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[发明专利]半导体模块-CN200910118263.1无效
发明人：栗田洋一郎;副岛康志;川野连也 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：在该方法中，在支撑基片上形成金属层，然后在所述金属层上形成第一导电柱和第一绝缘层。所述第一绝缘层围绕所述第一导电柱的侧面。然后，在所述第一导电柱上方形成第二导电柱。所述第二导电柱与所述第一导电柱电连接。然后，形成第二绝缘层以覆盖所述第二导电柱。所述第二绝缘层由粘性树脂形成。最后，通过所述第二绝缘层将半导体装置粘接到所述第二导电柱，同时通过所述第二绝缘层密封所述第一半导体装置和所述第一绝缘层之间的间隙。在本发明中，支撑基片具有与第一半导体装置基本相同的热膨胀系数。
半导体模块

[实用新型]一种高压真空断路器-CN201820416696.X有效
发明人：完利松 -专利权人：衢州美电开关设备有限公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01H33/664 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高压真空断路器，包括真空灭弧室，真空灭弧室包括陶瓷管、顶盖和底盖，底盖的外侧设置有固定电极，固定电极的中部设置有固定导电柱，固定导电柱的顶部设置有静触头；真空灭弧室内固定导电柱的上方设置有套筒，套筒的底部设置有动触头，动触头与静触头接触，套筒内设置有可动导电柱，可动导电柱的上部伸出金属顶盖的顶部，可动导电柱位于金属顶盖上壁内侧与套筒上沿之间的部分设置有弹簧。
套筒高压真空断路器固定导电柱导电柱可动真空灭弧室固定电极金属顶盖静触头底盖本实用新型顶部设置动静触头良好接触外侧设置真空灭弧顶盖陶瓷管弹簧上壁伸出室内

[实用新型]一种导电螺栓-CN201320055774.5有效
发明人：余纪良;王亚东 -专利权人：宁波斯卡达汽车电器有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： F16B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种导电螺栓，包括由螺柱和螺帽组成的螺栓本体，所述的螺栓本体内靠近螺帽一端开有连通螺柱和螺帽的洞孔，洞孔内设置有导电材料；所述的螺柱和螺帽用金属铁材料制成，导电材料用金属铜材料制成；所述的螺栓本体外表面电镀有耐高温导电金属材料；所述的洞孔与螺栓本体同轴；所述的螺帽外设置有一层与导电材料连为一体的导电铜面；本实用新型的有益效果：实用，生产成本低，性价比高，使用方便，导电接触充分，导电性能好，不易变形、弯曲，耐用，延长了产品的使用寿命
一种导电螺栓

[发明专利]高深宽比的超结功率半导体结构及其制造方法-CN202011169438.4在审
发明人：朱袁正;周锦程;黄韵娜 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种高深宽比的超结功率半导体结构及制造方法，包括漏极金属、位于漏极金属上的第一导电类型单晶硅衬底及位于第一导电类型单晶硅衬底上的第一导电类型第一单晶硅外延层，在所述第一导电类型第一单晶硅外延层内设置第二导电类型柱，所述第二导电类型柱由掺杂了第二导电类型杂质的导电多晶硅形成，本发明能够消除第二导电类型柱内的填充间隙，增强填充性能，改善器件的漏电问题，提升器件的可靠性。
高深功率半导体结构及其制造方法

[实用新型]一种超结构功率半导体器件-CN202123266351.1有效
发明人：朱袁正;叶鹏;周锦程;杨卓 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率半导体技术领域，具体公开了一种超结构功率半导体器件，其中，包括：第一导电类型衬底、第一导电类型外延层以及第一导电类型柱和第二导电类型柱，第一导电类型柱和第二导电类型柱交替设置；第一导电类型源区和第二导电类型体区；第一类沟槽，内填充第一类导电多晶硅；第二类沟槽，内填充第二类导电多晶硅，第二类沟槽的一部分位于第一导电类型柱内，另一部分位于第二导电类型柱内；绝缘介质层；源极金属，设置在绝缘介质层的上方，源极金属通过绝缘介质层内的第一类通孔与第二导电类型体区、第一导电类型源区以及第二导电类型柱之间欧姆接触。
一种结构功率半导体器件

