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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种可见光驱动的氧化石墨烯/铑-钛酸锶复合全解水光催化剂的制备方法-CN202310386982.1在审
发明人：张帅;吴季;刘忠桓;闫研;闫永胜 -专利权人：江苏大学
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B01J23/58 文献下载
摘要：本发明属于光催化技术领域，公开了一种可见光驱动的氧化石墨烯/铑‑钛酸锶复合全解水光催化剂的制备方法。将氯化锶、氯化铑、水，第一次搅拌后，加入钛酸四丁酯，然后加入氢氧化钠，第二次搅拌后，加入氧化石墨烯，之后，将高压釜从室温加热到反应温度，反应完成后，洗涤，干燥，得到氧化石墨烯/铑‑钛酸锶前体粉末，退火，得到氧化石墨烯/铑‑钛酸锶粉末，并用于在可见光下全解水的用途。本发明通过构建石墨烯/钛酸锶异质结，极大地增强了钛酸锶对可见光的吸收，增加了对太阳光的利用率，同时提高了钛酸锶的导电性，从而提升了钛酸锶全解水性能。
一种可见光驱动氧化石墨钛酸锶复合水光催化剂制备方法

[发明专利]一种镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜制备方法-CN202210416790.6在审
发明人：王学锋;朱长征;刘汝新;张旭;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜制备方法，所述镧锰氧/铱酸锶异质结是采用脉冲激光沉积法制备，经过预处理好的基片放入真空腔室内加热到一定的温度，在一定的氧气压力条件下，利用脉冲激光轰击靶材产生的等离子羽辉沉积样品，首先沉积铱酸锶薄膜，沉积结束后进行原位退火，之后在相同条件下以相同步骤继续沉积镧锰氧薄膜，最后再原位退火后降温至室温。本发明制备的镧锰氧/铱酸锶异质结制备方法简单快捷，所制备的镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜具有明显的界面磁性，通过调节异质结中镧锰氧的厚度可以有效的对异质结的界面磁性进行调控，在自旋电子器件领域有着广阔的应用前景
一种镧锰氧铱酸锶异质结薄膜制备方法

[发明专利]一种p-n异质结光探测器-CN201010131670.9无效
发明人：王淑芳;陈明敬;傅广生;陈景春;何立平;于威;李晓苇 -专利权人：河北大学
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种p-n异质结光探测器，属于薄膜光探测器技术领域，所要解决的技术问题是提供一种在掺铌钛酸锶单晶基底上外延生长一层错配层钴氧化合物薄膜的p-n异质结光探测器，其技术方案是：它由掺铌钛酸锶单晶基底和错配层钴氧化合物薄膜组成，错配层钴氧化合物薄膜采用脉冲激光沉积技术或金属有机沉积技术外延生长在掺铌钛酸锶单晶基底上，在掺铌钛酸锶单晶基底和错配层钴氧化合物薄膜上各有一个采用热蒸发、磁控溅射或脉冲激光沉积技术沉积在基底和薄膜表面的电极
一种异质结光探测器

[发明专利]具有磁电阻特性的异质结材料-CN200510135499.8无效
发明人：吕惠宾;何萌;赵昆;黄延红;金奎娟;刘国珍;邢杰;陈正豪;周岳亮;杨国桢 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2005-12-31 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有磁电阻特性的新型异质结材料，包括在衬底上生长有掺杂锰氧化物层，在所述的掺杂锰氧化物层上生长的辅助层；在辅助层面上生长有掺杂锰氧化物层，掺杂锰氧化物层再生长辅助层，依次进行叠层；制备两种材料异质结磁电阻材料也可以把掺杂锰氧化物和钛酸锶与铝酸镧或钛酸锶与钛酸钡、或钛酸钡与铝酸镧的三种材料，进行周期性的交替叠层，制备三种材料的多层膜或超晶格结构的磁电阻异质结材料，其中掺杂锰氧化物层层厚为0.8nm～5μm，辅助层的厚度为上述异质结材料具有低场高灵敏度磁电阻特性，即使在室温也具有大于30％的磁电阻变化率，在磁记录、磁头和传感器等方面具有非常广泛的应用。
具有磁电特性异质结材料

