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[发明专利]一种耐高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法-CN201811089579.8有效
发明人：邹长伟;田灿鑫;王泽松;李松权 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： F24S70/225 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法，所述耐高温太阳能选择性吸收涂层由基体到涂层表面依次设置有红外反射层、吸收层和减反层，所述吸收层包括高金属体积分数复合层HMVF和低金属体积分数复合层层和Si3N4层交替沉积而得，所述高金属体积分数复合层HMVF的MoSi2填充系数为40‑60%，所述低金属体积分数复合层LMVF的MoSi2填充系数为10‑20%。本发明提供的太阳能选择性吸收涂层在高温的苛刻环境下依然能够保持较好的吸收率和较低的发射率，还具有较长的使用寿命。
一种耐高温太阳能选择性吸收涂层及其制备方法

[发明专利]一种利用葡萄皮控温选择性依次提取钯、铂的方法-CN202210311530.2有效
发明人：黄凯;朱佳俊 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C22B3/24 文献下载
摘要：一种利用改性葡萄皮结合温度调控措施，实现铂钯之间的选择性吸附分离方法，属于吸附材料领域。将改性的葡萄皮填充于吸附柱中，在25℃‑45℃、3M‑6M盐酸浓度下将含铂钯贵金属以及铁镍铜锌贱金属多元杂质组分的复杂溶液缓慢均匀的渗滤通过以上吸附柱床，以吸附分离其中的钯离子；之后将渗滤液收集后加热到75℃，继续渗滤通过另一根填充了改性葡萄皮的吸附柱床，以吸附捕集其中的铂离子；分别得到富钯、富铂的解吸液，再经过置换还原方法，即可得到较高纯度的钯粉、铂粉。本发明利用改性葡萄皮为吸附剂，选择性吸附铂钯，不吸附镍、铁、锌和铜等杂质离子，选择性高，所得铂钯纯度较高。
一种利用葡萄皮控温选择性依次提取方法

[发明专利]一种选择性激光烧结用聚丙烯粉末产品及其制备方法-CN201911054075.7有效
发明人：王绍杰;颜晓捷;杨峰;刘雪婷 -专利权人：万华化学（宁波）有限公司;万华化学集团股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种选择性激光烧结用聚丙烯粉末产品及其制备方法，所述聚丙烯粉末粒径分布窄，球形度高，流动性好，经选择性激光打印不会发生翘曲变形，具有优异的选择性激光烧结表现，成型精度高。用选择性激光烧结工艺打印空心玻璃微珠填充的聚丙烯粉末，获得制件中空心玻璃微珠不会发生任何破碎，制件密度大幅降低，可有效实现材料轻量化，利用本发明所述偶联剂和相容剂，可以很好地改善空心玻璃微珠和聚丙烯之间的相容性
一种选择性激光烧结聚丙烯粉末产品及其制备方法

[发明专利]一种选择性喷雾机和选择性喷雾方法-CN201210364803.6无效
发明人：陈洁欣;何隆海;陆祖和 -专利权人：深圳市劲拓自动化设备股份有限公司
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： B05C5/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种选择性喷雾机和选择性喷雾方法，结构简单，可操作性强，能够节约焊剂和减少后续的清洗过程。本发明实施例方法包括：接收运输部件运送过来的PCB板；按预设喷涂模式对PCB板喷涂助焊剂。本发明实施例的选择性喷雾机包括运输部件，用于带动印刷电路板PCB板按预设的方向前进；喷涂部件，用于按预设喷涂模式对PCB板喷涂助焊剂；运输部件包括：运输导轨、传送链条和第一电机，传送链条铺设在运输导轨上面本发明实施例中的选择性喷雾机结构简单，可操作性强，能够节约焊剂和减少后续的清洗过程。
一种选择性喷雾机喷雾方法

