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[发明专利]金属有机物化学气相沉积设备-CN201180072057.7无效
发明人：李寿英;金荣善;金晟泰;韩尚宪;金起成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备。根据本发明的MOCVD设备包括：反应腔室，其包括限定具有一定体积的内部空间的腔室主体和密闭地密封所述腔室主体以保持气密性的腔室盖；基座，其可旋转地设置在所述腔室主体内并且在上表面中具有用于容纳晶片的至少一个凹处
金属有机物化学沉积设备

[发明专利]集成有原子层沉积工艺的化学气相沉积方法及设备-CN201010022588.2无效
发明人：甘志银;王亮;朱海科 -专利权人：甘志银
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：集成原子层沉积技术的金属有机物化学气相沉积方法及设备，在金属有机物化学气相沉积过程中，通过脉冲喷射的方式引入化学反应气源，化学反应源气体和载气分别通过交替开关的气动阀，以脉冲方式喷射到衬底生长表面。至少包含一次生长循环，步骤为：1.化学反应源气体通过气动阀进行常规化学气相沉积工艺；2.化学反应源气体和载气经交替开启和关闭的气动阀对衬底脉冲喷射，原子层沉积生长；3.判断沉积生长是否完成，未完成进入下一轮沉积循环本发明的优点是克服现有的金属有机物化学气相沉积方法无法精确控制纳米级膜厚及组分等缺点，突破原子层沉积工艺中生长速度低的限制，实现现有金属有机物化学气相沉积设备无法达到超陡峭薄膜界面结构。
集成原子沉积工艺化学方法设备

[实用新型]便于清洁的金属有机物化学气相沉积设备中的石墨盘-CN201520931104.4有效
发明人：丁国建;张业民;刘佩;陈宇;张荣勤;宋京 -专利权人：天津中环新光科技有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：一种便于清洁的金属有机物化学气相沉积设备中的石墨盘，设有：石墨盘，该石墨盘的表面设有数个凹槽，凹槽之外的地方覆盖有预埋层，预埋层上覆盖有沉积层。本实用新型便于清洁的金属有机物化学气相沉积设备中的石墨盘，其能够将金属有机物化学气相沉积设备中的石墨盘进行干湿法处理，使处理后的石墨盘不仅表面更为干净，而且，大大缩短了高温烘烤时间，节省了大量电能。
便于清洁金属有机物化学沉积设备中的石墨

[发明专利]一种用于金属有机物化学气相沉积设备的冷却水板-CN201710883638.8有效
发明人：张虎威;管长乐 -专利权人：北京创昱科技有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明涉及金属有机物化学气相沉积设备技术领域，公开了一种用于金属有机物化学气相沉积设备的冷却水板，包括形成冷却水板框架的水冷板，所述水冷板的上表面包括热导层支撑部和设置在所述热导层支撑部周边的支撑框支撑部本发明用于金属有机物化学气相沉积设备的冷却水板能在满足晶片冷却均匀性的前提下，最大限度的提高对晶片温度的冷却效率，相应的提高了金属有机物化学气相沉积设备的产能。
一种用于金属有机物化学沉积设备冷却水

[发明专利]一种提高金属有机物化学气相沉积设备生产效率的炉外装片方法-CN201711085464.7在审
发明人：王建立;张义;马旺;王成新;肖成峰 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种提高金属有机物化学气相沉积设备生产效率的炉外装片方法，其特征在于，在金属有机物化学气相沉积设备外进行装片、再将整个托盘和衬底一起放入预装室，吹扫去除水氧、然后将托盘和衬底一起放入所述金属有机物化学气相沉积设备的反应室本发明所述方法不但克服了现有技术的多个难题，还使金属有机物化学气相沉积设备生产效率大大提高。通过超净工作台保证衬底表面的洁净度。
金属有机物化学气相沉积设备衬底吸笔超净工作台托盘生产效率装片镊子外装片放入小泵衬底表面旋转盖板装片操作反应室洁净度工作台吹扫去除水氧外置预装污染轴承印记保证生长改进

[发明专利]金属有机物化学气相沉积设备反应室中的反烘烤沉积结构-CN200410101886.5无效
发明人：刘祥林;焦春美 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：对于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备，特别是生产型金属有机物化学气相沉积设备，在生长完材料后烘烤石墨基座的过程中，反应室内沉积物特别是石墨基座上的沉积物受热蒸发上升，上升到反应室天棚时，由于温度差石墨沉积物会受冷再次沉积在天棚上这些天棚上的沉积物造成降低外延片质量，延长金属有机物化学气相沉积设备所需清洗和停机时间，以及浪费原材料等一系列不利影响。本发明提供一种反烘烤沉积结构，可以有效的避免由于烘烤石墨基座所造成的反应室天棚沉积。本发明减少了原材料在反应室天棚上的淀积，降低了原材料的损耗，并减少设备的停机时间，提高设备的使用效率。
金属有机物化学沉积设备反应中的烘烤结构

[发明专利]生长氮化铟单晶薄膜的方法-CN200710062979.5有效
发明人：王晓亮;肖红领;胡国新;杨翠柏;冉学军;王翠梅;张小宾;李建平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成核层上生长一层缓冲层，该缓冲层可减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；步骤4：采用金属有机物化学气相沉积技术在缓冲层上生长氮化铟单晶薄膜，该氮化铟单晶薄膜表面平整，晶体质量高。
生长氮化铟单晶薄膜方法

