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[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置-CN201810220601.1有效
发明人：龙春平 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。所述阵列基板包括：设置在衬底基板上的薄膜晶体管和微型发光二极管LED；所述微型LED包括层叠设置的第一电极、第一缓冲层、发光层和第二电极，所述第一缓冲层与所述薄膜晶体管的有源层同层设置；所述薄膜晶体管的栅极与栅线连接，所述薄膜晶体管的第一极与数据线连接，所述薄膜晶体管的第二极与所述第一电极或所述第二电极连接。本申请提供的阵列基板的制造成本较低，且稳定性和发光效率较高。
阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法-CN201410225542.9在审
发明人：李厚烨 -专利权人：昆山龙腾光电有限公司
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：薄膜晶体管阵列基板包括基底、薄膜晶体管单元、支撑部、绝缘平坦层、第一电极、绝缘保护层和第二电极。薄膜晶体管单元包括漏极。支撑部位于基底上并位于薄膜晶体管单元的靠近漏极的一侧。绝缘平坦层覆盖薄膜晶体管单元并具有第二通孔露出电极连接部。绝缘保护层设有与第二通孔连通的第一通孔。第二电极填入第一通孔和第二通孔中与电极连接部电性连接。本发明还涉及薄膜晶体管阵列基板的制作方法。此薄膜晶体管阵列基板及其制作方法能有效避免盲孔的出现，提高漏极与第二电极电连接的良率，有利于减少点缺陷，提升显示品质。
薄膜晶体管阵列及其制作方法

[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN201710167748.4有效
发明人：楼均辉 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明描述了一种薄膜晶体管阵列基板，包括：基板和设置在所述基板上的薄膜晶体管；其中薄膜晶体管还包括依次覆盖在数据线上的有源层图案和刻蚀阻挡层图案；第一绝缘层，覆盖所述刻蚀阻挡层；导电层，设置在第一绝缘层上，并通过设置在所述第一绝缘层和所述刻蚀阻挡层上的过孔与所述有源层连接；本发明还描述了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。
一种薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置-CN201610040536.5在审
发明人：秦纬 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管的制作方法包括：形成互补型薄膜晶体管，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管。以金属氧化物作为半导体层材料的互补型薄膜晶体管具有均一性好，迁移率高，功耗低等优点，可应用于大面积的显示装置。
一种薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置-CN201610970462.5在审
发明人：朱夏明 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。其中，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管，所述方法包括：通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层。本发明的技术方案能够减少金属氧化物CMOS薄膜晶体管的构图次数。
薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法以及显示装置-CN201610045906.4在审
发明人：闫梁臣;袁广才;徐晓光;王磊;彭俊彪;兰林锋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;华南理工大学
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法，以提高薄膜晶体管半导体层的抗酸性，并降低薄膜晶体管的制备成本。薄膜晶体管包括半导体层，所述半导体层包括掺入锡的氧化锆。在本发明的技术方案中，退火处理后的半导体层的抗酸性较强，可以在其表面通过湿法刻蚀形成源漏电极层，相比现有技术，无需设置刻蚀阻挡层，因此，薄膜晶体管的制备工艺得到了简化，生产成本较低；并且，氧化锆中掺入锡后，锡可以调控氧化锆的能带结构，使氧化锆的能级发生变化，进而容易形成载流子，增强了半导体层的导电性；此外，该薄膜晶体管的半导体层不包含铟，因此大大降低了制备成本。
薄膜晶体管阵列及其制备方法以及显示装置

[发明专利]薄膜晶体管液晶显示装置-CN201710199326.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：肇庆端州湖水机电科技有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示装置。薄膜晶体管液晶显示装置包括彩膜基板、液晶层、薄膜晶体管阵列基板和背光模组；彩膜基板、薄膜晶体管阵列基板和背光模组叠加组合为一体，液晶层设置于彩膜基板和薄膜晶体管阵列基板之间；彩膜基板包括第一基板、彩膜层、黑色矩阵层、共通电极层、间隔子组合层、第一配向膜层，彩膜层包括红色色阻块、绿色色阻块、蓝色色阻块、白色色阻块；红色色阻块、绿色色阻块、蓝色色阻块和白色色阻块中均嵌套有网状夹层，网状夹层用于提高红色色阻块本发明能提高薄膜晶体管液晶显示装置中的色阻块的结构强度，避免色阻块因薄膜晶体管液晶显示装置受到外力的挤压作用而部分剥落。
薄膜晶体管液晶显示装置

