“金属互连”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1598841个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]金属互连方法-CN200910201492.X无效
发明人：宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属互连方法，该方法包括：在金属层之上依次沉积第一介质层和第二介质层；对第二介质层进行刻蚀，在第二介质层中形成沟槽；对第一介质层进行刻蚀，在第一介质层中形成通孔；沉积扩散阻挡层和铜籽晶层；采用电化学镀工艺ECP生长金属铜；金属铜的表面生成铜铝合金、铜锰合金或铜银合金。采用该方法能够克服电迁移损伤，且降低金属互连线的电阻。
金属互连方法

[发明专利]金属互连方法-CN201110105069.7无效
发明人：周俊卿;张海洋;王冬江;孟晓莹 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属互连方法，该方法包括：对介质层刻蚀，在所述介质层中形成沟槽；沉积金属铜，所沉积的金属铜填充于所述沟槽中，并覆盖在所述介质层表面，然后采用化学机械研磨CMP工艺将所述金属铜抛光至介质层的表面
金属互连方法

[发明专利]拓扑半金属互连-CN202180077082.8在审
发明人：陈敬慈;N·A·兰兹洛;V·纳拉亚南;野上毅 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种互连的制造方法。该方法包括形成拓扑半金属层。该方法还包括图案化拓扑半金属层以形成一个或多个互连。该方法还包括在一个或多个互连之间形成电介质层。该方法还包括在一个或多个互连和电介质层的顶部上形成密封电介质盖层。
拓扑金属互连

[实用新型]金属互连结构-CN201420103780.8有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种金属互连结构，所述金属互连结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的铜互连线；位于所述铜互连线上的连接层，所述连接层含碳、硼和铝；以及位于所述连接层上的低K介质层。在此，通过连接层连接铜互连线和低K介质层，利用含碳、硼和铝的连接层的耐腐蚀性、抗热性、抗氧化性，以及与铜互连线和低K介质层都能很好粘合的性能，提高了低K介质层与铜互连线之间的连接可靠性，从而提高了生产良率
金属互连结构

[实用新型]金属互连结构-CN201821434280.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种金属互连结构。金属互连结构中的金属扩散阻挡层是通过第一金属的自发扩散而形成的，有利于降低金属扩散阻挡层的制备难度，并且还能够有效避免籽晶层中出现活化能较高的界面金属，进而可缓解高活化能的界面金属穿过金属扩散阻挡层的现象
金属扩散阻挡层金属互连结构界面金属活化能本实用新型籽晶层制备穿过金属扩散缓解

[实用新型]金属互连结构-CN201821593133.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种金属互连结构。通过在衬底中形成开孔，并使导电材料层填充开孔的同时，还进一步凸出于衬底的顶表面，从而在定义上层互连线时，由于上层互连线还同时遮盖开孔，进而能够保留开孔中的导电材料层以构成导电插塞，如此即实现了在同一工艺步骤中同时形成上层互连线和导电插塞，有利于简化金属互连结构的形成工艺。
开孔金属互连结构互连线导电材料层导电插塞上层衬底本实用新型同一工艺顶表面填充遮盖保留

[发明专利]金属互连结构制作方法-CN202211483456.9在审
发明人：汪健;王玉新;季凡;孟艳秋 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供的金属互连结构制作方法包括：形成互连介质层和掩模层；使得掩模层形成金属互连线图案窗口；在带有金属互连线图案窗口的掩模层上依次形成抗反射涂层和光阻层；使得光阻层形成金属互连孔图案窗口；基于金属互连孔图案窗口，使用重聚合物气体，对抗反射涂层进行刻蚀，使得金属互连孔图案窗口转移到抗反射涂层中，且转移到抗反射涂层中的金属互连孔图案窗口侧壁上覆盖有聚合物层；基于覆盖有聚合物层的金属互连孔图案窗口，对互连介质层进行刻蚀形成初级金属互连孔槽；去除抗反射涂层和光阻层；基于金属互连线图案窗口，对互连介质层进行刻蚀，在互连介质层中形成金属互连线槽的同时使得初级金属互连孔槽向下延伸形成最终金属互连孔槽。
金属互连结构制作方法

[发明专利]金属互连结构的形成方法-CN201110335250.7有效
发明人：于世瑞 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属互连结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属互连线，所述金属互连线分为目标金属互连线和非目标金属互连线，相邻目标金属互连线之间沟槽的高宽比小于相邻目标金属互连线与非目标金属互连线之间沟槽的高宽比；形成覆盖所述金属互连线和半导体衬底的介质层，所述目标金属互连线之间的介质层中形成有闭合空洞，所述闭合空洞的顶端高于目标金属互连线的顶端；刻蚀介质层至露出目标金属互连线的表面，形成通孔，刻蚀过程中将闭合空洞侧壁刻穿使相邻通孔之间贯通；在所述通孔和闭合空洞内填充满金属，形成目标金属互连线间的互连结构。本发明的方法减小了金属互连线的密度，提高了器件的稳定性。
金属互连结构形成方法

[发明专利]芯片及形成方法、封装成品、提高封装成品良率的方法-CN201310670232.3在审
发明人：郭叙海 -专利权人：展讯通信（上海）有限公司
申请日： 2013-12-10 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种芯片及形成方法、封装成品、提高封装成品良率的方法，芯片形成方法包括：提供芯片图形，芯片图形包括多个互连金属层图形，记录金属密度小于0.3的互连金属层；根据芯片图形形成芯片，包括根据互连金属层图形形成互连金属层，在形成金属密度小于0.3的互连金属层时，在该互连金属层的互连金属线之间的空隙中形成填充金属线，使互连金属线和填充金属线的金属密度之和大于等于0.3。封装过程中，互连金属层的金属密度大于等于0.3，相邻两层互连金属层之间的层间介电材料层能承受较大应力，不会引起相邻层互连金属层之间的层间介电材料层和其中的插塞层断裂，相邻两层互连金属层之间的互连性能良好
芯片形成方法封装成品提高

