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[发明专利]非易失性半导体存储器件-CN202080055394.4在审
发明人：山崎忠行;林泰伸;清水吾朗 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明的存储单元(10)包括：在半导体衬底的p阱(11)的表面夹着沟道区域(12)形成的漏极区域(13)和源极区域(14)；以覆盖沟道区域(12)的方式形成的绝缘膜(15)；形成在绝缘膜(15)上的栅极(16)；以位于栅极(16)的侧面且在沟道区域(12)的正上方的方式形成的侧墙(17)；以覆盖漏极区域(13)、源极区域(14)的一部分、栅极(16)和侧墙(17)的方式形成的自对准硅化物阻挡膜(18)；形成在从自对准硅化物阻挡膜(18)和自对准硅化物阻挡膜(18)露出的漏极区域(13)和源极区域(14)中的漏极自对准硅化物层(21)和源极自对准硅化物层(22)；和以覆盖自对准硅化物阻挡膜(18)、漏极自对准硅化物层(21)和源极自对准硅化物层(22)的方式形成的氮化膜(19)。
非易失性半导体存储器件

[发明专利]一种器件源漏区域的自对准金属硅化物形成方法-CN200910057078.6有效
发明人：陈华伦;罗啸;陈瑜;熊涛;陈雄斌 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明公开了一种器件源漏区域的自对准金属硅化物形成方法，利用制作器件源漏区域的光刻层次，制作和器件源漏区域自对准的金属硅化物，在完成源漏区域注入后，刻蚀掉源漏区域上的氧化层，然后去掉光刻胶，再制作金属硅化物，这样就得到了和源漏区域自对准的金属硅化物。本发明实现了在源漏区域制作和源漏区域自对准的金属硅化物，降低了接触电阻，减小了器件的导通电阻。
一种器件区域对准金属硅形成方法

[发明专利]局部形成自对准金属硅化物的方法-CN01132658.1有效
发明人：赖二琨;黄守伟;郭东政;黄宇萍 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-09-05 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明为一种形成自对准金属硅化物的方法，特别是有关于一种在部分区域形成自对准金属硅化物的方法。本发明利用一硅层所形成的遮罩层以顺利在逻辑电路上局部形成自对准金属硅化物。在晶胞阵列的区域上，只有在栅极上形成金属硅化物，而在扩散区域则无金属硅化物。而在周边电路区域上，栅极与扩散区域均可形成金属硅化物。本发明的方法可使半导体元件获得较低的电阻，且较不会产生漏电流的缺陷。
局部形成对准金属硅方法

[发明专利]局部形成自对准金属硅化物的方法-CN01132676.X有效
发明人：赖二琨;陈昕辉;陈盈佐;黄守伟;黄宇萍 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-09-06 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明为一种形成自对准金属硅化物的方法，特别是有关于一种在部分区域形成自对准金属硅化物的方法。本发明利用一氮化物层作为遮罩层，以顺利在逻辑电路上局部形成自对准金属硅化物。在晶胞阵列的区域上，只有在闸极上形成金属硅化物，而在扩散区域则无金属硅化物。而在周边电路区域上，闸极与扩散区域均可形成金属硅化物。本发明的方法可使半导体元件获得较低的电阻，且较不会产生漏电流的缺陷。
局部形成对准金属硅方法

[发明专利]具有自对准接触孔与硅化物的器件及其制造方法-CN201210262516.4无效
发明人：谭颖 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有自对准接触孔与硅化物的器件，自对准接触孔的底部直接与硅接触，常规接触孔底部直接与硅化物接触。其制造方法为：在硅片上划分出采用自对准接触孔刻蚀工艺的第一区域和不采用自对准接触孔刻蚀工艺的第二区域。在硅片上淀积用于形成硅化物的金属之前，先在第一区域之上完整覆盖介质保护层。然后形成硅化物。接着去除残留的金属、以及第一区域的介质保护层。最后淀积金属前介质，并在第一区域以自对准刻蚀工艺、在第二区域以常规刻蚀工艺分别形成接触孔。本申请兼顾了自对准接触孔与硅化物两者的优势，又避免了两者所各自存在的缺陷。
具有对准接触硅化物器件及其制造方法