[发明专利]一种电力工程用户外变压器避雷装置及其安装方法-CN201911210461.0在审
发明人：王海伦;方建文;雷冬阁;冯颖姣;张盛 -专利权人：衢州学院
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01F27/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种电力工程用户外变压器避雷装置及其安装方法，包括箱体，所述箱体的上表面螺丝连接有第一陶瓷板，所述第一陶瓷板的上表面固定连接有第二陶瓷板；通过第二金属极板使电流的接触面积增大，并且通过设置两个第一导电柱和第二导电柱，将电流汇集导入到第一金属极板上，使得提高了收集雷电电流的作用，且第二导电柱将连接到第二金属网，第二导电柱、第一导电柱、第一金属网和第二金属网配合，形成两次对雷电电流的收集缓冲和防止电流外泄，通过第二陶瓷板与绝缘橡胶片的配合
导电柱陶瓷板金属网金属极板雷电电流上表面雷电户外变压器绝缘橡胶片避雷装置电力工程电流缓冲电流汇集供电不足螺丝连接面积增大渐变缓冲外泄配合

[实用新型]一种卷材运输中的静电消除装置-CN201620195414.9有效
发明人：喻伟伟 -专利权人：厦门鸣友数码科技有限公司
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H05F3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种卷材运输中的静电消除装置，其包括金属导电柱，金属导电柱的右端通过地线接头连接到地线，金属导电柱下端的左右两边均设有绝缘连接杆，两边的绝缘连接杆均通过旋转杆连接固定块，右端的固定块上设有旋转控制装置，右端的绝缘连接杆上还设有距离感应器，金属导电柱的上端设有安全指示灯。本实用新型的有益效果有：通过金属导电柱收集静电，然后通过接地线通到地面，结构简单，静电消除效果好；设有距离感应器，通过距离感应器感应静电消除装置与卷材之间的距离，然后通过旋转杆旋转来确保静电消除装置与卷材之间的距离恒定
一种卷材运输中的静电消除装置

[实用新型]一种电力工程用户外变压器避雷装置-CN201922115911.X有效
发明人：王海伦;方建文;雷冬阁;冯颖姣;张盛 -专利权人：衢州学院
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01F27/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电力工程用户外变压器避雷装置，包括箱体，所述箱体的上表面螺丝连接有第一陶瓷板，所述第一陶瓷板的上表面固定连接有第二陶瓷板；通过第二金属极板使电流的接触面积增大，并且通过设置两个第一导电柱和第二导电柱，将电流汇集导入到第一金属极板上，使得提高了收集雷电电流的作用，且第二导电柱将连接到第二金属网，第二导电柱、第一导电柱、第一金属网和第二金属网配合，形成两次对雷电电流的收集缓冲和防止电流外泄，通过第二陶瓷板与绝缘橡胶片的配合
一种电力工程用户变压器避雷装置

[发明专利]微带天线装置-CN201410641671.6有效
发明人：林磊;任丛林;李成成;李镇城;周悦 -专利权人：航天信息股份有限公司
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01Q13/08 文献下载
摘要：该装置主要包括：导电辐射贴片、金属匹配柱、天线激励探针、天线罩金属外壳，所述导电辐射贴片设置在所述微带天线装置的内部，所述金属匹配柱与导电辐射贴片天线相连接，位于所述导电辐射贴片和天线罩金属外壳的地线之间，所述天线激励探针与所述金属匹配柱连接，所述天线激励探针馈入天线信号。本发明实施例的微带天线装置提供了一种小型化且不易受周边环境影响的天线设计方案，通过设置金属匹配柱使得调试天线的输入阻抗的手段多样，易调试，可实现天线的小型化和多频带；减小了天线周边环境对天线本身性能的影响；可应用于复杂环境或者金属环境下。
微带天线装置

[发明专利]具有双重或多重蚀刻倒装芯片连接体的微电子封装和相应的制造方法-CN201180042853.6在审
发明人：贝勒卡西姆·哈巴 -专利权人：德塞拉股份有限公司
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：封装的微电子元件（900），可包括具有正面（909）的微电子元件（902）和复数个从正面延伸的第一实心金属突柱（916）。基板（901）可具有主表面（906）和复数个在主表面暴露且与第一实心金属突柱（916）接合的导电元件（912）。第一实心金属突柱（916）由多重蚀刻过程而形成，允许从单个金属层上形成单一的金属微触点或突柱，具有常规蚀刻过程中无法获得的间距、顶端直径和高度的组合。作为变例，从基板（921）顶面延伸的突柱（932）包括多重蚀刻的导电突柱，而从微电子元件（922）延伸的突柱（936）可为任意类型的导电突柱，或如另一变例，从基板（941）的顶面延伸的柱（952）及从微电子元件（942）的正面延伸的突柱（956）都包括多重蚀刻的导电突柱。
具有双重多重蚀刻倒装芯片连接微电子封装相应制造方法

