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[发明专利]一种显示面板、其制作方法及显示装置-CN201910695857.2有效
发明人：马涛;王云龙;杨成绍;季雨;刘胜利 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板、其制作方法及显示装置，该显示面板，包括：衬底基板，位于衬底基板之上的薄膜晶体管；其中，薄膜晶体管，包括：栅极，与栅极绝缘设置的有源层，与有源层直接接触电连接且相对设置的两个欧姆接触部；欧姆接触部分为第一区域和第二区域；第一区域在衬底基板上的正投影与栅极在衬底基板上的正投影互不交叠；第二区域在衬底基板上的正投影与栅极在衬底基板上的正投影具有交叠区域；欧姆接触部在第一区域包括第一轻掺杂区。通过在欧姆接触部的第一区域设置第一轻掺杂区，使栅极未遮挡的位置处的载流子浓度降低，可有效降低漏电流，并且，增加了沟道长度，也对漏电流有一定降低作用。
一种显示面板制作方法显示装置

[发明专利]液晶手写板及其制备方法、手写装置-CN202310004536.X在审
发明人： 杨成绍;张然;陈亮 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G02F1/139 文献下载
摘要：本申请公开了一种液晶手写板及其制备方法、手写装置，涉及显示技术领域。该液晶手写板的第一基板包括的多个晶体管中存在沿第一方向排布的两个晶体管之间的距离小于液晶手写板的任一子像素的宽度的1/5，因此可以提高第一方向上单位面积内晶体管的数量。进一步的，使得第一方向上距离较近的晶体管可以共同分摊静电，降低单个晶体管受到的静电的电荷量，进而降低晶体管被静电击穿的概率，确保液晶手写板对书写笔迹的擦除效果。
液晶手写板及其制备方法手写装置

[发明专利]阵列基板与显示装置-CN201911136168.4有效
发明人：马涛;杨成绍 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本公开是关于显示技术领域，涉及一种阵列基板与显示装置，阵列基板中的公共电极和像素电极其中一个的电极结构包括多个第一电极部与镂空部，各所述第一电极部在第一方向上呈往复迂回形延伸，多个所述第一电极部在第二方向上间隔排布，所述第一方向与所述第二方向相交；镂空部形成于相邻的两个所述第一电极部之间。本公开提供的电极结构，能够改善像素电压正负帧切换过程中每帧画面的亮度不同导致的闪烁现象。
阵列显示装置

[发明专利]阵列基板、显示装置及其驱动方法-CN201911328483.7有效
发明人：马涛;余巨峰;杨成绍;何为;罗标 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板，包括至少两个薄膜晶体管；所述至少两个薄膜晶体管之间设置有数据线，所述数据线下方设置有源层；所述有源层下方设置有遮光层，所述有源层的正投影位于所述遮光层内。本发明还提供了一种显示装置及其驱动方法。
阵列显示装置及其驱动方法

[发明专利]一种阵列基板和车载显示装置-CN201910865107.5有效
发明人：陈琳;杨成绍;马涛;王登峰;唐文浩 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板和车载显示装置，以解决现有技术中Dual Gate显示产品存在同一数据线两侧的子像素有一侧的像素发生闪烁的问题。所述阵列基板的所述第一晶体管包括：配置为与像素电极连接的源极、漏极、栅极、以及与所述栅极连接的补偿栅极，所述源极与所述栅极的交叠区和所述源极与所述补偿栅极的交叠区之和为第一交叠区；所述第二晶体管包括：配置为与像素电极连接的源极、漏极、栅极、以及与所述栅极连接的补偿栅极，所述源极与所述栅极的交叠区和所述源极与所述补偿栅极的交叠区之和为第二交叠区；所述第一交叠区和所述第二交叠区的面积相等。
一种阵列车载显示装置