[发明专利]一种自对准硅化物晶体管及其制造方法-CN201210507600.8有效
发明人：李乐 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了具有自对准硅化物的晶体管及其制造方法。所述具有自对准硅化物的晶体管，包括一衬底；形成于所述衬底上的栅极结构；形成于所述栅极结构两侧的衬底内的源漏极区域；形成于所述源漏极区域上第一自对准金属硅化物层；形成于所述第一自对准金属硅化物层上的依次层叠的金属氮化物层和金属层，所述金属氮化物层和金属层与所述栅极结构相隔开，以及形成于所述栅极结构上的第二自对准多晶金属硅化物层。根据本发明的具有自对准硅化物的晶体管，可以实现在进一步减小接触电阻的同时避免源漏节被贯穿的目的。
一种对准硅化物晶体管及其制造方法

[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法-CN201010022567.0无效
发明人：徐友锋;宁超;保罗 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种自对准金属硅化物的形成方法，其中自对准金属硅化物的形成方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面至少有一硅区域；采用等离子体处理所述半导体基底边缘区域；去除所述硅区域的自然氧化层；在所述硅区域形成金属层；在所述金属层表面形成保护层；对所述形成有金属层的半导体基底进行退火，形成金属硅化物层。本发明能够减低颗粒污染，提高自对准金属硅化物的形成质量和良率。
对准金属硅形成方法

[发明专利]一种改善自对准硅化物阻挡层台阶效应的刻蚀方法-CN201310157273.2有效
发明人：李程;吴敏;杨渝书;秦伟;黄海辉;高慧慧 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体器件层上改善自对准硅化物阻挡层台阶效应的刻蚀方法，该自对准硅化物阻挡层为氧化硅型，包含预处理和主刻蚀两个过程，预处理过程包括：形成具有各向同性刻蚀能力的等离子体；利用具有各向同性刻蚀能力的等离子体对自对准硅化物阻挡层的台阶区域的顶部进行选择性刻蚀；主刻蚀过程包括：形成具有各向异性刻蚀能力的等离子体；利用具有各向异性刻蚀能力的等离子体对自对准硅化物阻挡层的台阶区域的顶部、侧壁和底部进行近似同步的等速率刻蚀。本发明的刻蚀方法，可以有效去除自对准硅化物阻挡层的台阶效应，实现自对准硅化物阻挡层的均匀覆盖，以降低后续制程去除自对准硅化物阻挡层的难度。
一种改善对准硅化物阻挡台阶效应刻蚀方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810132222.3无效
发明人：李蓉根 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：该半导体器件包括：形成在半导体衬底上的栅极图案，形成在位于栅极图案一侧的半导体衬底中的第一掺杂区域和形成在位于栅极图案另一侧的半导体衬底中的第二掺杂区域，部分覆盖第一掺杂区域或第二掺杂区域的自对准多晶硅化物屏蔽膜图案，形成在半导体衬底上的绝缘膜，该绝缘膜包括暴露自对准多晶硅化物屏蔽膜图案的第一孔和部分地暴露没有被自对准多晶硅化物屏蔽膜图案覆盖的第一掺杂区域或第二掺杂区域的第二孔，以及穿过第一孔与自对准多晶硅化物屏蔽膜图案接触的第一线
半导体器件及其制造方法

[发明专利]自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法-CN200910082350.6有效
发明人：李敏;吴永玉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法，该制程方法应用于覆盖非自对准金属硅化物器件的制程中，将富硅氧化物SRO膜沉积于有源区、多晶硅栅极以及隔离区之上，所述沉积厚度在50埃至150埃之间本发明还公开了一种自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法。采用该结构及其制程方法能够有效解决刻蚀自对准硅化物区域阻挡膜时出现的STI loss、过刻蚀半导体衬底以及损伤侧壁层的问题。
对准硅化物区域阻挡结构及其方法

