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[发明专利]超结选通AlGaN GaN HEMT-CN202180022980.3在审
发明人：张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种晶体管器件，包括源极(104)和漏极(105)，所述源极和所述漏极位于沿竖直方向(V)的一位置处的水平面处。栅极(111)位于沿所述竖直方向比源极和漏极水平面更高的水平面处。所述源极和漏极水平面下方的第一区域包括第一III族氮化物(III‑N)层、所述第一III‑N层上的第二III‑N层。所述栅极下方的第二区域包括第一III‑N层、所述第一III‑N层上的第二III‑N层以及所述第二III‑N层上的第三III‑N层。所述第三III‑N层在沿晶体管的宽度的选择性位置处延伸穿过所述第二III‑N层并延伸到所述第一III‑N层的一部分中。所述第三III‑N层为P型掺杂的，并且所述第一III‑N和第二III‑N层为非故意掺杂的。
超结选通 algan gan hemt

[发明专利]一种基于超像素的扫描控制方法-CN202211474909.1在审
发明人：张引;王欣睿;穆廷洲;季渊 -专利权人：无锡唐古半导体有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于超像素的扫描控制方法，涉及图像显示技术领域，能够实现对超像素的分帧扫描，在有效提高分辨率的同时不增加显示屏尺寸；该方法将现有扫描基板上的每个像素块均划分成多个小像素块，即核心像素，多个核心像素定义成超像素；相邻两超像素错位放置；采用一个或多个存储器对相邻两个超像素进行分时驱动，驱动某一超像素时同时驱动该超像素内的所有核心像素；一个存储器驱动时通过场选择信号和选通器来实现；具体：在每个核心像素处均设置一选通器，其中重叠像素处设置超像素个数的选通器；存储器输出端与所有选通器连接；同一超像素内的所有选通器均与同一个场选择信号连接；每个选通器均与其所在核心像素处的发光器件连接。
一种基于像素扫描控制方法

[发明专利]一种三维存储器的存储单元结构-CN201810195274.9在审
发明人：王本艳;陈邦明;景蔚亮;寇煦丰 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储器的存储单元结构，包括：第一金属连线层，制备有字线；二极管制备层，形成于第一金属连线层的上表面；二极管制备层中具有与字线连接的选通二极管；磁隧道结形成层，形成于二极管制备层的上表面；磁隧道结形成层中制备有分别连接字线和选通二极管的磁隧道结；第二金属连线层，形成于磁隧道结形成层的上表面；第二金属连线层中制备有位线，位线与磁隧道结连接；其中，选通二极管的导通方向朝向字线；能够形成单位面积大的选通二极管，保证了选通二极管的驱动电流，保证了存储单元的存储功能的优良。
二极管制备磁隧道结选通金属连线层上表面字线存储单元结构三维存储器位线半导体技术领域存储单元存储功能连接字线驱动电流导通保证

[发明专利]自旋轨道扭矩磁随机存储单元、存储阵列及存储器-CN202010594037.7在审
发明人：邢国忠;林淮;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种自旋轨道扭矩磁随机存储单元、存储阵列及存储器，其自旋轨道扭矩磁随机存储单元包括：磁隧道结和选通器；选通器为二维材料基选通器；磁隧道结布置在所述选通器的上方；所述磁隧道结包括反铁磁层和自由层，所述自由层与所述反铁磁层邻接；所述选通器开启，所述存储单元导通，电流产生自旋流注入所述自由层，在所述自由层和所述反铁磁层的交换偏置效应作用下，所述自由层磁化方向翻转。本公开无外场利用交换偏置效应，通过施加磁隧道结优化偏置电压可实现室温零磁场下的SOT‑MRAM存储单元的确定性磁化翻转，达到数据写入的目的，实现双端结构的SOT‑MRAM存储单元。
自旋轨道扭矩随机存储单元阵列存储器

[发明专利]存储元件、存储电路、数据存取方法及数据存取装置-CN202011018008.2有效
发明人：熊保玉 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：该元件包括：磁隧道结，选通器件和缓冲器，其中，磁隧道结的第一端与目标电源的第一端连接；选通器件的第一端与磁隧道结的第二端连接，选通器件的第二端与目标电源的第二端连接；缓冲器的输入端与目标点位连接，缓冲器的输出端连接数据输出引脚，其中，目标点位为连接磁隧道结和选通器件的线路上的点位。通过本申请，解决了相关技术中使用磁隧道结作为一次性可编程元件来存储信息时，在经过高温封装工艺后存储的信息容易丢失的问题。
存储元件电路数据存取方法装置