[发明专利]一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法-CN202111552675.3在审
发明人：邵宗奇;杨成绍;罗贤佳豪 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请实施例提出了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，显示装置包括衬底基板及位于衬底基板一侧且呈矩阵分布的多个像素单元，像素单元包括驱动电路，驱动电路包括有源层和第一金属层。有源层位于衬底基板的一侧且包括沿远离衬底基板方向依次设置的第一半导体层及第二半导体层；第一金属层包括源极和漏极且位于第二半导体层远离衬底基板的一侧。衬底基板包括第一遮光区及与第一遮光区紧邻设置的第一透光区，源极和漏极在衬底基板上的正投影覆盖第一遮光区，且第一透光区位于源极和/或漏极在衬底基板上的投影的两侧，第一透光区不具有第二半导体层。本实施例能够提高显示装置的显示性能。
一种显示面板显示装置制作方法

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201910227559.0有效
发明人：曹可;桂学海;刘融;罗标;杨成绍 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，薄膜晶体管的制作方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成栅极，所述栅极的至少部分区域采用透明导电材料；形成覆盖所述栅极的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成非晶硅图形，所述至少部分区域在所述衬底基板上的正投影与所述非晶硅图形在所述衬底基板上的正投影至少部分重合；从所述非晶硅图形背离所述衬底基板的一侧和所述衬底基板背离所述非晶硅图形的一侧同时对所述非晶硅图形进行激光退火处理。本发明的技术方案能够加快多晶硅薄膜晶体管制作过程中，形成多晶硅时的结晶速度，提高多晶硅薄膜晶体管的生产效率。
薄膜晶体管阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板-CN201910110957.4有效
发明人：陈琳;马涛;唐新阳;杨成绍 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板。具体的，本发明提出了一种制备多晶硅薄膜的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成多晶硅预制层，所述多晶硅预制层的表面具有多个凸起；在所述多晶硅预制层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行第一灰化处理，去除部分光刻胶层，以便暴露出所述多个凸起；对所述多个凸起进行第二灰化处理，去除所述多个凸起；去除剩余的所述光刻胶层，以便形成所述多晶硅薄膜。由此，该方法可以简便地去除多晶硅预制层表面的凸起，使多晶硅薄膜的表面平整性较高，提高了多晶硅薄膜的使用性能。
制备多晶薄膜方法阵列显示面板

[发明专利]一种过孔的制作方法及显示基板的制作方法、显示基板-CN201710335236.4有效
发明人：万云海;杨成绍;王文龙;曹可 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种过孔的制作方法及显示基板的制作方法、显示基板，涉及显示制作技术领域，为解决因像素电极与漏极不能良好连接造成显示装置的画面显示质量降低的问题。所述过孔的制作方法：在源漏极层上形成钝化保护层；在钝化保护层与源漏极层的漏极对应的部位形成第一过孔；在钝化保护层上形成有机绝缘层；在有机绝缘层与第一过孔对应的部位形成第二过孔，第二过孔暴露出漏极，且第二过孔与第一过孔对应的部分的孔径小于第一过孔的孔径。采用所述过孔的制作方法形成第二过孔，第二过孔的孔壁均与有机绝缘层对应，像素电极通过第二过孔与漏极连接不会出现断线的现象，像素电极与漏极可以良好连接，从而可以改善显示装置的画面显示质量。
一种制作方法显示

[发明专利]一种显示装置-CN201910759830.5有效
发明人：唐新阳;杨成绍;马涛;刘融;刘胜利 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示装置，涉及显示技术领域，达到了提高显示装置保密效果的目的。本发明的主要技术方案为：包括：处理电路和显示面板，所述处理电路与所述显示面板相连接，所述处理电路用于向所述显示面板发送预设电压信号，所述显示面板包括像素层，所述像素层上阵列设置有大量的像素单元，每个所述像素单元包括至少三个子像素，每个所述像素单元中的所述子像素杂乱排布，所述显示面板根据所述预设电压信号控制各个所述子像素对应区域的加载电压。本发明主要用于显示装置的制造。
一种显示装置

