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[发明专利]基于片状材料填充的混合基质膜及制备方法和应用-CN201710252642.4有效
发明人：李雪琴;侯进鹏;郭瑞丽;孙若冰;周菲菲;张美玲;张秋艳;徐壮 -专利权人：石河子大学
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： B01D71/64 文献下载
摘要：本发明公开一种基于片状材料填充的混合基质膜，所述混合基质膜由聚醚‑聚酰胺嵌段共聚物以及填充分散在聚醚‑聚酰胺嵌段共聚物体内的纳米银片组成。该混合基质膜对CO₂/CH₄混合气和CO₂/N₂混合气的选择性分离CO₂试验结果表明，其渗透选择性数据超过了2008Robeson上限，说明利用纳米银片光滑表面构筑高效二氧化碳传递通道强化膜的二氧化碳分离性能，克服“trade‑off”效应，提高膜的气体渗透性和选择性是一个有效的改善混合基质膜性能的方法。
基于片状材料填充混合基质制备方法应用

[发明专利]利用感光性干膜实现选择性塞孔的印刷电路板制法-CN200810100734.1有效
发明人：江衍青;方士嘉;黄秀玲;李金修;徐华鸿 -专利权人：华通电脑股份有限公司
申请日： 2008-05-20 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用一感光性干膜实现选择性塞孔的印刷电路板制法，该方法主要是将该感光性干膜贴在一基板上，并以曝光显影方式在该基板上形成多个独立的孔盖。这些孔盖只覆盖住该基板上那些不需填充塞孔材料的孔，使得该基板上只有那些需要填充塞孔材料的孔是裸露的。如此，随后进行的塞孔步骤，就只会将塞孔材料填充在那些没有孔盖的孔，从而达到在没有网板治具辅助之下也能实现选择性塞孔的目的。
利用感光性实现选择性印刷电路板制法

[发明专利]用于制造半导体特征件的方法-CN202210003422.9在审
发明人：廖崧甫;陈海清;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种用于制造半导体特征件的方法，其包括：于半导体基板上沿着垂直方向交替地形成第一介质层及第二介质层；形成穿透第一介质层及第二介质层的多个分隔开的沟槽；形成填充沟槽的多个支撑区段；移除第二介质层以形成多个空间；形成填充所述空间的多个导电层；移除支撑区段以暴露导电层与第一介质层；选择性地形成阻挡层，其覆盖在导电层外侧的第一介质层；在阻挡层外侧的经暴露的导电层上形成多个选择性沉积子层，每个选择性沉积子层连接至所述导电层中的一层；在所述阻挡层外侧的所述选择性沉积子层上形成多个通道子层；移除所述阻挡层；形成填充所述沟槽的多个隔离子层；以及形成多个源极/漏极区段，每个源极/漏极区段连接至对应的一个通道子层。
用于制造半导体特征方法

[发明专利]工业工作环境中噪声消除耳机的选择性声音允许-CN202210804455.3在审
发明人： S·莫亚尔;S·K·拉科什特;V·V·P·卡里 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H04R1/10 文献下载
摘要：工业工作环境中噪声消除耳机的选择性声音允许。根据一种实施方式，提供了一种允许噪声消除耳机内的选择性声音的方法、计算机系统以及计算机程序产品。实施例可包含从噪声填充环境接收声音。声源是噪声填充环境中的机器。实施例可包含确定声音指示噪声填充环境内的问题。该实施例可以包括识别问题的严重性。实施例可以包括识别在问题的边界范围内的用户。边界范围部分地基于问题的严重性。用户佩戴噪声消除耳机，其主动消除噪声填充环境的声音。实施例可包括允许在所识别的用户的噪声消除耳机内听到声音。
工业工作环境噪声消除耳机选择性声音允许