[发明专利]距离选通编码超分辨率三维成像方法-CN201310233404.0有效
发明人：王新伟;周燕 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： G01C11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种距离选通编码超分辨率三维成像方法，其包括：步骤1、按照选通编码规则生成编码工作时序，以对脉冲激光器和选通成像器件进行时域编码调制产生所需的激光脉冲序列和选通脉冲序列；步骤2、在选通脉冲序列和激光脉冲序列卷积作用下，在空域产生M个具有三角形能量包络特征的选通编码空间采样序列GCS，并对成像视场内待三维成像的感兴趣区进行空间编码采样，生成M幅选通编码图像；步骤3、通过对所述M幅选通编码图像中N条不同码道的信号进行三角形超分辨率三维成像解调实现三维重建
距离编码分辨率三维成像方法

[发明专利]超结功率器件-CN201911184109.4有效
发明人：龚轶;袁愿林;刘伟;刘磊;毛振东 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种超结功率器件，包括至少一个第一MOSFET单元和至少一个第二MOSFET单元，第一MOSFET单元在超结功率器件开启和关断时具有不同的阈值电压，超结功率器件在反向导通时，反向电流可以流过第一MOSFET单元，这提高了超结功率器件的反向恢复速度；第二MOSFET单元相较于第一MOSFET单元具有更短的电流沟道，可以有效控制超结功率器件的芯片尺寸。本发明实施例的超结功率器件在具有快的反向恢复速度的同时还具有小的芯片尺寸。
功率器件

[发明专利]超连续谱照明空间门弹道光成像装置和方法-CN201710626454.3有效
发明人：谭文疆;郑益朋;司金海;赵哲;马骏;刘晓晶 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明提供一种超连续谱照明空间门弹道光成像装置和方法。该成像光路上依次设有透镜，水，透镜，成像目标物体，透镜，空间滤波器，透镜及CCD；超连续谱照明抑制散斑使之成为均匀噪声背底；直接空间门选通弹道光成像利用低通滤波器滤除散射光噪声；直接空间门选通弹道光成像利用高通滤波器可以得到噪声背底，再用超连续谱照明成像减去噪声背底提取弹道光成像结果。该成像方法为：将飞秒激光聚焦到水中产生超连续谱，利用超连续谱照明，再利用空间滤波技术选通弹道光成像。本发明具有光路简单、成像对比度高的特定，迂回空间门还具有高分辨率的特点。
连续谱照明空间弹道成像装置方法

[发明专利]一种千万帧频超高速太赫兹成像系统-CN202310362735.8有效
发明人：李泽仁;阮双琛;孙帅;徐芳;王小胡;李佳;张维 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03B39/00 文献下载
摘要：太赫兹成像主物镜和太赫兹分光物镜共同作用将被成像目标的成像在太赫兹n面分光棱锥的入射面上；太赫兹n面分光棱锥将投射的太赫兹波等分为n束不同空间方向的的波，其中任一束辐射到对应的太赫兹反光镜的入射面上，太赫兹反光镜将入射的太赫兹波反射入超快太赫兹门选通组件的入射窗口，超快太赫兹门选通组件用于对入射窗口面上的图像进行选通成像，太赫兹门控脉冲产生模块用于控制超快太赫兹门选通组件的延时打开时刻与开门时间宽度，太赫兹中继成像模块用于将超快太赫兹门选通组件入射的太赫兹波聚焦于太赫兹面阵相机
一种千万帧频超高速赫兹成像系统

[发明专利]一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法-CN202011476276.9在审
发明人：童浩;王伦;王位国;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。该选通管包括衬底、以及依次层叠在衬底上的第一金属电极层、类超晶格层以及第二金属电极层，类超晶格层包括周期性交替层叠的n+1个第一子层和n个第二子层，第一子层的材料为非晶碳，第二子层的材料为具有选通性能的硫系化合物第一子层的非晶碳作为缓冲层与第一金属电极层和第二金属电极层接触，可以阻止高温导致的具有选通性能的硫系化合物材料中的原子漂移，还可以避免引入新材料交叉污染。由于非晶碳的低热导率，本申请的选通管不仅能够保证选通管阈值电压不受影响，还使得与相变存储单元集成后，相变材料融化时扩散到选通管单元的热量更小。
一种具有晶格结构选通管及其制备方法