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板-CN201710344384.2有效
发明人：操彬彬;黄寅虎;杨成绍;钱海蛟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，在激光对非晶硅层照射获取多晶硅半导体时，根据传统的制作工艺得到的阵列基板中的栅电极和栅线为联通状态，将导致激光能量沿着栅线进行扩散的问题，本发明通过间隔设置栅电极和栅线，使得在制备多晶硅半导体层时，栅电极与栅线为未连通状态，从而避免了激光能量的扩散问题，激光能量能够集中对非晶硅层照射，短时间内提升栅电极的温度，提升多晶硅的转换效率以及激光能量的利用效率，实现使用较少的激光资源制备晶粒更大，迁移率更高的多晶硅半导体的效果。
一种阵列及其制作方法显示面板

[发明专利]显示面板的制造方法、显示面板和显示装置-CN201710947326.9有效
发明人：邹志翔;宋博韬;林亮;杨成绍;黄寅虎 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板的制造方法、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上依次形成第二膜层和第一膜层，第一膜层上形成有第一过孔；在形成有第一膜层的衬底基板上形成光刻胶图案；以高于光刻胶图案的耐受温度的温度对光刻胶图案进行热固化处理；通过刻蚀工艺刻蚀第二膜层，以在第二膜层上形成第二过孔。本发明通过以高于光刻胶图案耐受温度的温度对光刻胶图案进行热固化，使光刻胶图案在热固化过程中均匀附着在过孔侧壁上。解决了相关技术中，光刻胶难以保护过孔侧壁，导致过孔侧壁与衬底基板的夹角较大，使后续形成于过孔中的结构可能在该过孔处断裂，造成显示面板不良的问题，达到了提高显示面板良率的效果。
显示面板制造方法显示装置

[发明专利]阵列基板及其制作方法以及显示装置-CN201710068945.0有效
发明人：曹可;杨成绍;王文龙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种阵列基板及其制作方法以及显示装置。该阵列基板包括：衬底基板、设置在衬底基板上的第一有源层、设置在第一有源层和衬底基板上的第一绝缘层、设置在第一绝缘层远离第一有源层的一侧的栅极、设置在栅极和第一绝缘层上的第二绝缘层、设置在第二绝缘层远离栅极的一侧的第二有源层、分别与第一有源层部分接触设置第一漏极和第一源极、分别与第二有源层部分接触设置的第二漏极和第二源极以及像素电极。第一源极和第二源极电性相连，第一漏极和第二漏极电性相连，像素电极与第一漏极和第二漏极至少之一电性相连。该阵列基板可提高响应速度以及充电效率，并且可同时避免增加开口率。
阵列及其制作方法以及显示装置

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法-CN201510273988.3有效
发明人：宋博韬;姜涛;韩俊号;韩领;操彬彬;杨成绍 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法，涉及显示技术领域，能够减少源漏极至极性反转区的纵向电阻，从而提高源漏极至极性反转区的电流，提升TFT的性能。其中，TFT的有源层上存在未刻穿的第一凹槽和第二凹槽，TFT的源极和漏极分别至少部分形成于第一凹槽和第二凹槽内，源极和漏极分别通过第一凹槽和第二凹槽与有源层接触。本发明实施例用于TFT的制造。
一种薄膜晶体管及其制造方法

[实用新型]阵列基板、显示面板和显示装置-CN201921986690.7有效
发明人：韩领;马涛;杨成绍;吴庆猛 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置。该阵列基板包括衬底基板以及GND走线；GND走线沿衬底基板的边缘设置，GND走线包括多段间隔设置的导电线段。该阵列基板能够减小GND走线的面积，从而能够降低GND走线上的静电积累，减少GND走线与其上方的导电层发生ESD，也能减少静电累计而对面板内部造成击伤，提高产品良率。
阵列显示面板显示装置

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