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[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板-CN201410694784.2有效
发明人：林欣桦;高逸群 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板。本发明的薄膜晶体管阵列基板，其包括第一基底、设置于该第一基底上的栅极、覆盖该栅极及该基板的栅极绝缘层、设置于该栅极绝缘层上且对应于该栅极上方的有源层、位于该有源层上的蚀刻阻挡层、位于该蚀刻阻挡层上的源极与漏极及覆盖该薄膜晶体管的钝化层，该蚀刻阻挡层的材质为彩色光阻。本发明的薄膜晶体管阵列基板及具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示面板，提高了彩膜基板与阵列基板对位的准确率，提高透光率。
薄膜晶体管阵列液晶显示面板

[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板-CN202110668053.0有效
发明人：宋利旺;高冬子 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板。阵列基板包括依次层叠设置的基板、薄膜晶体管层、钝化层和第二栅极层。薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括第一栅极、与第一栅极对应设置的有源层，以及与有源层电连接的源漏极；第二栅极层包括与第一栅极位置对应的第二栅极。通过在钝化层上设置第二栅极层，并使第二栅极层的第二栅极与薄膜晶体管中的第一栅极对应，提高了薄膜晶体管的开态电流和充电率；同时在制作第二栅极时，可以使第二栅极层和像素电极层通过同一制程制作，避免增加额外的光罩和制程
阵列制作方法显示面板

[发明专利]薄膜晶体管显示面板的制造方法-CN201710199043.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：肇庆端州湖水机电科技有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管显示面板的制造方法，该方法包括A、形成彩膜基板；B、形成薄膜晶体管阵列基板；C、将彩膜基板、薄膜晶体管阵列基板叠加为一体；D、将液晶层设置于彩膜基板和薄膜晶体管阵列基板之间；E、在彩膜基板和薄膜晶体管阵列基板的表面分别设置第一、第二偏光板；F、形成背光模组；G、将背光模组设置在第二偏光板背向薄膜晶体管阵列基板的一面；步骤B包括b1、在第二基板上设置扫描线；b2、在第二基板上设置薄膜晶体管开关，相邻两薄膜晶体管开关分别为顶栅结构、底栅结构；b3、在第二基板上设置数据线；b4、在第二基板上设置像素电极；b5、在第二基板上设置第二配向膜层。
薄膜晶体管显示面板制造方法

[实用新型]一种阵列基板和显示面板-CN202020099612.1有效
发明人：秦旭;侯亚辉;张露;胡思明;韩珍珍 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板和显示面板，该阵列基板包括衬底、多个像素单元和高电位电源电压线，其中，每个像素单元包括至少一薄膜晶体管组，每个薄膜晶体管组包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的有源层分别包括沟道区域、源区域和漏区域，第一薄膜晶体管的漏区域与第二薄膜晶体管的源区域连接在一起，从而使第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管连接在一起，且第一薄膜晶体管的漏区域和第二薄膜晶体管的源区域构成薄膜晶体管组的双栅节点；双栅节点在衬底上的正投影至少部分位于高电位电源电压线在衬底上的正投影中
一种阵列显示面板

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板、液晶显示器及其制造方法-CN200510129759.0无效
发明人：金性澔;朴京淳;朴庆珉;姜承坤;柳春基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-05 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，使用所述薄膜晶体管阵列面板的液晶显示器及其制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板，具有包括多个像素区的显示区和包围所述显示区的周边区；多个薄膜晶体管，分别形成于所述像素区中；钝化层，由有机材料制成并且覆盖所述薄膜晶体管；多个像素电极，分别连接到所述薄膜晶体管并且形成于所述像素区的钝化层上；有机阻挡构件，用与所述像素电极相同的层形成并且设置在周边区中；以及密封剂，包围所述显示区并且形成于所述周边区的钝化层上，其中所述有机阻挡构件与所述密封剂重叠。
薄膜晶体管阵列面板液晶显示器及其制造方法

[发明专利]阵列基板和显示面板-CN202111501303.8在审
发明人：蒙艳红 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种阵列基板和显示面板，包括：基板、薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基板上，所述薄膜晶体管包括有源层，以及遮光层，所述遮光层设置在所述基板上，所述遮光层遮挡所述有源层，所述遮光层的材料包括硅半导体材料；采用遮光层遮蔽有源层，可以大大提高薄膜晶体管的光稳定性，延长薄膜晶体管的使用寿命。
阵列显示面板

[发明专利]阵列基板、显示面板以及显示面板的控制方法-CN201811604177.7有效
发明人：程薇 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G02F1/1334 文献下载
摘要：本申请提供了一种阵列基板、显示面板以及显示面板的控制方法。所述阵列基板包括衬底层、阵列层、平坦层、第一绝缘层、金属层、第二绝缘层、公共电极层、钝化层和第一ITO层，所述阵列层包括若干第一薄膜晶体管和若干第二薄膜晶体管，所述第一ITO层与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电连接，在所述第一绝缘层上和所述第二绝缘层之间还设置有第二ITO层和聚合物分散液晶层，所述第二ITO层与所述第二薄膜晶体管的第二源漏极电连接、且与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电绝缘。
阵列显示面板以及控制方法