[发明专利]钯选择性蚀刻液以及控制蚀刻的选择性的方法-CN200680040225.3无效
发明人：高桥秀树 -专利权人：关东化学株式会社
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明的蚀刻液是对钯和金共存的材料进行蚀刻的碘系蚀刻液，其含有选自含氮五元环化合物、醇化合物、酰胺化合物、酮化合物、硫氰酸化合物、胺化合物和酰亚胺化合物中的至少一种添加剂，对钯和金的蚀刻速率之比(对钯的蚀刻速率/对金的蚀刻速率)为1以上。
选择性蚀刻以及控制方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201711392771.X有效
发明人：李昊仁;金桐晤;朴硕汉;尹灿植;郑基旭;洪镇宇;朴济民;李基硕;张燽娟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在第一区域与第二区域之间的衬底上形成器件隔离膜；形成第一密封膜和第二密封膜，使得第二密封膜的蚀刻选择性小于第一密封膜的蚀刻选择性；图案化第一密封膜和第二密封膜以暴露器件隔离膜的一部分和第二区域，使得底切被限定在第二密封膜的下表面下方；形成填充底切的填充膜，填充膜的厚度在第二密封膜的侧表面上比在其上表面上更厚；去除填充膜的一部分以在底切中形成填充间隔物；在填充间隔物上形成高k电介质膜和金属膜，
制造半导体器件方法

[发明专利]一种合成气合成低碳醇的方法-CN201010174535.2有效
发明人：陈勇;袁浩然;陈盛;陈新德 -专利权人：中国科学院广州能源研究所
申请日： 2010-05-10 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C07C29/156 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种高选择性、高效率的合成气合成低碳醇的方法。本发明方法包括以下步骤：1)催化剂制备及还原；2)合成气预热；3)催化合成反应；4)产物冷却收集。本发明方法的主要优点为：用浸渍及分段焙烧法制得高活性组分的催化剂，大大地提高醇类的选择性；反应前为反应气体提供预热，在预热段填充石英砂，使气体充分受热；为了使气体在催化段停留时间充分，在反应器中填充催化剂的同时混合石英砂，以提高催化剂的填充高度，使反应充分进行。
一种合成气合成低碳醇方法

[发明专利]光学插入件-CN201380013246.6有效
发明人： V·科森科;E·L·伯克拜恩;C·E·乌佐;P·蒙纳德吉米;S·萨瓦斯蒂奥科 -专利权人：伊文萨斯公司
申请日： 2013-01-07 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：通过在衬底(130)中蚀刻腔(410)，以某些层(520)填充所述腔，然后蚀刻所述层来形成槽。所述腔具有向外倾斜的侧壁，稍后在其上形成反射镜(144)。槽蚀刻是选择性的，不损伤侧壁。由于层的高蚀刻选择性，并且还因为由于腔的低的纵横比而导致的对腔蚀刻的良好控制，槽深度是均匀一致的。在腔填充之后但在槽蚀刻之前，制造用于连接到换能器的电路。腔填充使得晶片平坦，以便于电路的制造。
光学插入

[发明专利]一种制备中孔洞选择性吸附材料以处理六甲基二硅氮烷的方法-CN201710932278.6有效
发明人：陈世雄;林鸿祥 -专利权人：成都清境环境科技有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： B01J20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备中孔洞选择性吸附材料以处理六甲基二硅氮烷的方法，包括步骤：S1、中孔洞选择性吸附材料的制备；S2、将中孔洞选择性吸附材料置于吸附反应器中；S3、将含有六甲基二硅氮烷的废气输送至吸附反应器内吸附除去六甲基二硅氮烷；吸附反应器由壳体、多个立柱、多个吸附板及温度控制装置组成；吸附板内部填充中孔洞选择性吸附材料，上表面和下表面设置均匀分布的气孔；壳体内部设置多个立柱，吸附板固定在相邻立柱之间，所有吸附板与立柱相互拼接形成一个锯齿状或梳齿状的整体吸附墙本发明采用具有选择性吸附性的吸附材料及相应的吸附反应器吸附除去废气中的六甲基二硅氮烷，简化了废气后续处理工艺，能耗及经济成本明显降低。
一种制备孔洞选择性吸附材料处理甲基二硅氮烷方法

[发明专利]导体纳米线的选择性形成-CN202110378439.8在审
发明人：彭兆贤;李香寰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种方法，包括：蚀刻芯轴层以形成芯轴带，以及在芯轴带的侧壁上选择性地沉积金属线。在选择性沉积期间，通过介电掩模来掩蔽芯轴带的顶面。该方法还包括：去除芯轴层和介电掩模；用介电材料填充金属线之间的间隙；在介电材料中形成通孔开口，其中，金属线的顶面暴露于通孔开口；以及用导电材料填充通孔开口以形成通孔。
导体纳米选择性形成