[发明专利]一种SrTiO3-CN202010776810.1有效
发明人：张勇;蔡婧怡;吴玉程;张雪茹;崔接武;王岩;秦永强;舒霞 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B01J27/053 文献下载
摘要：本发明公开了一种SrTiO3/SrSO4/Pt的双异质结纳米材料的制备方法，具体步骤如下：利用去离子水、冰醋酸、无水乙醇作为溶剂硝酸锶、钛酸四丁酯分别作为锶源和钛源。加入的半胱氨酸不仅作为螯合剂，也用做硫源。先采用溶胶凝胶法制备出前驱体，然后在干燥箱内低温烘干48小时，研磨后在马弗炉中退火得到钛酸锶硫酸锶的复合粉末；最后通过光沉积法，在表面沉积上一层铂作为助催化剂，得到SrTiO3/SrSO4/Pt双异质结纳米材料。本发明的SrTiO3/SrSO4/Pt双异质结纳米材料具有多孔结构，具有较大的比表面积，可为光催化反应提供更多的活性位点
一种 srtio base sub

[发明专利]一种过渡金属氧化物p-n异质结及其制备方法-CN200810079980.3无效
发明人：王淑芳;何立平;陈明敬;于威;李晓苇;傅广生 -专利权人：河北大学
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种过渡金属氧化物p-n异质结，由p型导电材料铋锶钴氧Bi₂Sr₂Co₂O₈和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr本发明利用脉冲激光沉积方法在n型导电掺铌钛酸锶Sr_1-xNb_xTiO₃基底上外延生长一层高质量的p型导电铋锶钴氧Bi₂Sr₂Co₂O₈热电薄膜，从而构成了一种全新的过渡金属氧化物p-n异质结。该异质结在室温及室温以下很宽的温区内均表现出优异的二极管整流特性并能观测到结电阻受电流调制等特性，这些特性表明这种新型氧化物p-n异质结在电子学与电子技术工程方面具有应用前景。
一种过渡金属氧化物异质结及其制备方法

[发明专利]一种低漏电流半导体薄膜异质结及其制备方法-CN201410098676.9在审
发明人：黄文;杨骏珏;曾慧中;高关胤;郝建华 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种低漏电流半导体薄膜异质结及其制备方法，属于材料技术领域。该低漏电流半导体薄膜异质结是在GaAs基片上沉积铌掺杂的钛酸锶作为缓冲层，然后在缓冲层上沉积铁电氧化物薄膜，形成铁电氧化物/NSTO缓冲层/GaAs基底异质结薄膜结构，其中缓冲层NSTO和铁电氧化物薄膜均采用激光脉冲沉积法制备本发明制得的薄膜异质结有较低的界面态密度，良好的整流特性，较低的漏电流。
一种漏电半导体薄膜异质结及其制备方法

[发明专利]一种黑磷-二维电子气异质结忆阻器及其制备方法-CN202111006746.X在审
发明人：姜昱丞;马兴龙;高炬 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑磷‑二维电子气异质结忆阻器及其制备方法，该忆阻器从下至上依次为钛酸锶衬底、二维异质结、金属电极、保护层及导线，其制备方法主要包括以下步骤：机械剥离减薄黑磷、光刻、磁控溅射金电极、光刻、离子束轰击制备二维电子气、涂覆保护层、焊接导线，得到由黑磷作为P端、二维电子气作为N端的异质结忆阻器。由黑磷与钛酸锶衬底表面的二维电子气构成的二维异质结在其界面处具有铁电性，使其内电势可被外界施加的激发电压所调控，由该异质结构筑的忆阻器可通过控制外加电压调节电阻，且其电阻表现出非易失性的变化，在10
一种黑磷二维电子气异质结忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种异质结、铁电隧道结及其制备方法和应用-CN201310258989.1有效
发明人：杨锋;胡广达;武卫兵;杨长红;吴海涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结，包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结，包括上述异质结，所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极，异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层，异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长，表现出了稳定的极化翻转特性，制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度，从而大大提高了隧道电阻。
一种异质结隧道及其制备方法应用