[发明专利]高集成度选通忆阻器及其制备方法-CN202211509885.9在审
发明人：段瑞斌;邱晨光;孟德欢 -专利权人：湘潭大学;北京大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种高集成度选通忆阻器及其制备方法，属于微电子器件技术领域，该选通忆阻器包括一MOSFET晶体管和一铁电隧道结，MOSFET晶体管和铁电隧道结均包括第一共用电极、第二共用电极、共用半导体层、第一石墨烯层和第二石墨烯层本申请提供的高集成度选通忆阻器及其制备方法，将MOSFET晶体管和铁电隧道结结合，具有抑制交叉开关矩阵阵列的旁路电流的能力；同时，将MOSFET和铁电隧道结混合，具有高开关速度、非易失性、低功耗、高可扩展性以及与CMOS工艺相兼容等特点；此外，高集成度选通忆阻器及其制备方法省略MOSFET晶体管的源金属电极，直接将MOSFET晶体管的半导体源端扩展部分作为铁电隧道结的一端，能够充分实现1T1R存储功能，大大提高了器件的集成度
集成度选通忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种超结半导体器件及其制造方法-CN201410054331.3有效
发明人： A·威尔梅洛斯;F·希尔勒;H-J·舒尔策;U·瓦尔;W·凯因德尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种超结半导体器件，包括具有第一表面和平行的第二表面的半导体部分。至少在单元区域中形成第一导电类型的掺杂层。相反的第二导电类型的柱状第一超结区在垂直于第一表面的方向上延伸。第一导电类型的柱状第二超结区使第一超结区彼此分离。第一和第二超结区在第一表面和掺杂层之间形成超结结构。在第一超结区和第二表面之间的距离不超过30μm。额定用于低于1000V的反向击穿电压的低压器件的导通状态或正向电阻可以通过超结结构的电阻来定义。
制造半导体器件

[发明专利]超结器件及其制造方法-CN201610530616.9有效
发明人：曾大杰;肖胜安;李东升 -专利权人：深圳尚阳通科技有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件，电荷流动区中形成有超结结构，超结器件包括第一原胞，第一原胞的步进大于超结单元的步进，通过较小的超结单元的步进使超结器件的耐压能力增加以及导通电阻降低，通过较大的第一原胞的步进使第一原胞的平面栅覆盖的超结结构的面积增加并从而提高超结器件的输入电容本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能够提高超结器件的击穿电压和降低导通电阻的同时，还能在很低Vds下获得更高的Ciss且在较大的Vds范围内能使得Ciss的下降比较缓慢，从而能减缓了开关过程的速度、能有效降低器件在应用电路中的电磁干扰性能以及能减低导通状态到截止状态的切换过程中
器件及其制造方法

[发明专利]一种超结逆导型栅控双极型器件-CN201911310477.9有效
发明人：郑崇芝;李青岭;夏云;陈万军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种超结逆导型栅控双极型器件。与传统超结IGBT相比，本发明器件采用介质隔离层将器件沿超结的纵向分界线分为两部分，第一漂移区一侧正向导通时不参与导电，反向导通时作为二极管起续流作用。第二漂移区一侧，正向导通时为双极导电，内部发生电导调制效应，因此器件导通压降较低，而在反向导通时不参与导电。本发明的有益成果：正向导通时为双极型导电，具有反向导通能力。
一种超结逆导型栅控双极型器件

[发明专利]一种超结IGBT终端结构-CN202111582030.4有效
发明人：陈万军;万贻虎;夏云;孙瑞泽;刘超;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有反向导通能力以及高关断速度的超结IGBT终端结构。本发明的超结功率器件终端结构引入的p+短路区、n+短路区、浮空金属以及p型电阻区的结构在器件关断时能起到加速电子抽取的作用，同时也使器件具备反向导通能力。本发明中的终端结构，使超结IGBT具有反向导通能力，同时在关断过程中提供了一条电子泄放通路，加速了IGBT的关断过程。
一种 igbt 终端结构

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