[发明专利]用于制作非平面微电子部件的方法-CN201010563118.7无效
发明人： B·吉法尔;Y·卡佐;N·穆西 -专利权人：法国原子能及替代能源委员会
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：柔性电路和腔体的叠置是通过下述实现的：用相对于基板和柔性电路能够被选择性去除的材料填充腔体；随后将柔性电路装配或形成于如此被填充的腔体上；随后形成至少一个馈通部以进入填充的腔体；以及经由至少一个馈通部选择性蚀刻填充腔体的材料从而去除所述材料
用于制作平面微电子部件方法

[其他]乙炔的选择性加氢-CN86107965无效
发明人：约翰·霍华德·布罗菲;安东尼·诺克 -专利权人：英国石油公司
申请日： 1986-11-27 - 公布日： 1987-07-15 - 主分类号： C07C11/04 文献下载
摘要：通过在体积浓度大于1％的一氧化碳(通常大于5％)和乙烯(也可以没有乙烯)的存在下，将乙炔与含具有加氢活性的金属氧化物或硫化物或者金属氧化物或硫化物的混合物的催化剂(如ZnO或其与其它金属氧化物或硫化物的混合物)接触，选择性加氢制备乙烯
乙炔选择性加氢

[其他]选择性检漏继电器-CN86203923无效
发明人：王广福;郭成长;李振才;王立森 -专利权人：双鸭山矿务局
申请日： 1986-06-02 - 公布日： 1987-06-17 - 主分类号： H02H3/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种选择性检漏继电器，适用于矿井三相三线制380/660伏具有二个及二个以上的幅射式多支路供电系统。并在电网绝缘阻值低于允许值或发生触电时，通过馈电开关有选择的切断故障支路电源、非故障支路正常送电。该检漏继电器采用集成电路元件、动作快、性能可靠、抗干扰能力强。
选择性检漏继电器

[发明专利]新型选择性标记基因-CN201710233286.1在审
发明人：贾斯廷·M·利拉;特里·R·赖特;肖恩·M·拉塞尔;唐纳德·J·默洛;史蒂文·R·韦伯;妮科尔·L·阿诺德;安德鲁·E·鲁宾逊;凯利·A·史密斯 -专利权人：陶氏益农公司
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C12N5/10 文献下载
摘要：本发明涉及新型选择性标记基因，具体涉及在本文称作DSM‑2的新基因。这种基因是在天蓝色链霉菌A3中鉴定的。DSM‑2蛋白与PAT和BAR的关系较远。主题的基因的一种优选用途是作为选择性标记。在细菌系统中使用这种基因作为选择性标记能够增加植物转化的效率。使用DSM‑2作为单一的选择标记消除了在克隆过程中对额外的药用抗生素标记(例如氨苄青霉素抗性)的需求。按照主题的发明还可以有多种其它用途。
新型选择性标记基因

[发明专利]新型选择性标记基因-CN202010671836.X在审
发明人：贾斯廷·M·利拉;特里·R·赖特;肖恩·M·拉塞尔;唐纳德·J·默洛;史蒂文·R·韦伯;妮科尔·L·阿诺德;安德鲁·E·鲁宾逊;凯利·A·史密斯 -专利权人：陶氏益农公司
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C12N5/10 文献下载
摘要：本发明涉及在本文称作DSM‑2的新型选择性标记基因。这种基因是在天蓝色链霉菌A3中鉴定的。DSM‑2蛋白与PAT和BAR的关系较远。主题的发明还提供按植物优化的编码DSM‑2蛋白的基因。主题的基因的一种优选用途是作为选择性标记。在细菌系统中使用这种基因作为选择性标记能够增加植物转化的效率。使用DSM‑2作为单一的选择标记消除了在克隆过程中对额外的药用抗生素标记(例如氨苄青霉素抗性)的需求。按照主题的发明还可以有多种其它用途。
新型选择性标记基因

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