专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]抗菌管材及抗菌装置-CN201720104125.8有效
  • 陈兴星;陈世楠;郭焱焱 - 石狮市星火铝制品有限公司
  • 2017-01-23 - 2017-10-03 - F16L9/02
  • 本实用新型涉及一种抗菌管材,包括管材本体,管材本体沿轴向的两端形成开口端,所述管材本体为铝管材,所述铝管材包括第一半管段和第二半管段,铝管材的表面复合有阳极氧化,阳极氧化的表面上复合有抗菌采用本实用新型的抗菌管材,铝管材由第一半管段和第二半管段构成,第一半管段和第二半管段的内壁呈敞开状,进行表面处理较为方便,阳极氧化作为抗菌附着的载体,能够使得抗菌稳定地附着在阳极氧化上,抗菌能够杀灭各种水中的各种细菌和真菌
  • 抗菌管材装置
  • [发明专利]包膜型缓释化肥-CN200810155528.0无效
  • 应宗荣;彭永才;刘海生 - 南京理工大学
  • 2008-10-07 - 2010-05-26 - C05G3/00
  • 本发明公开一种肥包膜型缓释化肥。本发明肥包膜型缓释化肥由化肥芯和化肥芯外包膜组成,包膜是氨基树脂-蒙脱土复合物或者氨基树脂-蒙脱土复合物与可降解聚合物的复合。包膜中还可以复合有硫磺和/或高阻透性有机物。高阻透性有机物厚度最好≤20μm。氨基树脂-蒙脱土复合物中还可以混合有高阻透性有机物。氨基树脂-蒙脱土复合物中蒙脱土的质量分数以≤50%为佳,最好为0.5%-30%。包膜总厚度最好≥30μm。硫磺厚度最好为0-50μm。本发明肥包膜型缓释化肥的包膜体对环境(基本)无害且为肥分,成本低,释放期长。
  • 包膜型缓释化肥
  • [发明专利]的制造方法-CN201810840343.7有效
  • 刘怡良;于明非;林旭;陈建勋 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2018-07-27 - 2021-06-15 - H01L21/31
  • 本发明公开了一种的制造方法,包括步骤:步骤一、提供形成有半导体器件的图形结构的半导体衬底;步骤二、形成;步骤三、采用化学机械研磨工艺对的进行第一次平坦化,化学机械研磨工艺会使表面产生的刮伤;步骤四、形成第二介的刮伤向上转移到第二介的表面且转移后的刮伤深度位于图形结构的表面上方;步骤五、采用刻蚀工艺去除第二介实现第二次平坦化并将刮伤消除。本发明能消除化学机械研磨工艺在表面形成的刮伤,并防止在刮伤中产生金属残留。
  • 层间膜制造方法
  • [发明专利]晶片的加工方法-CN201610827032.8在审
  • 田渕智隆;渡边义雄;S·米兰 - 株式会社迪思科
  • 2016-09-14 - 2017-08-08 - H01L21/78
  • 其包含改形成工序,从晶片的正面或背面将聚光点定位在内部而沿着分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光光线,沿着分割预定线在晶片的内部形成改;保护形成工序,在晶片的正面或背面上包覆水溶性树脂而形成保护;分割工序,对实施了改形成工序和保护形成工序的晶片施加外力,沿着形成有改的分割预定线将晶片分割成一个个的器件,并且在相邻的器件与器件之间形成间隙;刻蚀工序,从实施了分割工序的晶片的保护侧提供等离子化后的刻蚀气体而对残留于器件的侧面的改进行刻蚀从而去除;以及保护去除工序,对实施了刻蚀工序的器件提供水而将由水溶性树脂构成的保护去除。
  • 晶片加工方法
  • [发明专利]传感器制作方法和传感器-CN202010215690.8有效
  • 邱文瑞;王德信;刘兵 - 青岛歌尔智能传感器有限公司
  • 2020-03-24 - 2022-11-22 - H01L21/98
  • 本发明公开了一种传感器制作方法和传感器,所述制作方法包括:在基板的上表面设置第一介,在所述基板的下表面设置第二介;设置贯穿所述基板、所述第一介和所述第二介的通孔;去除所述第一介,在所述基板的上表面对应所述通孔位置设置防水透气;在所述基板的上表面设置第三介,去除所述通孔位置对应的所述第三介。本发明能够有效避免防水透气脱落,保证传感器的防水效果。
  • 传感器制作方法
  • [发明专利]具有装饰用外覆的塑薄壳件及其制法-CN201010141820.4无效
  • 谢明仁 - 铂邑科技股份有限公司
  • 2010-04-06 - 2011-10-12 - H05K5/00
