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[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200810226384.3有效
发明人：赵简;陈昱升;蔡明 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-11-14 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，平坦化所述半导体衬底的表面以形成金属互连层，所述平坦化至少包括：去除所述双镶嵌开口外的多余金属；去除所述双镶嵌开口外的阻挡层；在平坦化之后的半导体衬底上形成刻蚀停止层、刻蚀停止层之上的钝化层、以及嵌在所述钝化层中的焊垫层，所述焊垫层位于所述金属互连层之上；去除所述双镶嵌开口外的阻挡层之前还包括：将所述半导体衬底置于形成所述刻蚀停止层的设备中进行加热处理，所述加热处理的温度大于或等于后续任一工艺的温度采用所述半导体器件的制造方法，能够避免这些突起在后端清洗工艺中被氧化侵蚀而形成腐蚀缺陷，提高器件的可靠性。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN99107373.8无效
发明人：梁元硕;金基南;赵昶贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-05-18 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：外围区中用于第二间隔层的绝缘层留在单元阵列区中，并在用于形成接触开口的层间绝缘层的腐蚀步骤期间用作腐蚀停止层，而且在硅化作用形成的步骤期间用作阻挡层，由此简化制造工艺。
半导体器件制造方法

[发明专利]埋置布线结构及其制造方法-CN99119573.6无效
发明人：菊田邦子 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-09-03 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种埋置布线结构，该结构包括：依次形成于第一布线层上的第一层间介质膜、腐蚀停止层和第二层间介质膜，其中第二布线层形成为与通孔栓塞的侧壁接触。由于该结构中第二布线层和通孔栓塞彼此以较大表面积接触，所以几乎不会产生不良电连接。
布线结构及其制造方法

[发明专利]一种提高GaN基LED亮度的方法-CN201010244013.5有效
发明人：周健华;郝茂盛;潘尧波;邢志刚;李士涛;陈诚;朱广敏;张楠;袁根如 -专利权人：上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司
申请日： 2010-08-03 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高GaN基LED亮度的方法，在蓝宝石衬底上生长非掺杂GaN层时，先在没有活性氮源的气氛下通入三甲基镓，在蓝宝石衬底上形成一金属层，对其高温处理之后通入氨气进行氮化；然后继续生长非掺杂GaN牺牲层，之后同时停止通入三甲基镓和氨气再次高温处理；最后在粗化的界面上生长常规的非掺杂GaN层，并在其上外延生长完整的LED结构，制备出LED芯片。本发明在蓝宝石和GaN界面形成粗化结构，通过两步腐蚀工艺的结合，可以提高腐蚀密度及腐蚀均匀性，得到比较均匀的、衬底与GaN的粗化界面，从而减少光在GaN层的全反射，提高GaN基LED的出光效率。
一种提高 gan led 亮度方法

[发明专利]一种高速激光器芯片-CN201510530912.4在审
发明人：罗飚;刘应军;王任凡;汤宝 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01S5/223 文献下载
摘要：本发明属于激光器技术领域，尤其涉及一种高速激光器芯片，包括：一衬底；一缓冲层；一第一渐变限制层；一腐蚀停止层3；一第一波导层4；一第二限制层5；一第一量子阱垒层6；一量子阱有源层7；一第二量子阱垒层8；一第二波导层9；一光栅层10；一第三渐变限制层11；一欧姆接触层12；一绝缘介质层13；一P型上电极14；一N型下电极15。本发明重新设计腐蚀层的结构位置，与传统比较，漏电流会减少，电容也会相应减少，对整个高速激光器的光电特性有明显提高。
一种高速激光器芯片

[发明专利]一种高速激光器芯片结构及其制作方法-CN201510800418.5有效
发明人：罗飚;刘应军;王任凡;汤宝 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明属于激光器技术领域，尤其涉及一种高速激光器芯片结构，包括：一衬底；一缓冲层；一第一渐变限制层；一腐蚀停止层3；一第一波导层4；一第二限制层5；一第一量子阱垒层6；一量子阱有源层7；一第二量子阱垒层8；一第二波导层9；一光栅层10；一第三渐变限制层11；一欧姆接触层12；一绝缘介质层13；一P型上电极14；一N型下电极15。本发明重新设计腐蚀层的结构位置，与传统比较，漏电流会减少，电容也会相应减少，对整个高速激光器的光电特性有明显提高。
一种高速激光器芯片结构及其制作方法

