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[发明专利]碎片样品的平面扩展方法以及平面扩展的碎片样品-CN202010834812.1在审
发明人：孙浩宇;王孟祺;王鹏飞;王亚;石发展;叶翔宇;余佩;刘航宇;杜江峰 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碎片样品的平面扩展方法以及平面扩展的碎片样品。其中，该方法包括：获取第一平面衬底和第二平面衬底，其中，第一平面衬底和第二平面衬底均为表面光滑且尺寸大于所述碎片样品的尺寸的平面衬底；将碎片样品放置于第一平面衬底上；获取夹具，夹具具有中空设置，中空设置用于容置碎片样品；将夹具压置于第一平面衬底上，且夹具的中空设置套置于碎片衬底上；在夹具的中空设置处涂敷填充物；将第二平面衬底压置于夹具上；剥离第一平面衬底和第二平面衬底，得到平面扩展后的碎片样品。
碎片样品平面扩展方法以及

[发明专利]启用微柱的热接地平面-CN201910233277.1在审
发明人：路易斯·瑞恩·约翰;刘·丽·安妮;林清懿;库里奇·克林·詹尼斯;徐珊珊;杨荣贵;李云城 -专利权人：科罗拉多州立大学董事会法人团体
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： B23P15/26 文献下载
摘要：本发明公开一种热接地平面(TGP)。TGP可包括：第一平面衬底部件，被配置成封围工作流体；第二平面衬底部件，被配置成封围所述工作流体；设置在所述第一平面衬底上的多个芯吸结构；以及设置在所述第二平面衬底上的一个或多个平面间隔件。所述第一平面衬底和所述第二平面衬底可被气密密封。
衬底衬底部件工作流体接地平面平面间隔气密密封芯吸结构配置微柱

[发明专利]启用微柱的热接地平面-CN201580050472.0有效
发明人：路易斯·瑞恩·约翰;刘·丽·安妮;林清懿;库里奇·克林·詹尼斯;徐珊珊;杨荣贵;李云城 -专利权人：科罗拉多州立大学董事会法人团体
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： B23P15/26 文献下载
摘要：本发明公开一种热接地平面(TGP)。TGP可包括：第一平面衬底部件，被配置成封围工作流体；第二平面衬底部件，被配置成封围所述工作流体；设置在所述第一平面衬底上的多个芯吸结构；以及设置在所述第二平面衬底上的一个或多个平面间隔件。所述第一平面衬底和所述第二平面衬底可被气密密封。
启用接地平面

[发明专利]特别地用在掩膜对准器中的卡盘-CN201380067778.8有效
发明人： S·汉森;T·许尔斯曼;K·申德勒 -专利权人：苏斯微技术光刻有限公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种用于将第一平面衬底(例如晶片)与第二平面衬底(例如掩膜)平行排布的卡盘，包括：具有用于放置第一平面衬底的上表面的顶板、底板、至少一个配置用于测量顶板上表面与第二平面衬底一个表面之间距离的距离测量传感器一种用于特别地通过卡盘设定卡盘顶板上的第一平面衬底(例如晶片)与第二平面衬底(例如掩膜)之间间距的方法，包括步骤：在至少一个点处测量第一平面衬底的厚度；通过卡盘的至少一个距离测量传感器测量第二平面衬底的表面与顶板的上表面之间的距离；以及采用卡盘的至少三个线性致动器，优选结合卡盘的至少三个弹簧轴承调整第一平面衬底或卡盘的顶面与第二平面衬底表面之间的倾斜度。
衬底卡盘上表面掩膜距离测量传感器线性致动器测量晶片倾斜度底板衬底表面弹簧轴承底板接触平行排布对准器顶面优选配置

[发明专利]金刚石单晶合成衬底及其制造方法-CN200410100663.7有效
发明人：目黑贵一;山本喜之;今井贵浩 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：一种金刚石单晶合成衬底，该衬底由具有并排设置成统一平面取向的多个金刚石单晶衬底构造而成，并通过利用汽相合成在其上生长金刚石单晶体来全面整合，其中除了一个金刚石单晶衬底之外，所述多个金刚石单晶衬底中每一个的主平面的平面取向与平面{100}的偏差都小于1度，所排除的一个衬底的主平面的平面取向与平面{100}的偏差为1至8度，当金刚石单晶衬底并排设置时，所述一个金刚石单晶衬底设置在最外侧的外周缘部分中，而且该衬底设置成使得所述一个衬底主平面中的方向{100}朝向所设置的衬底外侧的外周缘方向，然后通过汽相合成生长金刚石单晶体，从而使从所述一个金刚石单晶衬底生长的金刚石单晶体覆盖其他衬底上生长的金刚石单晶体，来获得全面的整合。
金刚石合成衬底及其制造方法

