反应，以九水合硝酸铁、五水合硝酸铋作为主要原料，氢氧化钾作为矿化剂，钛酸铅纳米片作为铁电基板，室温下强力搅拌，然后将其在高温下进行水热处理，得到铁酸铋/钛酸铅单晶异质结。本发明工艺过程简单，易于控制，无污染，成本低，易于规模化生产；制备的产品形成了高质量的异质结界面，并获得了良好的界面铁磁性，在信息存储、自旋电子器件、传感器等领域具有广泛的潜在应用前景。
钛酸铅单晶铁酸铋异质结制备九水合硝酸铁五水合硝酸铋自旋电子器件规模化生产异质结界面产品形成工艺过程强力搅拌氢氧化钾水热处理水热反应信息存储二次水矿化剂纳米片铁磁性铁电基钛酸铅传感器热法应用

[发明专利]氧化铟与钛酸镧异质结光催化剂及其制备方法-CN202111274927.0有效
发明人：王鹏飞;任芝军;董怡琳;张光明;吕龙义;刘晓阳;高文芳 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B01J23/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟与钛酸镧异质结光催化剂及其制备方法，制备方法包括以下步骤：将纳米氧化铟、硝酸镧和水混合均匀，再加入硝酸钛，混合均匀，滴入氢氧化钠水溶液，混合均匀，于230～250℃水热反应23～25h，过滤，洗涤过滤所得沉淀物，烘干，得到所述氧化铟与钛酸镧异质结光催化剂，本发明的制备方法具有原料种类少，廉价易得，绿色环保等优点，得到的氧化铟与钛酸镧异质结光催化剂光催化活性高，对环丙沙星的降解率可达93.6％，同时具有良好的光稳定性，在经过5次循环试验后氧化铟与钛酸镧异质结光催化剂依然保持较高的光催化降解活性。
氧化钛酸镧异质结光催化剂及其制备方法

[发明专利]一种二氧化钛-钨酸铋异质结型光催化剂及其降解果汁中展青霉素的应用-CN202310248403.7在审
发明人：彭帮柱;郑掂;李二虎 -专利权人：华中农业大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01J23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化钛‑钨酸铋异质结型光催化剂及其降解果汁中展青霉素的应用。该方法首先采用硝酸铋和钨酸钠反应形成钨酸铋前驱体，然后加入二氧化钛进行复合，使钨酸铋原位生长于二氧化钛表面，形成二氧化钛‑钨酸铋异质结型光催化剂。本发明使用一锅水热法，工艺方法简单，构建的异质结型催化剂用于降解果汁中展青霉素时，相比于钨酸铋和二氧化钛单体，复合催化剂的光催化活性显著提高。
一种氧化钨酸铋异质结型光催化剂及其降解果汁青霉素应用