[发明专利]一种锶-二氧化钛/钛酸锶纳米异质结及其制备方法和应用-CN201710111797.6有效
发明人：卢小泉;王秋红;贺彩花;李洋;王彩荷;权晶晶 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： B01J23/10 文献下载
摘要：本发明提供一种锶‑二氧化钛/钛酸锶纳米异质结的制备方法，是以TiO₂纳米片和Sr(NO₃)₂·8H₂O为原料，在去离子水中发生水热反应后得到的本发明还提供应用该方法制备得到的Sr‑TiO₂/SrTiO₃纳米异质结及其应用。Sr²⁺的掺杂改善了TiO₂/SrTiO₃的光电化学性能，Sr‑TiO₂/SrTiO₃纳米片异质结材料在光催化分解水方面有着良好的应用
一种氧化钛酸锶纳米异质结及其制备方法应用

[发明专利]一种氧化锶钛晶体管的制作方法-CN201810731512.3在审
发明人：刘程秀 -专利权人：刘程秀
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化锶钛晶体管的制作方法即一种钛酸锶晶体管的制作方法，主要采用掺杂的N型和P型钛酸锶薄膜材料进行叠层外延在一起,形成P－N结,P－N－P结,N－P－N结和多结结构晶体管，其制作工艺简单,制作的晶体管结面更锐,稳定性好,故钛酸锶晶体管将成为一种广泛应用的电子器件,还可能发展成为钛酸锶集成电路。
钛酸锶晶体管晶体管制作结构晶体管钛酸锶薄膜电子器件氧化锶钛制作工艺掺杂的钛酸锶叠层多结集成电路应用

[发明专利]一种SrTiO3/CdS异质结材料的制备方法和用途-CN201510365058.0有效
发明人：施伟东;吴国玲;罗必富;陈继斌 -专利权人：江苏大学
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料合成技术领域，特指一种SrTiO3/CdS异质结材料的制备方法和用途。该方法以氢氧化锶，P25，氢氧化钾，乙酸镉，硫脲为原料，利用两步水热法制得可见光响应的纳米立方块钛酸锶包裹球形硫化镉复合光催化材料。本发明制备的异质结构SrTiO3/CdS可以作为光催化材料用于在可见光下降解抗生素。
一种 srtio sub cds 异质结材料制备方法用途

[发明专利]钛酸锶晶体管-CN00100366.6无效
发明人：吕惠宾;戴守愚;陈凡;赵彤;陈正豪;周岳亮;王焕华;何萌;杨国桢 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2000-01-19 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明将掺杂的n型和p型钛酸锶薄膜材料进行叠层外延在一起，形成p-n结、p-n-p结、n-p-n结或多结结构，构成钛酸锶晶体二极管、三极管、多基极三极管或多发射极三极管。本发明提供的钛酸锶晶体管工艺简单，结面更锐，稳定性好，故钛酸锶晶体管将成为一种广泛应用的电子器件，亦可发展成为钛酸锶集成电路。
钛酸锶晶体管

[发明专利]一种钛酸锶表面电子气PN结的制备方法-CN201911061487.3在审
发明人：姜昱丞;贺安鹏 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶表面电子气PN结的制备方法，属于材料技术领域。本发明在钛酸锶基片表面沉积或粘贴P型材料，利用光刻技术将P型材料表面的部分面积用光刻胶覆盖，用离子束将未被光刻胶覆盖的P型材料全部刻蚀掉后，再经刻蚀钛酸锶衬底使其表面形成钛酸锶表面电子气，最后用丙酮、酒精、去离子水去除光刻胶后，即可获得钛酸锶表面电子气与P型材料的PN结。本发明提供了一种简易、普适性的方法用于构建钛酸锶表面电子气与P型材料的PN结。
一种钛酸锶表面电子 pn 制备方法

[发明专利]一种柔性磁电异质结及其制备方法-CN201911358469.1有效
发明人：刘明;周子尧;胡忠强;郭筠婷;赵亚楠;赵士舜 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种柔性磁电异质结及其制备方法，柔性钛酸钡铁电层、金属层和钽保护层；柔性钛酸钡铁电层、金属层和钽保护层从下至上依次设置；柔性钛酸钡铁电层包括钛酸锶SrTiO3衬底、铝酸锶Sr3Al2O6牺牲层和钛酸钡BaTiO3铁电层；本发明的一种金属与柔性铁电材料形成的复合磁电异质结可以得到柔性钛酸钡/金属磁电薄膜，克服了目前磁电复合结构大多都离不开衬底束缚和磁电耦合效应的提高受到衬底极大制约的问题。
一种柔性磁电异质结及其制备方法

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