[发明专利]一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法-CN200810010104.5无效
发明人：梁红伟;杜国同;赵涧泽;孙景昌;边继明;胡礼中 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2008-01-13 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：一种Sb掺杂制备p型ZnO薄膜方法，属于半导体掺杂技术领域，本发明涉及p型ZnO的掺杂技术，特别涉及一种采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术利用有机源作为ZnO的p型掺杂剂的掺杂技术。其特征是采用锑的金属有机物做为p型ZnO的掺杂源，利用金属有机物化学气相沉积方法制备锑掺杂p型ZnO薄膜。在衬底温度为250℃～650℃时，通过调节锑的金属有机物与锌的金属有机物源的载气流量来控制锑掺入ZnO的比例进行p型ZnO的生长。本发明的效果与益处是提供一种可工业化生产移植的金属有机物化学气相沉积方法制备高质量、可控性强的p型ZnO的生长技术，克服p型ZnO掺杂的困难，进而实现ZnO的p－n结型光电器件。
一种 sb 掺杂制备 zno 薄膜方法

[发明专利]一种金属氧化物超导薄膜的制备方法-CN89101507.8无效
发明人：白国仁;陶卫;谢雷鸣;王蓉;宗家庭;章熙康;刘玉琼 -专利权人：中国科学院上海冶金研究所
申请日： 1989-03-16 - 公布日： 1990-09-26 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本发明是一种金属氧化物高温超导薄膜的制备技术。它用钇、钡、铜金属有机物或铋、锶、钙、铜金属有机物或铊、钙、钡、铜金属有机物作有机源，在改进的金属有机物化学气相沉积系统中，氧参与的情况下，以等离子激励，代替或增强热解反应，从而直接在单晶衬底片上沉积生长临界温度在液氮温区的光亮是一种兼有化学气相沉积和物理气相沉积氧化物超导薄膜优点的方法。
一种金属氧化物超导薄膜制备方法

[发明专利]在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法-CN200710063881.1无效
发明人：胡卫国;魏鸿源;焦春美;刘祥林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底，表面清洗后，放入金属有机物化学气相沉积设备的反应室中；步骤2：使用金属有机物化学气相沉积方法，在衬底上生长纳米棒的ZnO层，以用来限制后续生长GaN的二维生长；步骤3：用去离子水冲洗所生长的纳米棒的ZnO层，以清除表面的污染；步骤4：在反应室中，采用金属有机物化学气相沉积方法，使用纯N₂载气在冲洗后的纳米棒的ZnO层上生长GaN纳米晶层，纳米晶的尺寸取决于纳米棒的ZnO层的直径；步骤5：在反应室中，使用N₂+H₂混合载气刻蚀纳米棒的ZnO层，完成无支撑的GaN纳米晶层的生长
纳米氧化锌生长支撑氮化方法

[发明专利]一种氮化物材料的外延方法-CN200710304210.X无效
发明人：段瑞飞;王军喜;曾一平;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：包括：采用图形衬底或者应力释放层作为衬底；采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)模式生长成核层；采用氢化物气相外延(HVPE)模式生长铝镓铟氮(AlGaIn)N缓冲层；采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD
一种氮化物材料外延方法

[发明专利]一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱-CN201610045732.1有效
发明人：冯雅清 -专利权人：冯雅清
申请日： 2016-01-23 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，属于半导体设备制造技术领域。一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，包括中央支柱体、导流螺杆、O型圈、反应腔顶盖、进水管、出水管、上盖、排气窗和反应腔底座，其特征在于，所述中央支柱体外套有隔热外套。
一种金属有机物化学沉积设备中央支柱

[实用新型]一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱-CN201620066576.2有效
发明人：冯雅清 -专利权人：冯雅清
申请日： 2016-01-23 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，属于半导体设备制造技术领域。一种金属有机物化学气相沉积设备的中央支柱，包括中央支柱体、导流螺杆、O型圈、反应腔顶盖、进水管、出水管、上盖、排气窗和反应腔底座，其特征在于，所述中央支柱体外套有隔热外套。
一种金属有机物化学沉积设备中央支柱

[发明专利]金属有机物化学气相淀积设备反应室中的公转自转机构-CN200510072924.3无效
发明人：刘祥林;焦春美 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明金属有机物化学气相淀积设备反应室中的公转自转机构，涉及半导体设备制造领域，特别是涉及金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中的衬底基座旋转机构。该金属有机物化学气相淀积设备中的公转自转机构：(1)该反应室中的大石墨舟围绕一公共固定点公转，小石墨舟围绕各自中心点自转；(2)用电机带动衬底基座(大石墨舟)公转；(3)用电机带动衬底基座(小石墨舟)自转
金属有机物化学气相淀积设备反应中的公转自转机构

[发明专利]采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备ZnO晶须的方法及其装置-CN200310121111.X无效
发明人：张跃;袁洪涛;谷景华 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2003-12-15 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备ZnO晶须的方法及其装置，经该方法沉积出的ZnO一维晶须材料具有规整排列、定向生长、高密度的形貌特征；与传统金属有机物化学气相沉积的方法不同的是，该技术采用沿基片法向方向垂直沉积金属有机物，在垂直于基片的方向上形成一定的浓度梯度和温度梯度，使得材料在此方向上的生长速度较快，有利于一维晶须的形成和生长；制备得到的ZnO晶须阵列为圆柱状晶须阵列、长锥状晶须阵列、板条状晶须阵列；该装置中喷嘴装置可以同时进行三种不同的金属有机物掺混沉积，用来进行精确的组分掺杂或多组分体系化合物晶须的生长。
采用大气开放式金属有机物化学沉积制备 zno 方法及其装置

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