[发明专利]扫描斜角蚀刻装置以及提供分开的共线自由基及离子的技术-CN201980077202.7在审
发明人：彼得·F·库鲁尼西;摩根·艾文斯;约瑟·C·欧尔森;克里斯多福·A·罗兰德;詹姆士·布诺德诺 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种系统可包括被配置成支撑衬底的衬底台，其中所述衬底的主表面界定衬底平面。所述系统可包括离子源，所述离子源包括提取组件，所述提取组件取向成沿着相对于所述衬底平面的垂线界定非零入射角的轨迹将离子束导向所述衬底。所述系统可包括自由基源，所述自由基源取向成沿着相对于所述衬底平面的垂线界定所述非零入射角的轨迹将自由基束导向所述衬底。所述衬底台还可被配置成沿着第一方向扫描所述衬底，所述第一方向位于所述衬底平面上，同时所述衬底的所述主表面在所述衬底平面内取向。
扫描斜角蚀刻装置以及提供分开共线自由基离子技术

[发明专利]表面微加工结构-CN202080090820.8在审
发明人： P·I·奥登;J·N·霍尔 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：所描述的示例包括具有衬底(602)的装置，衬底(602)具有衬底表面(630)。该装置还包括具有面向衬底表面的平面表面(628)并具有背离衬底表面的与平面表面相反的非平面表面(626)的元件(600)。
表面加工结构

[实用新型]包含平面干燥植物的装饰结构及工艺品-CN202120515078.2有效
发明人：李莹莹;金雷;何璐柯;薛淞文;李元元 -专利权人：南华大学
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B44C5/06 文献下载
摘要：包含平面干燥植物的装饰结构及工艺品。包含平面干燥植物的装饰结构，包括衬底和半透明的纤维面层，在衬底和纤维面层间铺设有平面干燥植物，纤维面层与衬底通过胶粘剂粘贴到一起，平面干燥植物被夹持固定在纤维面层与衬底之间。上述包含平面干燥植物的装饰结构制作实施方便，衬底可以是贴覆在待装饰产品表面的一层薄膜，也可以直接将待装饰产品的表面作为衬底，由于平面干燥植物被夹持固定在相互粘接的衬底与纤维面层之间，能够保证平面干燥植物被可靠固定而不易脱落另外，纤维面层将平面干燥植物包覆在衬底上，纤维面层能够对平面干燥植物起到保护作用，避免其受损，同时平面干燥植物又能够经半透明纤维面层透显出来，具有一种别致的视觉美感。
包含平面干燥植物装饰结构工艺品

[发明专利]电可调谐的偏振无关的液晶微透镜阵列-CN201811345733.3有效
发明人：信钊炜;魏东 -专利权人：黑芝麻智能科技有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：一种偏振无关的液晶微透镜阵列，包括光学透明的介电平面板；光学透明的上平面电极，沉积在平面板顶面和底面上；顶部衬底，邻近平面板顶面进行定位；顶部图案电极，沉积在顶部衬底内表面上；顶部液晶层，设置于平面板顶面和顶部衬底内表面之间；顶部液晶层，具有第一偏振；底部衬底，邻近平面板底面进行定位；底部图案电极，沉积在底部衬底内表面上；底部液晶层，设置在平面板底面和底部衬底内表面之间；底部液晶层，具有与第一偏振正交的第二偏振。
调谐偏振无关液晶透镜阵列

[发明专利]在非平面表面上沉积材料的方法-CN200880018655.4无效
发明人：拉特逊·莫拉德 -专利权人：索林塔有限公司
申请日： 2008-03-24 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种将材料沉积至非平面表面上的方法。该方法通过在非平面衬底沿着加工腔的平移路径移动时旋转该非平面衬底来实施。在非平面衬底沿加工腔旋转并同时移动时，该旋转将该非平面衬底的全部表面区域或任意期望的表面区域部分暴露于沉积加工，从而实现所需的均匀沉积。或者，任意预定的样本均可暴露至非平面衬底的表面上。这种方法可以制造非平面半导体装置，包括但不限于非平面发光二极管、非平面光伏电池等。
平面表面上沉积材料方法