[发明专利]在半导体器件层上制造自对准硅化物层的方法-CN200910197668.9无效
发明人：梁昌;江小雪 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体器件层上制造自对准硅化物层的方法，形成具有源极、漏极及栅极的半导体器件层，该方法包括：对形成的半导体器件层采用离子注入方式进行杂质掺杂后，快速退火；在半导体器件层上的非金属化区域形成阻挡层后，在半导体器件层的金属化区域形成自对准硅化物层。本发明提供的方法在不影响最终得到半导体器件性能的基础上在导体器件层上制造自对准硅化物层。
半导体器件制造对准硅化物层方法

[发明专利]固态摄像元件及其制造方法-CN200810088071.6无效
发明人：城户英男;糸长总一郎;吉次快;千叶健一 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供不因回蚀处理而降低自对准硅化物阻挡膜的能力并可均匀地进行晶体管的源极/漏极注入的固态摄像元件的制造方法。在栅极电极(11、21)的侧表面形成的侧壁(32、33)作为掩模，形成晶体管的源极/漏极区域(14、24)。然后覆盖栅极电极(11、21)、侧壁(32、33)、源极/漏极区域(14、24)以及受光区域而形成供氢膜(33)和自对准硅化物阻挡膜(34)。在去除硅化区域的自对准硅化物阻挡膜(34)后，形成金属膜(38)并进行热处理，在硅化区域的栅极电极(21)和源极/漏极区域(24)的上部形成金属硅化膜(25、26)，由此来制造固态摄像元件。
固态摄像元件及其制造方法

[发明专利]图像传感器装置与光电元件-CN200610121424.9有效
发明人：林志旻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-08-22 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：上述图像传感器装置，包括图像感测像素阵列设置于衬底的第一区域，以及逻辑电路设置于衬底的第二区域，其中逻辑电路包括互补型金属氧化物半导体晶体管。每个图像感测像素包括完全不具有自对准硅化物的晶体管及钉扎光电二极管。其中第二区域的CMOS晶体管上具有自对准硅化物，且第一区域的晶体管完全不具有自对准硅化物。本发明通过在图像感测像素区域的表面上完全不形成金属硅化物，由此可有效地降低暗电流，进而获得高信号－噪声比的图像传感器装置。另一方面，仅仅将金属硅化物形成于CMOS逻辑电路区域的栅极结构顶部与漏极/源极区域表面，而显著增加CMOS逻辑电路的运算速率。
图像传感器装置光电元件

[发明专利]增大自对准镍硅化物面积的方法及使用该方法制造的器件-CN201910808395.0在审
发明人：李镇全 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种增大自对准镍硅化物面积的方法，包括以下步骤：步骤一，在半导体衬底表面形成栅极膜组及侧墙层，并用湿法刻蚀减薄外层侧墙；步骤二，在栅极模组及侧墙层的外表面形成第一硬掩模层；步骤三，以光刻方式定义需要自对准生成镍硅化物区域；步骤四，以干刻结合湿法工艺去除第一硬掩模层；步骤五，进行镍硅化物的自对准生成。本发明可在一定程度上扩大镍硅化物形成的面积，从而提高电性及其他相关性能。
镍硅化物自对准硬掩模层侧墙层半导体衬底表面方式定义结合湿法湿法刻蚀栅极模组栅极膜侧墙电性光刻减薄面形去除并用

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110379402.3有效
发明人：山口直 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：其中通过自对准硅化工艺形成金属硅化物层的半导体器件在可靠性上得到改善。通过根据局部反应方法的自对准硅化物工艺，在栅电极、n+型半导体区域和p+型半导体区域的相应表面之上形成金属硅化物层。在形成金属硅化物层时的第一热处理中，使用导热型退火装置进行半导体晶片的热处理。在第二热处理中，使用微波退火装置进行半导体晶片的热处理，由此降低第二热处理的温度并防止金属硅化物层的异常生长。因此，减小金属硅化物层中的结泄漏电流。
半导体器件及其制造方法

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