[发明专利]MCM封装结构及其制作方法-CN202111138572.2在审
发明人：沈堂芹;潘效飞;陈建华;程智超;王衡 -专利权人：无锡华润安盛科技有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种MCM封装结构及其制作方法，MCM封装结构包括：引线框架、第一芯片、第一导电柱、第二导电柱、第一金属片、第二芯片、第二金属片以及塑封层；引线框架至少包括基岛、第一引脚、第二引脚以及第三引脚；第一芯片包括第一栅极、第一电极与第二电极，第一栅极连接于第一引脚，第一电极连接于基岛；第一导电柱的第一端连接于第二引脚；第二导电柱的第三端连接于第三引脚；第一金属片分别连接于第二电极与第一导电柱；第二芯片包括第二栅极、第三电极与第四电极，第四电极连接于第一金属片；第二金属片分别连接于第三电极与第二导电柱；塑封层暴露基岛、第一引脚、第二引脚以及第三引脚。
mcm 封装结构及其制作方法

[发明专利]一种晶体谐振器用陶瓷基座、晶体谐振器及其封装工艺-CN202210774785.2在审
发明人：刘永良;禹贵星;刘奇;张培然 -专利权人：瓷金科技（河南）有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：晶体谐振器用陶瓷基座包括板状座体，板状座体正面具有基座电极，板状座体反面具有金属焊盘，板状座体上设有贯通板状座体正反两面的导电柱，导电柱延伸至反面的金属焊盘，导电柱将基座电极与金属焊盘导电连通。不需要再通过导线从板状座体边缘位置绕到反面去与金属焊盘电连接，这样在将密封盖与陶瓷基座进行粘接时，密封盖从正面一侧将导电柱完全罩住，胶水就全部粘接在板状座体上，不存在与导电柱接触的部位，因此不会存在胶水在导线处粘接力弱的问题
一种晶体谐振器用陶瓷基座谐振器及其封装工艺

[发明专利]半导体器件及其布局方法-CN201510437337.3有效
发明人：周庭暐;吴文朗;陈启通;陈顺利;江庭玮;田丽钧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在一些实施例中，半导体器件包括第一有源区、第二有源区和导电金属结构。第二有源区与第一有源区分隔开。导电金属结构布置为连接第一有源区与第二有源区。导电金属结构包括第一支柱、第二支柱和主体。第二支柱与第一支柱分隔开且主体在第一支柱和第二支柱之间延伸并连接第一支柱和第二支柱。本发明涉及半导体器件及其布局方法。
半导体器件及其布局方法

[发明专利]动力电池顶盖-CN201510012692.6有效
发明人：蔡如来;李全坤;王鹏;邓平华;余鹏 -专利权人：宁德新能源科技有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01M2/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种动力电池顶盖，其包括：顶盖片；第一极柱，设置于顶盖片；第二极柱，设置于顶盖片并与顶盖片之间电绝缘；以及电阻构件，电连接于顶盖片和第一极柱；电阻构件包括：耐高温绝缘基体，位于顶盖片和第一极柱之间；以及耐高温金属层，设置于耐高温绝缘基体；其中，耐高温金属层与顶盖片和第一极柱电连接形成导电路径，所述导电路径通过顶盖片和第一极柱之间的耐高温绝缘基体。本发明的电阻构件通过设置于体积有限的耐高温绝缘基体的耐高温金属层，耐高温金属层与顶盖片和第一极柱电连接形成的导电路径通过耐高温绝缘基体，形成的电连接的路径为曲线路径，通过控制此导电路径能够实现控制电阻构件的电阻大小
动力电池顶盖

[实用新型]一种秤体面板穿接导电结构-CN201620851778.8有效
发明人：陶圣雄 -专利权人：深圳华大久康科技有限公司
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G01G19/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种秤体面板穿接导电结构，包括玻璃面板，所述玻璃面板上表面覆有相隔开的至少两片区域的导电膜层，所述玻璃面板的板体上开设有分别对应导电膜层每片区域的且直径不大于3mm的微孔，所述微孔内设有连接于导电膜层的导电柱本实用新型在玻璃面板上钻几个微小的通孔，微孔直接要控制在3mm之内，然后微孔内装入金属导电柱或注入金属锡，确保玻璃面板正反面是连通的之后，再在玻璃面板的上表面镀覆导电膜层，利用微孔内的金属导电柱将表面电极引致秤体的内部电路，从而实现导电功能。
一种体面板穿接导电结构