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[发明专利]显示器、薄膜晶体管阵列基板及其制造工艺-CN201310110533.0有效
发明人：牛菁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及显示器、薄膜晶体管阵列基板及其制造工艺。其中，薄膜晶体管阵列基板包括：栅电极、有源层，栅电极和有源层通过黑矩阵隔离；源电极、漏电极和沟道；彩色滤光层，像素电极。本发明的显示器包括本发明的薄膜晶体管阵列基板。本发明的薄膜晶体管阵列基板的制造工艺，包括在基板上形成栅线和栅电极的图形；形成黑矩阵的图形；形成有源层和源/漏电极的图形；形成彩色滤光层的图形；形成像素电极的图形。本发明的薄膜晶体管阵列基板省去了栅绝缘层和保护层，同时免除了两次等离子气相成膜工序，显著缩短了工艺时间，降低了工艺的复杂度；同时有效减薄了基板厚度。本发明的薄膜晶体管阵列基板制造工艺有效减少了成膜次数，缩短了工艺时间。
显示器薄膜晶体管阵列及其制造工艺

[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN201811615770.1有效
发明人：卢改平;唐维;黄建龙 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括：基层、第一薄膜晶体管结构层、平坦层、平坦层凹槽以及第二薄膜晶体管结构层。所述阵列基板的制备方法包括：基层设置步骤、第一薄膜晶体管结构层制备步骤、平坦层制备步骤、平坦层开槽步骤以及第二薄膜晶体管结构层制备步骤。
阵列及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置-CN201510236089.6在审
发明人：高锦成;张斌;何晓龙;孔祥春;姚琪;曹占锋;李正亮 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，属于薄膜晶体管技术领域。薄膜晶体管的制作方法包括：在形成所述薄膜晶体管的半导体层之后，采用不与酸性溶液发生反应的导电膜层在所述半导体层上形成保护层；在所述保护层上形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极；利用干法刻蚀去除所述源电极、漏电极之间间隙与半导体层对应区域的保护层，暴露出所述区域的半导体层。本发明的技术方案能够较好地保护Oxide薄膜晶体管的氧化物半导体，并且比现有的ESL方法减少一次构图工艺；与现有ESL结构的Oxide薄膜晶体管相比，沟道尺寸可以更小，有利于Oxide薄膜晶体管阵列基板开口率的提高和在高
薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]阵列基板及其制备方法、应用和性能改善方法-CN201810394256.3有效
发明人：刘政;赵梦;田宏伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供了阵列基板及其制备方法、应用和性能改善方法。该阵列基板包括：衬底基板；遮挡层，遮挡层设置于所述衬底基板的一个表面上；薄膜晶体管，薄膜晶体管设置于衬底基板上，并覆盖遮挡层；补偿层，补偿层设置于薄膜晶体管远离衬底基板的一侧，用于在薄膜晶体管中的有源层中形成第二电场由此，通过改变薄膜晶体管内有源层的电场分布，补偿第一电场对薄膜晶体管特性的影响，以达到改善或消除输出特性曲线饱和区翘曲的异常现象的技术效果，保证电流正常输出，同时改善补偿由第一电场导致薄膜晶体管阈值电压产生变化的不良影响，解决阈值电压漂移等问题，使薄膜晶体管恢复到没有第一电场影响有源层的工作状态，甚至更优的水平。
薄膜晶体管衬底基板电场阵列基板遮挡层源层性能改善补偿层制备薄膜晶体管阈值电压输出特性曲线阈值电压漂移电场分布电场影响技术效果异常现象饱和区翘曲应用输出覆盖恢复保证

[发明专利]一种阵列基板、显示面板及该阵列基板的制备方法-CN201710613991.4在审
发明人：陈辰 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、显示面板及该阵列基板的制备方法，该阵列基板包括栅极线、薄膜晶体管、钝化层与像素电极；其中，所述栅极线与所述薄膜晶体管的栅极电连接，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述钝化层位于所述薄膜晶体管所在层与所述像素电极所在层之间，沿所述栅极线的延伸方向，所述钝化层的厚度逐渐改变。通过上述的阵列基板，能够改善画面显示的均一性。
一种阵列显示面板制备方法