[发明专利]一种阵列基板、显示面板及制作方法-CN201611025995.2有效
发明人：吴天一;马骏 -专利权人：上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、显示面板及制作方法，所述阵列基板包括：第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管形成于衬底基板的上方，所述第一薄膜晶体管包含金属氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包含非晶硅薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述阵列基板的显示区，所述第二薄膜晶体管位于所述阵列基板的周边电路区。本发明通过在阵列基板显示区使用金属氧化物薄膜晶体管，在阵列基板周边电路区使用非晶硅薄膜晶体管，解决了金属氧化物薄膜晶体管无法同时满足显示面板对正偏压稳定性和阈值电压要求的问题，实现了在改善画面显示效果的同时
一种阵列显示面板制作方法

[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示面板-CN201610059810.3有效
发明人：李良坚;高山镇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，通过将一部分薄膜晶体管即第一薄膜晶体管制作在第一基板上，将另一部分薄膜晶体管即第二薄膜晶体管制作在第二基板上，且第二薄膜晶体管位于与第一基板的各遮光区域对应区域中，并通过至少贯穿第一基板的第一过孔使第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管电性连接，与现有的阵列基板中将属于同一像素区域中的多个薄膜晶体管均设置于一个基板上相比，本发明实施例提供的上述阵列基板，通过叠层方式可以使第一基板中用于设置薄膜晶体管的遮光区域的面积减小，从而可以在较小的像素区域中设置较多的薄膜晶体管，进而提高显示的分辨率；并且，还可以提高阵列基板的开口率。
一种阵列制作方法显示面板

[发明专利]液晶显示面板与液晶显示模块-CN200410083956.9无效
发明人：胡正中;萧宪昌 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2004-10-14 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种液晶显示面板，包括薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光基板、液晶层、上偏光板与下偏光板。彩色滤光基板设置在薄膜晶体管阵列基板之上方，而液晶层设置在薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板之间。另外，下偏光板设置在薄膜晶体管阵列基板上，而下偏光板例如包括偏光片与设置于偏光片之表面上之光散射层。
液晶显示面板模块

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板-CN202110028217.3在审
发明人：朱阳杰;安亚斌;贺海明 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供本申请提供了一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板，薄膜晶体管阵列基板中的薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极及漏电极、至少一个薄膜晶体管绝缘层；栅电极覆盖半导体层的沟道区，源电极及漏电极分别与半导体层的源区及漏区电连接；薄膜晶体管绝缘层位于半导体层所在膜层、栅电极所在膜层、源电极/漏电极所在膜层中的相邻两者之间；薄膜晶体管绝缘层中除接触孔之外的其他区域完全覆盖半导体层。在本申请实施例中，薄膜晶体管绝缘层除接触孔外为整面结构，也就是不会对该些绝缘层做图形化处理，因此可以极好的保护半导体层的完整性，确保薄膜晶体管的性能稳定。
薄膜晶体管阵列及其制备方法显示面板

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板结构及其制造方法-CN200710087867.5有效
发明人：刘佑玮;林惠芬;甘丰源;李淑琴;黄彦衡 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板结构，包括薄膜晶体管阵列基板，形成于该基板上的有机材料层，以及多个设置于该有机材料层上的黑矩阵与彩色滤光图案。本发明另提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。
薄膜晶体管阵列板结及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板结构及其制造方法-CN200610088729.4无效
发明人：刘佑玮;甘丰源;李淑琴;黄彦衡 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2006-06-05 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板结构，包括薄膜晶体管阵列基板，形成于该基板上的有机材料层，以及多个设置于该有机材料层上的黑矩阵与彩色滤光图案。本发明另提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。
薄膜晶体管阵列板结及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法-CN201580050563.4在审
发明人：松原亮平;石崎守;西泽诚 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种晶体管特性的均匀性较高的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列，在基板上以矩阵状配置有多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括形成在栅极绝缘层上的源电极及漏电极、以及形成在栅极绝缘层上且源电极与漏电极之间的半导体层，其中，半导体层跨越多个薄膜晶体管而形成为条纹形状，条纹的长轴方向与晶体管的沟道宽度方向一致，条纹的短轴方向的截面膜厚形状为从半导体条纹的中央朝向外侧而膜厚逐渐变薄的形状。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置-CN201510303491.1在审
发明人：李晓光;刘晓伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，所述阵列基板包括衬底和设置在该衬底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，所述阵列基板还包括设置在所述薄膜晶体管的有源层上方的遮光层，所述遮光层至少覆盖所述薄膜晶体管的沟道区域本发明可以减少光线对有源层的照射，降低漏电流，从而减小串扰、电压闪变、影像残留等现象，改善显示效果。
阵列及其制作方法显示面板显示装置