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201210475875.8有效
发明人：范昭奇;刘同军;段献学;杨成绍;邓立赟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板及制作方法、显示装置，通过在GOA区域中，刻蚀掉的薄膜晶体管连接区域的栅极绝缘层、有源半导体层，而使薄膜晶体管连接区域中的透明导电层直接与薄膜晶体管的栅极引线、欧姆接触层、源漏极引出线以及基板直接接触，从而可减少的薄膜晶体管连接区域的透明导电层发生开裂的情况，而在GOA区域中薄膜晶体管所在区域，通过在欧姆接触层与有源半导体层之间增设绝缘阻挡层，从而避免薄膜晶体管发生沟道断开的现象。
阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]显示装置及显示面板-CN202010600624.2有效
发明人：李清亮 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示装置及显示面板，显示面板具有显示区和位于所述显示区的至少一侧的非显示区，显示面板包括：薄膜晶体管阵列基板，薄膜晶体管阵列基板包括有机填充层和平坦化层，有机填充层位于非显示区的凹槽内，平坦化层覆盖有机填充层和薄膜晶体管阵列基板与显示区对应的部分；像素定义层，像素定义层覆盖平坦化层的至少一部分；发光功能层，发光功能层设置在薄膜晶体管阵列基板与显示区对应的部分；光阻层，光阻层覆盖发光功能层和像素定义层的至少一部分；无机材料层，无机材料层设置于薄膜晶体管阵列基板上；固化胶层，固化胶层设置在光阻层与非显示区对应的部分，并覆盖无机材料层。
显示装置显示面板

[发明专利]阵列基板及OLED显示装置-CN201980073505.1在审
发明人：晏国文;袁泽 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请提出一种阵列基板及OLED显示装置，其中阵列基板包括第一薄膜晶体管(10)及第二薄膜晶体管(20)；第一薄膜晶体管(10))包括第一栅极(11)、第一半导体(12)及第一金属层(13)，第一栅极(11)与第一半导体(12)构成晶体管结构，第一金属层(13)与第一栅极(11)电连接；第二薄膜晶体管(20)包括第二栅极(21)、第二半导体(22)、第二源极(221)及第二金属层(23)，第二栅极(21)与第二半导体(22)构成晶体管结构，第二金属层(23)与第二源极(221)电连接。在第一薄膜晶体管(10)中第一栅极(11)与第一金属层(13)电连接，可增强第一薄膜晶体管(10)的电传输能力，利于静电释放，以增强基板稳定性。
阵列 oled 显示装置

[发明专利]一种多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法-CN201410640940.7有效
发明人：胡合合 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法。本发明通过两步法形成多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板的多晶氧化物薄膜层，克服了现有技术中需要在超高温退火，实现在现有的非晶氧化物薄膜晶体管阵列基板制备工艺制备多晶氧化物薄膜晶体管阵列基板，不需要增加特殊设备和特殊工艺易于实现
一种多晶氧化物薄膜晶体管阵列及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、修复方法和阵列基板-CN201310484547.9有效
发明人：金基用;罗丽平;许朝钦;李正勋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、修复方法和阵列基板，涉及显示技术领域，解决了薄膜晶体管经修复后不能正常工作，以及包括该薄膜晶体管的阵列基板经修复后像素单元成为暗点，影响阵列基板良品率的技术问题该薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，所述源极包括相互独立的第一源极部和第二源极部，所述第一源极部和所述第二源极部分别与所述有源层电连接；和/或，所述漏极包括相互独立的第一漏极部和第二漏极部，所述第一漏极部和所述第二漏极部分别与所述有源层电连接。本发明还提供了一种该薄膜晶体管的制作方法、修复方法和包括该薄膜晶体管的阵列基板。
薄膜晶体管及其制作方法修复方法阵列

[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板-CN202110906207.5在审
发明人：江志雄 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板。阵列基板包括基板和设置在基板上的薄膜晶体管层，薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层、与有源层电连接的源漏极、与有源层对应的第一栅极和第二栅极；第一栅极和第二栅极之间设有第一绝缘层，第一绝缘层上开设有通孔通过在阵列基板中设置层叠的第一栅极和第二栅极，并使第一栅极和第二栅极电连接，在减小了薄膜晶体管栅极电阻的同时，也避免了制作一层较厚的栅极时导致的蚀刻困难和蚀刻时间过长的问题。
阵列制作方法显示面板

[发明专利]显示模组及应用其的触控显示面板及电子装置-CN201910261962.5有效
发明人：钟金峰;江显伟 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种显示模组，包括：一基板，所述基板包括显示区和非显示区，所述非显示区围绕所述显示区设置；一薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管设置于所述显示区内，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、绝缘层以及第一钝化层；一阻挡部，所述阻挡部设置于所述非显示区，所述阻挡部的至少部分与所述栅极、源极、漏极、绝缘层或第一钝化层中的至少一层的材料相同。
显示模组应用面板电子装置

[发明专利]阵列基板及其制备方法、OLED显示面板-CN202210156350.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法、OLED显示面板，该阵列基板包括形成于基板一侧的薄膜晶体管阵列层，薄膜晶体管阵列层中分布的栅极线的部分区域和数据线的部分区域分别沿与各自垂直的方向延伸，使得栅极线和数据线的截面积在部分区域增大，即栅极线和数据线部分加厚，从而不需要使得栅极线和数据线与其他金属走线之间的间隔增大，就能起到减小栅极线和数据线的电阻的作用，同时，将栅极线的部分区段和数据线的部分区段的延伸部分填充薄膜晶体管阵列层中的金属走线之间的空白区域，还能够起到减小薄膜晶体管阵列层的高低段差的作用，避免后续在薄膜晶体管阵列层上沉积的薄膜也存在高低段差较大的后果。
阵列及其制备方法 oled 显示面板