[发明专利]液晶显示面板-CN201710910374.0在审
发明人：陈奕维;郑新安;昌文宗;田浩廷;陆一民 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：一种液晶显示面板，其包括薄膜晶体管阵列基板、液晶层以及光学间隙子，所述光学间隙子位于液晶层中，所述薄膜晶体管阵列基板包括像素电极层及配向层，所述配向层设置于所述薄膜晶体管阵列基板与所述液晶层相邻的一侧，所述像素电极层设置于所述配向层远离所述液晶层一侧，所述配向层包括接触部，所述光学间隙子的底端与所述接触部抵持，所述薄膜晶体管阵列基板还包括与所述接触部相邻的阻挡部，阻挡部为相对于所述接触部朝向彩色滤光基板形成的凸起，以限制光学间隙子在薄膜晶体管阵列基板上的相对位移。
液晶显示面板

[实用新型]一种薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置-CN201320575160.X有效
发明人：翟应腾;吴勇 -专利权人：上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本实用新型描述了一种薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置，所述薄膜晶体管阵列基板包括：第一数据线和第二数据线，设置在两个沿第一方向相邻的第一像素单元与第二像素单元之间；第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，分别设置在所述第一像素单元与所述第二像素单元中所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管包括：第一有源层和第二有源层；刻蚀阻挡层，形成在第一有源层和第二有源层上，且在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之间具有第一过孔；第一源电极和第二源电极，形成在所述刻蚀阻挡层上，通过所述第一过孔分别与所述第一有源层和所述第二有源层电连接。所述阵列基板有效减小了薄膜晶体管的高度，削弱了后续工艺中摩擦配向不完全导致漏光的风险。
一种薄膜晶体管阵列液晶显示装置

[发明专利]阵列基板、显示装置和制造阵列基板的方法-CN201780001151.0在审
发明人：曲连杰;春晓改;高雪;赵合彬;石广东;刘帅;齐永莲;贵炳强 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板、显示装置和制造阵列基板的方法。该阵列基板具有多个第一底栅型薄膜晶体管和多个第二底栅型薄膜晶体管，多个第一底栅型薄膜晶体管中的每一个包括金属氧化物有源层，多个第二底栅型薄膜晶体管中的每一个包括硅有源层。
阵列基板底栅型薄膜晶体管显示装置金属氧化物有源层硅有源层制造申请

[发明专利]薄膜晶体管组件、阵列基板及其制作方法、和显示装置-CN201410645972.6有效
发明人：孙双;张方振;牛菁;吕志军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：公开了一种薄膜晶体管组件、阵列基板及其制作方法、和包括这种阵列基板的显示装置。阵列基板包括：基板；多个薄膜晶体管，形成在所述基板上；以及多个遮光层，每个遮光层在所述基板上设置在所述薄膜晶体管的源极和漏极之间并被构造成用于阻挡光线从外部进入相应薄膜晶体管的有源层。其中，所述遮光层与薄膜晶体管的源极和漏极在所述基板上形成在同一层中。可以利用相同的材料通过一次构图工艺形成遮光层、薄膜晶体管的源极和漏极、以及数据线，减少了构图工艺的次数和掩模板的使用数量，从而简化了阵列基板的制作工艺，降低了制作成本。
薄膜晶体管组件阵列及其制作方法显示装置

[实用新型]阵列基板、显示面板及显示装置-CN202220766843.2有效
发明人：唐榕;康报虹 -专利权人：绵阳惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本申请涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置，阵列基板包括衬底和在衬底上阵列分布的多个薄膜晶体管，还包括位于衬底与薄膜晶体管之间的挡光层，且挡光层在衬底上的正投影覆盖薄膜晶体管在衬底上的正投影，其中，挡光层包括反光层和位于反光层与薄膜晶体管之间的遮光层，遮光层在衬底上的正投影覆盖反光层在衬底上的正投影，反光层形成有多个凹槽，且凹槽的内凹面朝向衬底。本申请可以降低光照对薄膜晶体管的影响，避免显示面板产生串扰、残像等显示不良的问题。
阵列显示面板显示装置