[实用新型]己内酰胺熔化炉-CN201120280415.0有效
发明人：郑田胜 -专利权人：郑田胜
申请日： 2011-08-04 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： F27B14/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种己内酰胺熔化炉，设有进料口和出料口，由炉膛由内而外，依次由导热层、保温层、壳体形成的炉体，导热层内部空腔形成炉膛，其中：所述导热层由导热层内壁、导热层外壁构成，导热层内壁、导热层外壁之间的空间填充导热油；导热层连接电源，并接入温度控制系统。由耐高温材料形成的保温层与导热层外壁之间有空隙以及保温层与壳体也有空隙。导热层内壁由耐腐蚀的导热材料制成，导热层外壁由耐腐蚀的不导热材料制成。温度控制系统具有温度设定功能，根据用料量调节温度；并可在设定温度上开始加热或者停止加热。
己内酰胺熔化炉

[发明专利]一种GaN基p型栅结构的制备方法-CN201811190170.5有效
发明人：徐哲;周阳 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基p型栅结构的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基材料表面涂敷光刻胶并光刻待刻蚀区域图形；采用干法刻蚀以光刻胶为掩膜，刻蚀暴露区域的GaN cap层和~90%厚度的p型栅层，去除剩余光刻胶；对处理后的氮化镓基材料进行氧化处理；将氮化镓基材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀，得到GaN基p型栅结构。该方法采用干法和湿法混合刻蚀，完成GaN基p型栅结构的制备；其中的湿法腐蚀解决了干法刻蚀引起的表面损伤问题，其自停止特性保证了刻蚀深度的均匀性；其中的干法刻蚀将湿法腐蚀需要刻蚀的厚度明显缩小，可大大减小单纯采用湿法腐蚀所需氧化和腐蚀时间，不仅提高了效率，更减小了侧向腐蚀效应，保证了工艺可控性。
一种 gan 结构制备方法

[发明专利]一种MEMS六合一单片集成传感器及其制作方法-CN202310499321.X在审
发明人：陶虎;李晓辉;秦楠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于MEMS技术的六合一单片集成传感器的制作方法，其包括在硅片上沉积隔离层，利用多晶硅制作牺牲层，沉积低应力氮化硅作为结构层和敏感膜片，在敏感膜片上制作敏感器件，使得XeF2气体透过敏感膜片上的腐蚀释放孔对牺牲层进行腐蚀，停止腐蚀后封堵所有的腐蚀释放孔。本发明的六合一单片集成传感器在单个硅片上集成了压力、加速度、气体、湿度、温度和麦克风传感器的功能，可以应用于复杂的场景如应急救援和公共安全等，从而提高作业效率；并且采用以上牺牲层和腐蚀的材料使得该集成传感器的成品率达到了一个较高的水平
一种 mems 合一单片集成传感器及其制作方法

[发明专利]第一金属互连层的制作方法-CN201310754043.4有效
发明人：刘焕新 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供了一种第一金属互连层的制作方法。该制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成刻蚀停止层、金属间介质层、正硅酸乙酯氧化层和金属层；刻蚀金属层、正硅酸乙酯氧化层、金属间介质层和刻蚀停止层，形成通孔；在通孔中形成牺牲层；刻蚀去除金属层；以及剥离牺牲层。采用在通孔中形成牺牲层，用于避免刻蚀金属层的过程中刻蚀液对钨造成的腐蚀损伤，因此克服了现有技术对钨的损伤的缺陷，减小了第一金属互连层和半导体器件层之间的电阻；在去除金属层后再剥离去除牺牲层，对已经形成的器件结构也不构成附加损伤
牺牲层金属互连层金属层通孔去除金属间介质层刻蚀金属层刻蚀停止层正硅酸乙酯损伤氧化层衬底半导体制作半导体器件层器件结构刻蚀液再剥离电阻减小刻蚀剥离腐蚀申请