[发明专利]一种二氧化碳选择性渗透薄膜及其制备方法和应用-CN201711478248.9有效
发明人：韩景宾;许晓芝;王嘉杰;董思源;卫敏 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种二氧化碳选择性渗透薄膜，包括基底和覆盖在所述基底单面的二氧化碳气体分离层；所述二氧化碳气体分离层包括垂直于基底的碳酸根插层的水滑石纳米片和填充在所述碳酸根插层的水滑石纳米片间的聚合物；所述碳酸根插层的水滑石纳米片的厚度为本发明提供的二氧化碳选择性渗透薄膜对二氧化碳同时具有高选择性和渗透性。本发明还提供了所述二氧化碳选择性渗透薄膜的制备方法及其在二氧化碳分离领域中的应用。将本发明提供的二氧化碳选择性渗透薄膜用于二氧化碳分离时，对二氧化碳同时具有较好的选择性和渗透性。
二氧化碳选择性薄膜水滑石纳米片碳酸根插层基底二氧化碳分离二氧化碳气体分离层渗透性二氧化碳制备方法和应用高选择性聚合物填充制备垂直覆盖应用

[发明专利]选择性发射极结构、制备方法及选择性发射极晶硅电池-CN202210840650.1在审
发明人：刘伟;叶继春;曾俞衡;肖明晶;廖明墩;闫宝杰 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种选择性发射极结构、制备方法及选择性发射极晶硅电池，所述选择性发射极结构包括硅衬底，所述硅衬底的正面上分为电极接触区和非电极区，所述电极接触区上依次叠设有介质层和掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层上结合有金属电极上述结构在电极接触区采用超薄氧化硅/重掺杂多晶硅结构实现选择性接触，从而大大降低金属电极区的接触复合损失，非电极区采用三层钝化结构，可同时解决晶硅电池正面选择性接触问题和钝化问题，最终提高了电池的开路电压、填充因子及转换效率。
选择性发射极结构制备方法电池

[发明专利]一种N型晶体硅TOPCon电池结构及其制备方法-CN202211182768.6在审
发明人：任常瑞;孙海杰;杨松波;李金;董建文;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型晶体硅TOPCon电池结构及其制备方法，结构包括硅衬底、正面金属电极、背面金属电极，以及沿所述硅衬底正面方向依次设置正面选择性发射极、正面减反钝化层，沿所述硅衬底背面方向依次设置TOPCon钝化接触结构、背面选择性发射极、背面减反钝化层。本发明硅衬底正面具备选择性发射极结构，背面具备TOPCon钝化接触结构和选择性发射极结构，TOPCon钝化接触结构加双选择性发射极结构结合，可明显降低正背面的金属接触电阻及光生载流子在电池正背面的复合损失，提升开路电压和填充因子，有效地提升电池转换效率。
一种晶体 topcon 电池结构及其制备方法

[发明专利]一种选择性吸附铂的材料及其制备方法与应用-CN202010926005.2有效
发明人：郭学益;马钟琛;李栋;田庆华;许志鹏;邹铭金 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：一种选择性吸附铂的材料及其制备方法与应用，该选择性吸附铂的材料由以下方法制成：采用大孔二氧化硅球形颗粒为基质，通过超声浸渍方式将铂萃取剂填充至基体的孔中，而后包覆一层聚乙烯醇膜，再将包覆后的浸渍二氧化硅浸泡于交联剂溶液中使聚乙烯醇产生交联，固液分离后，将包覆型浸渍二氧化硅反复加热、冷却，使包覆膜玻璃化，即获得选择性吸附铂的材料。该选择性吸附铂的材料制备成本低，用于对高酸度、低浓度含铂溶液中的铂进行高效选择性富集，工艺流程短，回收率高，且不存在萃取剂流失等问题。
一种选择性吸附材料及其制备方法应用

[实用新型]喷嘴按摩瓶-CN201821819317.8有效
发明人：黄文杰 -专利权人：黄文杰
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： A61H15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种喷嘴按摩瓶，尤指一种具有多样功能的喷嘴按摩瓶，其包含有一容器及分设于容器两端的一喷液件与一推拿件，该喷液件具有一喷头及一盖体，其中喷头上设有可选择性雾化容器内精油液体的喷孔，又喷头可选择性安装于容器开口上，而盖体可选择性盖设于容器上，另推拿件具有一球座及一盖体，其中球座上嵌设有一局部外露的按摩滚珠，又球座可选择性安装于容器底端，再者盖体选择性覆盖球座上，借此，使其具有穴道按摩、精油按摩、推拿按摩等多样操作功能，以满足使用者的不同需求，同时使喷液件能被选择性分离，以供填充精油液体，减少不必要的浪费，且具有环保回收、重复使用之效，故可提高其实用性。
盖体球座按摩喷嘴精油喷液喷头选择性安装推拿本实用新型选择性分离选择性覆盖按摩滚珠操作功能环保回收容器底端容器开口推拿按摩雾化容器穴道按摩外露盖设喷孔填充分设