[发明专利]阵列基板及其制作方法-CN201610066613.4有效
发明人：陈归;龚强 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制作方法。阵列基板包括：玻璃基板，玻璃基板上依次设置遮光金属层和缓冲层；薄膜晶体管层，设置在缓冲层上，薄膜晶体管层包括栅绝缘层和薄膜晶体管，其中薄膜晶体管位于遮光金属层上方；绝缘层、有机透明层，依次设置在薄膜晶体管层上；像素电极层，像素电极层通过第一通孔与薄膜晶体管的源/漏极连接；触控电极层，触控电极层通过第二通孔与遮光金属层连接；钝化层，设置在像素电极层与触控电极层之间。
薄膜晶体管层薄膜晶体管触控电极层像素电极层遮光金属层阵列基板玻璃基板依次设置缓冲层通孔制作绝缘层触控电极栅绝缘层耦合电容源/漏极钝化层透明层信号线

[发明专利]液晶显示面板-CN200710139865.6有效
发明人：刘振宇 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2007-07-23 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示面板，包括薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光基板及液晶层。薄膜晶体管阵列基板具有多个像素结构，每一像素结构包括扫描线、数据线、薄膜晶体管及像素电极。扫描线与数据线在薄膜晶体管阵列基板上定义出像素区域。薄膜晶体管与扫描线及数据线电性连接。像素电极配置于像素区域且透过薄膜晶体管与数据线电性连接。彩色滤光基板与薄膜晶体管阵列基板相对设置。液晶层配置于上述两基板之间。像素区域包括第一子像素区域与第二子像素区域，而对应第一子像素区域的液晶层的第一液晶间隙小于对应第二子像素区域的液晶层的第二液晶间隙。
液晶显示面板

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201210492962.4有效
发明人：张弥 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，提供了一种阵列基板，包括：栅线、数据线及栅线和数据线交叉定义的像素单元，每个像素单元包括：第一薄膜晶体管，还包括：第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管共用栅极及有源层，用于在第一薄膜晶体管的沟道处形成一开启电压，与所述栅极提供的开启电压共同开启第一薄膜晶体管的沟道。本发明还公开了上述阵列基板的制作方法及包括上述阵列基板的显示装置。本发明通过第二薄膜晶体管为第一薄膜晶体管的沟道提了开启电压，即与第一薄膜晶体管的栅极一起形成第一薄膜晶体管的双驱动电压，使栅线提供的开启电压在相对较低的情况下也能开启第一薄膜晶体管的沟道，从而降低了功耗
阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法-CN202110796532.0在审
发明人：王若男;周星宇 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。阵列基板包括衬底基板、薄膜晶体管层、钝化层和阳极层，其中薄膜晶体管层设置在衬底基板上，薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层、与有源层对应的栅极，以及与有源层电连接的漏极和源极；钝化层设置在薄膜晶体管层上，钝化层对应源极的位置开设有第一通孔；阳极层设置在钝化层上，阳极层包括阳极，阳极穿过第一通孔与源极电连接。本申请通过将阳极直接设置在钝化层上，在形成阳极层时，可以通过对钝化层的处理，直接在钝化层上形成阳极，而无需单独对阳极层进行处理，从而简化工艺流程，提高阵列基板的生产效率，降低生产成本。
阵列显示面板制作方法

[发明专利]阵列基板、显示面板、显示装置-CN201580000828.X有效
发明人：许睿;陈小川;王磊;杨明;王海生;杨盛际;刘英明;赵卫杰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种用于有机发光二极管显示面板的阵列基板，所述阵列基板包括基板、薄膜晶体管层、阳极层和阴极层，薄膜晶体管层包含多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包含源极和漏极；阳极层包含多个阳极电极，用于施加阳极电压，每个阳极电极连接到对应的薄膜晶体管的源极和漏极中的一个；阴极层包含多个用于分时复用且相互绝缘的触摸电极，其中，阴极电压和触摸感应电压被施加在所述多个触摸电极上。
阵列显示面板显示装置