[发明专利]功率半导体模块-CN201680042941.9有效
发明人： F.特劳布;F.莫恩;J.舒德雷;D.卡尼;S.基辛 -专利权人： ABB电网瑞士股份公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体模块，包括至少两个功率半导体装置，其中至少两个功率半导体装置包括至少一个功率半导体晶体管(22)和至少一个功率半导体二极管(24)，其中提供用于承载第一平面(44)中的功率半导体晶体管(22)的至少第一衬底(26)，第一平面平行于衬底(26)的平面平放，其特征在于功率半导体二极管(24)在第二平面(46)中被提供，其中第一平面(44)在垂直于第一平面(44)的方向上定位在衬底(26)和第二平面(46)之间，并且其中第一平面(44)在垂直于第一平面(44)的方向上与第二平面(46)间隔开。第一平面(44)在垂直于第一平面(44)的方向上与第二平面(46)间隔开，由此第一衬底(26)基于直接接合的铜衬底且第一衬底(26)是用于承载晶体管(22)的直接接合的铜衬底，在第一衬底(26)上提供用于承载二极管备选地，第一衬底(26)是用于承载晶体管(22)的直接接合的铜衬底，在第一衬底(26)上提供用于承载二极管(24)的箔，其中箔包括电绝缘主体和在其上提供用于承载二极管(24)的导电结构。
功率半导体模块

[发明专利]用于确定在衬底中的平面内变形的方法及系统-CN201680019869.8有效
发明人： M·D·史密斯;J·所罗门;S·舍温;W·D·米厄尔;A·莱维 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示衬底的平面内变形的确定，其包含：测量所述衬底在未夹紧状态中的一或多个平面外变形；基于所述衬底在所述未夹紧状态中的所述所测量平面外变形确定在所述未夹紧状态中的所述衬底上的膜的有效膜应力；基于在所述未夹紧状态中的所述衬底上的所述膜的所述有效膜应力确定所述衬底在夹紧状态中的平面内变形；及基于所述所测量平面外变形或所述所确定平面内变形中的至少一者调整处理工具或叠加工具中的至少一者。
用于确定衬底中的平面变形方法系统

[发明专利]研磨多层体的方法以及制造固态摄像器件的方法-CN200580032270.X无效
发明人：渡边万次郎;根岸能久;前田弘;岛村均 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2005-09-27 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：提供一种研磨多层体的方法，该方法可以在研磨与切割多层物质的平面物质时防止衬底被在研磨与切割过程中所产生的平面物质的破碎物损伤，所述多层物质由衬底和平面物质构成，所述的衬底和平面物质被连接在一起并且其间存在有极窄的间隙部分在使用磨石切入到间隙部分中而对平面物质进行研磨与切割时，预先在间隙部分形成衬底的保护层，因此可以防止因研磨多层体而产生的平面物质的破碎物损伤该衬底，在所述的多层体中，将衬底和平面物质连接成在它们之间具有间隙部分
研磨多层方法以及制造固态摄像器件

[发明专利]光刻设备-CN201510075990.X有效
发明人：恩格尔伯塔斯·安东尼纳斯·弗朗西丝克斯·范德帕斯奇;J·J·奥坦斯;E·J·M·尤森;J·H·W·雅各布斯;W·P·范德兰特;F·斯塔尔斯;L·J·曼彻特;E·W·博高特 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种光刻设备，包括衬底台位置测量系统和投影系统位置测量系统，分别用以测量衬底台和投影系统的位置。衬底台位置测量系统包括安装在衬底台上的衬底台参考元件和第一传感器头。衬底台参考元件在基本上平行于衬底台上的衬底的保持平面的测量平面内延伸。保持平面布置在测量平面的一侧并且第一传感器头布置在测量平面的相对侧。
光刻设备

[发明专利]光刻设备-CN201210056867.X有效
发明人：恩格尔伯塔斯·安东尼纳斯·弗朗西丝克斯·范德帕斯奇;J·J·奥坦斯;E·J·M·尤森;J·H·W·雅各布斯;W·P·范德兰特;F·斯塔尔斯;L·J·曼彻特;E·W·博高特 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种光刻设备，包括衬底台位置测量系统和投影系统位置测量系统，分别用以测量衬底台和投影系统的位置。衬底台位置测量系统包括安装在衬底台上的衬底台参考元件和第一传感器头。衬底台参考元件在基本上平行于衬底台上的衬底的保持平面的测量平面内延伸。保持平面布置在测量平面的一侧并且第一传感器头布置在测量平面的相对侧。
光刻设备

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