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[发明专利]一种阵列基板及其制作方法-CN201811061860.0在审
发明人：高颖;周星宇 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板及其制作方法，该阵列基板包括衬底、第一金属遮光图案、缓冲层和第一薄膜晶体管，第一金属遮光图案形成于衬底上，缓冲层用于覆盖第一金属遮光图案，第一薄膜晶体管形成于缓冲层上且位于第一金属遮光图案的正上方；其中，第一薄膜晶体管包括第一顶栅图案，第一顶栅图案与第一金属遮光图案电连接。通过上述方式，本申请能够防止第一薄膜晶体管被光照射，且使得第一薄膜晶体管的发热减少。
薄膜晶体管遮光图案金属阵列基板缓冲层衬底顶栅图案电连接光照射申请制作发热覆盖

[发明专利]一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置-CN201710233298.4在审
发明人：贺芳;王利忠;李东升 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置，由于在制备开关薄膜晶体管的有源层和驱动薄膜晶体管的有源层时，采用激光对与开关薄膜晶体管对应的第一预设区域和与驱动薄膜晶体管对应的第二预设区域进行照射，使第一预设区域的非晶硅薄膜形成的多晶硅薄膜的晶化程度大于第二预设区域的非晶硅薄膜形成的多晶硅薄膜的晶化程度，有效的控制了驱动薄膜晶体管对应的有源层的非晶硅薄膜的晶化程度，使驱动薄膜晶体管的载流子迁移率降低，因此，与现有技术相比，在保证开关晶体管的载流子的迁移率的基础上，无需增加沟道长度就可以降低驱动薄膜晶体管载流子的迁移率，保证了显示面板的高分辨率。
一种阵列制备方法显示装置

[发明专利]压力传感阵列及其制备方法-CN202111413862.3有效
发明人：郭小军;陈苏杰;李骏 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01L1/20 文献下载
摘要：本发明涉及传感技术领域，尤其涉及一种压力传感阵列及其制备方法。所述压力传感阵列包括：传感区，包括薄膜晶体管阵列、位于所述薄膜晶体管阵列表面的压敏薄膜、位于所述压敏薄膜表面的顶电极、以及位于所述薄膜晶体管阵列中间区域的行驱动信号电路，所述薄膜晶体管阵列包括呈阵列排布的多个薄膜晶体管，所述行驱动信号电路用于向所述薄膜晶体管传输行驱动信号；引脚区，位于所述传感区的外部，所述行驱动信号电路自所述薄膜晶体管阵列的中间区域引出至所述引脚区。本发明提供的压力传感阵列实现按需裁剪的个性化应用，并提高传感阵列的面积利用率和抗干扰性。
压力传感阵列及其制备方法

[发明专利]柔性OLED模组堆叠结构及其制备方法-CN201910103183.2有效
发明人：向磊 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本揭示提供一种柔性OLED模组堆叠结构及其制备方法，柔性OLED模组堆叠结构包括：衬底基板、薄膜晶体管阵列层、OLED器件层、薄膜封装层、盖板、泡棉层，薄膜晶体管阵列层设置于衬底基板上，OLED器件层设置于薄膜晶体管阵列层上，薄膜封装层设置于OLED器件层上并完全覆盖OLED器件层，盖板设置于薄膜封装层的一端，泡棉层设置于衬底基板远离薄膜晶体管阵列层的一侧。通过利用保护膜取代背板并将该保护膜撕除，由于泡棉层可对该衬底基板起到支撑、缓冲及保护的作用，因此该柔性OLED模组堆叠结构整体厚度减小，贴合难度小，切割过程中产生灰烬较少，从而降低了生产成本。
柔性 oled 模组堆叠结构及其制备方法

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置-CN201710557052.2有效
发明人：钟彩娇;林友道;周婷;沈柏平 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域。该阵列基板包括衬底基板，以及沿远离衬底基板方向依次设置的辅助遮光层、绝缘层、主遮光层和缓冲层，多条栅线和多条数据线限定出多个像素区域，像素区域内设置有薄膜晶体管；其中，辅助遮光层包括多个第一辅助遮光部，主遮光层包括多个主遮光部，薄膜晶体管的有源层的沟道区在阵列基板上的正投影，位于主遮光部在阵列基板上的正投影内，且薄膜晶体管的有源层的沟道区在阵列基板上的正投影，位于第一辅助遮光部在阵列基板上的正投影内。本发明实施例提供的技术方案能够减小照射至薄膜晶体管的有源层的沟道区的光线的强度，降低薄膜晶体管的光漏流。
一种阵列及其制作方法显示面板显示装置

[实用新型]薄膜晶体管液晶显示面板-CN201620404454.X有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-05-07 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜晶体管液晶显示面板，薄膜晶体管液晶显示面板包括第一偏光板、彩色滤光片基板、液晶层、薄膜晶体管阵列基板、第二偏光板、背光模组和控制电路，控制电路与背光模组、彩色滤光片基板和薄膜晶体管阵列基板电性连接；其中，薄膜晶体管阵列基板包括：器件组合板，钝化层，设置在器件组合板上，钝化层上设置有孔洞和凹槽阵列，凹槽阵列包括至少一凹槽；像素电极层，设置在钝化层上以及凹槽阵列内，像素电极层通过孔洞与第二信号线层连接；第二配向膜层；共通电极层上设置有线形条纹，线形条纹所在的直线与凹槽所在的直线的夹角处于30度至60度的范围内；本实用新型能提高显示效果。
薄膜晶体管液晶显示面板