[发明专利]集成电路金属互连结构、制造方法以及集成电路-CN201811051103.5在审
发明人：杨军 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开提供一种集成电路金属互连结构、集成电路金属互连结构制造方法以及集成电路。本公开实施例提供的集成电路金属互连结构包括：金属互连线，用于连接集成电路中的金属接触件；介质层，其中一面设置有用于容纳所述金属互连线的线型槽；缓冲层，覆盖于所述介质层上，与所述金属互连线相互贴合；阻隔层，覆盖于所述缓冲层上，用于阻隔所述金属互连线的原子扩散。本公开实施例所提供的集成电路金属互连结构通过在金属互连线与阻隔层之间设置缓冲层，可以提高金属互连线的粘附紧密性，避免在金属互连线的接触界面上形成原子扩散通道，从而可以改善金属互连线的电迁移性能，降低出现空洞或者凸起等缺陷的风险，提高金属互连线的可靠性。
集成电路金属互连结构制造方法以及

[发明专利]一种铜/空气隙的制备方法-CN201210437593.9有效
发明人：林宏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-11-06 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜/空气隙的制备方法，包括在衬底上依次形成通孔层，刻蚀停止层和金属线互连层，其中金属线互连层由牺牲介质沉积而成；形成贯穿金属线互连层和刻蚀停止层的金属互连线沟槽；在金属互连线沟槽填充金属，形成金属互连线；刻蚀金属线互连层的牺牲介质，并停止于刻蚀停止层；于金属线互连层上沉积介质层，以在金属线互连层内形成空气隙。本发明能够有效控制金属线互连层的介质刻蚀深度，获得均匀性优异的空气隙。
一种空气制备方法

[发明专利]半导体互连结构、其制作方法及半导体芯片-CN202010271229.4在审
发明人：李南照;高建峰;刘卫兵;孔真真 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体互连结构、其制作方法及半导体芯片。其中，所述半导体互连结构的金属互连线层包括：多段金属互连线，以及在相邻两段金属互连线之间设置的接触窗。其中，每段金属互连线的长度小于预设长度，相邻两段金属互连线通过接触窗连接。该半导体互连结构通过将金属互连线层的每一段金属互连线长度制作得比预设长度短，避免了金属互连线的线宽受电迁移影响，增加金属互连线可以流过的电流密度，提升了金属互连线的可靠性，从而可以改善半导体元件设计层面的限制
半导体互连结构制作方法芯片

[发明专利]虚拟金属结构及形成虚拟金属结构的方法-CN201510673273.7有效
发明人： J·K·丘;高山 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：揭示用于在半导体晶圆上的晶粒之间形成虚拟金属结构的方法及其产生的装置。具体实施例可包括形成从半导体晶圆的基材延展至介于多个晶粒区之间的该半导体晶圆的顶端金属互连层的金属互连层，所述金属互连层的各个皆包括多个虚拟垂直互连进接口(VIA)及多条虚拟金属线，该多条虚拟金属线侧向连接各金属互连层内的该多个虚拟VIA，并且第一金属互连层内的多个虚拟VIA垂直连接该第一金属互连层内的多条虚拟金属线至第二金属互连层内的多条虚拟金属线，并且该第二金属互连层低于该第一金属互连层。
虚拟金属结构形成方法

[发明专利]金属互连结构形成方法和金属互连结构-CN201110103157.3无效
发明人：牟善勇;谭璜 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属互连结构形成方法和金属互连结构。根据本发明的金属互连结构形成方法包括：金属间介质沉积步骤，用于在形成有有源区结构的半导体器件结构上沉积金属间介质；接触孔图案形成步骤，用于对金属间介质进行刻蚀以形成接触孔图案，金属层形成步骤，用于在形成有接触孔图案的结构上形成金属层；刻蚀步骤，用于所形成的金属层进行刻蚀；以及金属层再形成骤，用于在刻蚀后的金属层上再次形成金属覆盖层。根据本发明，通过两次形成金属层以及两次形成金属之间的刻蚀，可以有效地消除接触孔部分的金属互连结构中的空隙，并且使得所形成的金属互连结构更加均匀。
金属互连结构形成方法

[实用新型]集成电路金属互连结构以及集成电路-CN201821484275.7有效
发明人：杨军 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开提供一种集成电路金属互连结构以及集成电路。本公开实施例提供的集成电路金属互连结构包括：金属互连线，用于连接集成电路中的金属接触件；介质层，其中一面设置有用于容纳所述金属互连线的线型槽；缓冲层，覆盖于所述介质层上，与所述金属互连线相互贴合；阻隔层，覆盖于所述缓冲层上，用于阻隔所述金属互连线的原子扩散。本公开实施例所提供的集成电路金属互连结构通过在金属互连线与阻隔层之间设置缓冲层，可以提高金属互连线的粘附紧密性，避免在金属互连线的接触界面上形成原子扩散通道，从而可以改善金属互连线的电迁移性能，降低出现空洞或者凸起等缺陷的风险，提高金属互连线的可靠性。
金属互连线集成电路金属互连结构缓冲层集成电路原子扩散介质层阻隔层金属接触件电迁移紧密性覆盖贴合凸起粘附阻隔空洞容纳

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条