[发明专利]一种锗硅硼外延层生长方法-CN201410051888.1有效
发明人：涂火金 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在TMAH蚀刻工艺之后，首先在沟槽侧壁和缺陷表面上选择性外延生长SiGe层。接下来，使用HCl气体蚀刻掉该SiGe层以及多晶硅栅上的缺陷。然后在沟槽内选择性外延生长SiGeB层，填充硅衬底的沟槽。
一种锗硅硼外延生长方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202010303587.9在审
发明人：黄俊贤;锺长廷;林韦诚;林威戎;张志维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：此方法包含蚀刻接触开口穿过介电层以露出第一源极/漏极接触件的表面，以及修复沿着接触开口的侧壁表面和沿着介电层的平坦表面的氧化硅结构，以避免随后选择性沉积导电填充材料期间和随后蚀刻其他接触开口期间发生选择性损失的缺陷此方法还包含实施选择性由下至上的导电填充材料的沉积以形成第二源极/漏极接触件。根据一些方法，一旦形成第二源极/漏极接触件，就可以在栅极堆叠上形成接触插塞。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种选择性背金芯片封装结构及其工艺方法-CN201810868948.7有效
发明人：王杰 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择性背金芯片封装结构及其工艺方法，所述封装结构包括基板(1)，所述基板(1)上通过银胶(2)设置有芯片(3)，所述芯片(3)包括RF信号焊垫(31)和接地焊垫(32)，所述RF信号焊垫(31)和接地焊垫(32)之间的隔离区域开设有沟槽(5)，所述沟槽(5)内填充有绝缘材料(6)，所述芯片(3)上方包封有塑封料(7)。本发明在芯片设计为选择性背金的情况下，在芯片表面设置一镭射开槽的沟道，通过在正常装片后以镭射填充绝缘材料的方式，隔离阻断接地焊垫和信号焊垫，解决选择性背金芯片装片遇到的桥接或信号焊垫无法与芯片连接的问题
一种选择性芯片封装结构及其工艺方法

[发明专利]防止选择性外延掩模层底部切口形貌的结构和方法-CN201010221607.4无效
发明人：刘鹏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止选择性外延工艺在填充过程中在介质膜掩模层(Hard Mask)下面形成底部切口形貌(undercut)的结构，在沟槽形成后、选择性外延生长前形成具有不同厚度梯度的掩模层，并且该掩模层在靠近沟槽侧壁区域的厚度比远离沟槽侧壁区域的厚度更薄此外，本发明还公开了实现这种结构的方法，通过本发明的特殊工艺方法在靠近沟槽的介质膜掩模层区域形成不同介质膜厚度的阶梯或者渐变结构，较薄层会在选择性外延过程全部消耗，最终防止底部切口形貌形成。本发明在不改变外延填充条件的情况下，用有效简单的方法避免掩模层下切口形貌的产生，同时不影响后续工艺步骤的实现。
防止选择性外延掩模层底部切口形貌结构方法

[发明专利]低电阻率触点和互连部-CN202180036710.8在审
发明人：拉伊汉·M·塔拉夫达尔;照健·史蒂文·黎;罗郑硕 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：利用导电材料填充特征的方法涉及在对介电表面几乎没有或没有损坏的情况下清洁金属表面，该特征包括金属和介电表面。在清洁之后，特征可暴露于一种或更多反应物，以在原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)工艺期间利用导电材料填充特征。沉积对金属表面可为选择性的或非选择性的。在一些实施方案中，经填充的特征是无阻挡物的，使得导电材料在没有中间阻挡层或粘附层的情况下直接接触金属和介电表面。
电阻率触点互连

[发明专利]在选择性蚀刻工艺中提高选择性的方法-CN201980028945.5在审
发明人：张闻宇;杨逸雄;马里奥·D·桑切斯;蹇国强;唐薇;伯·F·马 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-01 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：也公开了改善蚀刻工艺选择性的方法。
选择性蚀刻工艺提高方法