[发明专利]TFT阵列基板及其制造方法、显示装置-CN201610202895.6在审
发明人：刘政 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了TFT阵列基板及其制造方法，以及包括该TFT阵列基板的显示装置。该TFT阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板上的两个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括具有源区和漏区的有源层，这两个薄膜晶体管的两个有源层在垂直于衬底基板的方向上相互叠置，且这两个有源层中的一个有源层的漏区与另一个有源层的源区电连接，使得这两个薄膜晶体管串联连接，由此能够在保持总的有效沟道长度不变的同时，减小或节省每个薄膜晶体管在基板上所占的面积，有利于显示面板的高分辨率设计。
tft 阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]阵列基板及液晶显示面板-CN202010179661.0在审
发明人：张子翔 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板及液晶显示面板，所述阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管层和色阻层、设置于所述色阻层上的像素电极层和第一隔垫物，其中所述第一隔垫物与所述薄膜晶体管层上的薄膜晶体管在竖直方向上错开设置；所述液晶显示面板包括上述阵列基板。本申请通过将所述第一隔垫物与所述薄膜晶体管在竖直方向上错开设置，避免了所述第一隔垫物长期挤压所述薄膜晶体管而导致其功能异常，有利于维持所述液晶显示面板的性能稳定性，提升用户使用体验。
阵列液晶显示面板

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置-CN202011184929.6有效
发明人：陈发祥;白青;孙丹丹 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种阵列基板及其制备方法、显示装置，阵列基板包括：含氢层；氧化物半导体薄膜晶体管；吸氢层，所述吸氢层位于所述含氢层和所述氧化物半导体薄膜晶体管之间，所述吸氢层的材料包括氧化物半导体材料。所述阵列基板能够降低氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压的负向偏移程度。
一种阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]阵列基板和显示面板-CN202211667772.1在审
发明人：丘旺康;刘兆松;请求不公布姓名 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括基板和设于基板上的第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括依次层叠于基板上的第一有源层和绝缘层，第一薄膜晶体管还包括氧化物层，氧化层直接层叠于第一有源层上且位于第一有源层和绝缘层之间。本发明通过在低温多晶硅薄膜晶体管的有源层上直接设置氧化物层，利用氧化物层覆盖半导体层的晶界突起，平坦有源层表面上的凹凸，避免因为绝缘层直接覆盖在低温多晶硅薄膜体管的有源层导致二者之间的界面状态异常，从而避免了因该界面状态异常导致的系列问题
阵列显示面板

[发明专利]一种阵列基板和显示面板-CN202110336074.2在审
发明人：张旭阳;李俊峰;陈发祥;刘雪 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板和显示面板，该阵列基板包括：衬底基板、薄膜晶体管、缓冲层和遮光层；其中，缓冲层设置于衬底基板与薄膜晶体管层之间；遮光层设置于缓冲层与衬底基板之间；遮光层能够使得从薄膜晶体管向衬底基板方向的光反射率不大于37％，并使得从衬底基板向薄膜晶体管方向的光透过率不大于0.45％。
一种阵列显示面板

[发明专利]OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置-CN201310682551.6无效
发明人：亢澎涛 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，属于主动矩阵式有机发光显示器（AMOLED）技术领域，其可解决现有的OLED阵列基板中开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管制成相同性能参数的薄膜晶体管，因此不利于有效的开启和闭合开关薄膜晶体管及灰阶的控制的问题。本发明的OLED阵列基板，其包括：开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管的S因子小于驱动薄膜晶体管的S因子。
oled 阵列及其制备方法显示面板显示装置

[发明专利]感光元件、光传感器及其制造方法-CN200810149209.9无效
发明人：蔡志鸿;徐睿腾;刘挺中;萧建智 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2008-09-17 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：一种光传感器包含薄膜晶体管阵列、感光元件阵列及保护层。所述感光元件阵列电连接于所述薄膜晶体管，其中每一感光元件包含上电极层。所述保护层用于覆盖所述感光元件阵列及所述薄膜晶体管阵列，并包含上层及下层，其中所述下层配置于所述感光元件阵列的上电极层上，所述上层配置于所述下层上，且所述下层的折射率大于所述上层的折射率。
感光元件传感器及其制造方法

[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板-CN201911013083.7在审
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的金属氧化物薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管，所述金属氧化物薄膜晶体管与所述多晶硅薄膜晶体管间隔设置，所述金属氧化物薄膜晶体管位于第一区域，用于驱动像素电极，所述多晶硅薄膜晶体管位于第二区域，用于控制金属氧化物薄膜晶体管。本发明实施例提供的阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，分区域设计，工艺上兼容，有效地解决了多晶硅薄膜晶体管的技术瓶颈，使其能应用于大尺寸显示面板，同时能有效降低显示面板的功耗
金属氧化物薄膜晶体管多晶硅薄膜晶体管阵列基板显示面板衬底基板大尺寸显示面板第二区域第一区域技术瓶颈间隔设置像素电极分区域有效地功耗制作兼容驱动应用

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示器件-CN201210011540.0无效
发明人：袁广才 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示器件，涉及显示器件制造技术领域，提高薄膜晶体管的特性。该薄膜晶体管，包括：在透明基板上依次形成栅极、栅绝缘层、半导体有源层、刻蚀阻挡层和源/漏电极层；通过对半导体有源层采用分层优化的方案，形成低氧、高导通半导体的底层和高氧、低导通半导体的顶层；实现低的关态电流Ioff和高的开态电流Ion；同时由于是分层优化方案也降低了工艺过程对半导体有源层的影响。本发明实施例用于薄膜晶体管、阵列基板的制造，及利用上述薄膜晶体管、阵列基板驱动的显示器件。
一种薄膜晶体管及其制造方法阵列显示器件