专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果6379853个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]干燥放置的一性结构-CN201922039650.8有效
  • 李雄 - 广州兴田节能科技有限公司
  • 2019-11-23 - 2020-08-04 - B01D53/26
  • 本实用新型公开了一种干燥放置的一性结构,包括芯材和夹具,所述芯材的中部至少开设有两个放置,所述夹具配合在放置内,所述夹具包括插块和夹具壳,所述插块的一端设置有两个推动杆,所述夹具壳的一端为两个插脚,所述插脚内为配合,所述推动杆配合在配合内,所述插脚配合在放置内,所述放置内通过粘合剂配合有干燥,本实用新型旨在提供一种芯材无预留放干燥,通过粘合剂把干燥黏结固定在芯材上,干燥可以通过夹具先定位然后再通过黏结固定,这样干燥就可以放在一的位置,而且避免干燥在抽真空密封前的搬动造成移位的结构。
  • 干燥剂放置一致性结构
  • [发明专利]一种复合纳米吸附及其制备方法和应用-CN201510918587.9在审
  • 张婵;徐宏英;李秉正;郑伟 - 太原科技大学
  • 2015-12-11 - 2016-05-04 - B01J20/26
  • 一种复合纳米吸附及其制备方法和应用,属于环境功能材料技术领域。以P(HB-HO)、CS、、PVA为原料;按照P(HB-HO)溶于有机相中;将CS放入醋酸溶液中溶解,加入混合,高速匀浆,形成初乳液;取部分PVA,溶解成PVA水溶液,再与初乳液混合,高速匀浆,形成复乳液,充分搅拌使有机相挥发,复乳液高速离心,弃上清液,收集沉淀物;将剩余PVA溶解成PVA水溶液,将收集的沉淀物分散于PVA水溶液中振荡过夜,洗去沉淀物中的残余,高速离心收集沉淀物,将收集的沉淀物冷冻干燥,得P(HB-HO)/CS复合纳米吸附。本发明具有纳米吸附粒径分布均匀,分散度好,具有多孔结构,稳定性好,无二次污染,可同时去除污水中的重金属与疏水性有机物,提高了处理效率。
  • 一种复合纳米吸附剂及其制备方法应用
  • [发明专利]一种壳层中包埋磁性纳米颗粒的介氧化硅空心微球的制备方法-CN201110344263.0有效
  • 王祎龙;唐玉霖;王方英凯 - 同济大学
  • 2011-11-04 - 2012-06-20 - B01J13/02
  • 本发明涉及一种壳层中包埋磁性纳米颗粒的介氧化硅空心微球的制备方法。本发明磁性纳米颗粒采用共沉淀法制备,经过油酸表面修饰后分散在正辛烷中,由苯乙烯单体、十六烷、磁性纳米颗粒的正辛烷分散液、正硅酸烷基酯和硅烷偶联组成的油相,和溶解了表面活性的水相混合,经过预乳化和细乳化过程得到细乳液液滴体系,在液滴进行自由基聚合时,通过加入碱催化来控制氧化硅的形成及体系中有机、无机组分的相分离,得到嵌套结构的模板;基于该模板,以长链烷基硅烷偶联与正硅酸烷基酯为介氧化硅生成原料,一步烧蚀去除聚合物内核及,或者以阳离子型表面活性,通过溶剂溶解的方法去除和聚合物内核,也可得到磁性/介氧化硅空心复合微球。
  • 一种壳层中包埋磁性纳米颗粒氧化空心制备方法
  • [发明专利]刻蚀方法-CN200610030796.0有效
  • 韩秋华 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2006-09-04 - 2008-03-12 - H01L21/311
  • 一种通刻蚀方法,包括:形成通刻蚀结构,所述通刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层及图案化的光抗蚀层;刻蚀抗反射涂层;刻蚀介质层;移除光抗蚀层;进行刻蚀终止层的刻蚀;所述介质层的刻蚀过程包括第一刻蚀过程和第二刻蚀过程采用本发明方法,可提高光抗蚀层的致密度,进而有效地控制刻蚀通的形貌;并可进一步调整横向、纵向的刻蚀选择比,精确控制刻蚀通的形状,以避免损伤栅极侧墙,保证器件可正常工作。
  • 刻蚀方法
  • [发明专利]电路板制作方法-CN201010123290.0有效
  • 郑建邦 - 富葵精密组件(深圳)有限公司;鸿胜科技股份有限公司
  • 2010-03-12 - 2011-09-21 - H05K3/06
  • 一种电路板制作方法,包括步骤:提供一个覆铜基板,所述覆铜基板具有第一导电层,所述覆铜基板包括多个产品区和一个非产品区,所述非产品区围绕所述多个产品区;在所述覆铜基板的非产品区形成多个第一通;在所述第一导电层上形成第一光抗蚀层;图案化所述第一光抗蚀层,以使得图案化的第一光抗蚀层露出多个第一通和每个产品区内的部分第一导电层;向所述覆铜基板喷淋蚀刻液以蚀刻从图案化的第一光抗蚀层露出的第一导电层,以将每个产品区内的第一导电层均形成第一导电图形
  • 电路板制作方法
  • [发明专利]双镶嵌结构形成方法-CN200610116902.7无效
  • 林益世 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2006-09-30 - 2008-04-02 - G03F7/16
  • 一种双镶嵌结构形成方法,包括:形成双镶嵌基体,所述双镶嵌基体包含顺序叠加的刻蚀终止层、介质层、第一抗反射涂层及图案化的第一光抗蚀层;顺序刻蚀第一抗反射涂层、介质层,形成通;移除图案化的第一光抗蚀层及第一抗反射涂层;涂覆第二抗反射涂层;利用确定机台完成所述第二抗反射涂层的第一烘干过程;利用上述机台或另一机台完成所述第二抗反射涂层的第二烘干过程,并形成图案化所述第二光抗蚀层;刻蚀第二抗反射涂层及介质层,并去除通底部刻蚀终止层可在集成电路的制造过程中不必引入附加工艺或强化生产调度即可有效抑制光抗蚀中毒现象发生。
  • 镶嵌结构形成方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top