  • 本发明是一种具有装饰用外覆的塑薄壳件及其制法,其是提供一装饰用外覆其是一布料或一皮革;再在所述的外覆的内表面设置一适当厚度的热塑性弹性体(Thermoplastic Rubber,TPR)粘着;再将所述的外覆平整固定在一塑薄壳件的射出成型模具的模穴内,并使外覆的周缘界线超出模穴的周缘界线;再利用塑料射出成型工艺,在所述的TPR粘着上射出成型所述的塑薄壳件,其中所述的模穴的周缘界线超出所述的塑薄壳件的周缘界线以形成一环周缘且较薄的溢料区供作为毛边区;取出成品,再裁切所述的毛边区而完成一具有装饰用外覆的塑薄壳件;如此可增进所述的外覆与塑薄壳件之间的密着结合强度以及成品品质,达成工艺简化以及提升品质的目的。
  • 具有装饰用外覆膜塑质薄壳件及其制法
  • [实用新型]具有装饰用外覆的塑薄壳件-CN201020152966.4无效
  • 谢明仁 - 铂邑科技股份有限公司
  • 2010-04-06 - 2011-03-09 - H05K5/00
  • 本实用新型是一种具有装饰用外覆的塑薄壳件,其是提供一装饰用外覆其是一布料或一皮革;再在所述的外覆的内表面设置一适当厚度的热塑性弹性体(Thermoplastic Rubber,TPR)粘着;再将所述的外覆平整固定在一塑薄壳件的射出成型模具的模穴内,并使外覆的周缘界线超出模穴的周缘界线;再利用塑料射出成型工艺,在所述的TPR粘着上射出成型所述的塑薄壳件,其中所述的模穴的周缘界线超出所述的塑薄壳件的周缘界线以形成一环周缘且较薄的溢料区供作为毛边区;取出成品,再裁切所述的毛边区而完成一具有装饰用外覆的塑薄壳件;如此可增进所述的外覆与塑薄壳件之间的密着结合强度以及成品品质,达成工艺简化以及提升品质的目的。
  • 具有装饰用外覆膜塑质薄壳件
  • [发明专利]一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件-CN202210049833.1在审
  • 王金翠;张涛;连坤;罗具廷;刘金鹏;张文化 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2022-01-17 - 2022-04-15 - G02F1/03
  • 本申请提供一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件,在薄膜基体上制备第一掩;向薄膜基体注入第一离子,在薄膜基体内形成第一注入;去除第一掩;在薄膜基体上制备第二掩,第二掩的图案与第一掩的图案相反;向薄膜基体上注入第二离子,在薄膜基体内形成第二注入,第二注入的图案与第一掩相同;去除第二掩;将薄膜基体与支撑基板键,得到键合体;对键合体热处理,使薄膜基体在第一注入和第二注入处分离,得到电光晶体薄膜通过两次离子注入,剥离掉余后可以得到具备光波导结构的电光晶体薄膜,这样既可以避免刻蚀方法制备光波导结构对薄膜带来损伤,又可以避免对薄膜材料刻蚀效率低下的问题。
  • 一种电光晶体薄膜制备方法电子元器件
  • [发明专利]电极的制造方法和电极-CN200910168910.X有效
  • 直井克夫;江元和敏;桧圭宪;三枝昌宽;西泽建治;向后美津雄;平野政义 - TDK株式会社
  • 2009-09-02 - 2010-03-10 - H01M4/04
  • 本发明提供能够形成平坦且厚度均匀的短路防止用覆(固体高分子电解)并且能够防止在电化学元件中的短路的电极的制造方法和电极。电极的制造方法具备:第一工序,将含有活性物质颗粒、活性物质用粘结剂以及第一溶剂的活性物质用涂料涂布于集电体上,形成由活性物质用涂料构成的涂;第二工序,将第二溶剂涂布于涂上;以及第三工序,将含有固体高分子电解、固体高分子电解用粘结剂以及第三溶剂的固体高分子电解用涂料涂布于已经涂布了第二溶剂的涂上;且第一溶剂是活性物质用粘结剂的良溶剂,第二溶剂是固体高分子电解用粘结剂的不良溶剂,第三溶剂是固体高分子电解用粘结剂的良溶剂
  • 电极制造方法
  • [发明专利]磁性隧道结及其形成方法-CN201310424875.X有效
  • 洪中山 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-09-17 - 2017-02-22 - H01L43/12
  • 一种磁性隧道结及其形成方法,其中,磁性隧道结的形成方法包括提供的第一介和第一电极表面依次具有复合磁性和第一掩,第一掩平行于衬底表面的图形为圆形;以第一掩刻蚀复合磁性直至暴露出第一介;之后在第一介表面形成第二掩,第二掩的表面与第一掩的表面齐平;去除第一掩并形成开口;在开口的侧壁表面形成第三掩侧墙;对第三掩侧墙进行离子注入工艺,离子注入的方向相对于衬底表面倾斜;之后刻蚀去除部分第三掩侧墙以形成第三掩,使第三掩的内侧壁平行于衬底表面的图形呈椭圆形;以第三掩刻蚀复合磁性直至暴露出第一电极
  • 磁性隧道及其形成方法

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