[发明专利]带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件及其制备方法-CN201510276316.8在审
发明人：刘靖骞;王金延;徐哲;王茂俊;于民;吴文刚;张进城;马晓华;郝跃 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件的制备方法，由于在势垒层中插入氮化镓层，使凹槽栅结构的制备可以实现腐蚀自停止于氮化镓插入层，氮化镓层在势垒层中不同的插入位置可以方便地实现不同深度的凹槽腐蚀效果，从而完成在该结构基础上肖特基栅和MOS结构栅阈值电压的调控，而且氮化镓插入层下留有适当厚度的势垒层可以在凹槽刻蚀期间有效保护沟道防止器件性能退化，从而使本方案具有很高的可操作性和可重复性，更利于工业化生产
氮化插入增强器件及其制备方法

[发明专利]太阳能电池结构及其制备方法-CN202010680202.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州联诺太阳能科技有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池结构及其制备方法，包括：提供基底，于基底的第一表面依次形成第一本征层和背场；对背场的预定位置进行腐蚀，以于背场内形成凹槽，凹槽沿厚度方向贯穿背场以暴露出第一本征层的表面；于凹槽内和背场表面形成发射极上述太阳能电池结构及其制备方法，通过在基底的第一表面上依次形成第一本征层和背场，并采用腐蚀的方式在背场的预定位置处进行腐蚀形成凹槽，通过控制腐蚀速率，使得腐蚀浆料仅能腐蚀背场，并停止于第一本征层的表面，
太阳能电池结构及其制备方法

[发明专利]一种BCB薄膜太赫兹电路及其制作方法-CN202010671626.0在审
发明人：牛斌;范道雨 -专利权人：南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种BCB薄膜太赫兹电路及其制作方法，方法包括：1)在半导体衬底上外延生长带有腐蚀停止层的太赫兹二极管或三极管外延材料，2)完成二极管、三极管等有源器件及电阻、电容等无源器件工艺制作，3)旋涂总厚度覆盖所有片上器件的BCB并固化，4)在所有器件电极接触上方处制作BCB通孔，5)在BCB上方制作电路金属布线，连接BCB通孔中的器件电极，6)完全去除半导体衬底及腐蚀停止层，完成BCB薄膜太赫兹电路制作。
一种 bcb 薄膜赫兹电路及其制作方法

[发明专利]一种晶硅太阳能电池去死层方法-CN201210105485.1有效
发明人：孙良欣;陈支勇;陈壁滔;胡盛华;俞建;鲍文娟 -专利权人：北京吉阳技术股份有限公司
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明一种晶硅太阳能电池去死层方法；属于光伏技术领域。含有以下步骤；步骤1；将原硅片进行制绒；步骤2；进行扩散；步骤3；进行等离子刻蚀；步骤4；进行去磷硅；步骤5；进行HNO3腐蚀；步骤6；进行去磷硅；步骤7；进行PECVD镀膜；步骤8；进行丝印烧结；步骤9；进行测试分选；本发明的优点是：a)去磷硅后的硅片在硝酸中浸泡腐蚀可以去除表面含高浓度磷的薄层，能达到去死层的目的。b)在硝酸浸泡腐蚀只在硅片表面形成一层很薄的氧化层，反应会自停止，不会对PN结造成明显破坏。
一种太阳能电池去死层方法

[发明专利]用于制造蚀刻停止层的方法和包括蚀刻停止层的MEMS传感器-CN201980030507.2在审
发明人：亚历山大·费斯;索菲·吉耶曼;耶格·西格特;卡尔·图特勒 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造用于氢氟酸HF气相蚀刻工艺的平坦化蚀刻停止层(13)ESL的方法。该方法包括在衬底(10)的表面之上提供第一平坦化层(17)，该第一平坦化层(17)包括图案化及结构化的金属材料(20)和填充材料(22)。该方法还包括在第一平坦化层(17)之上沉积具有低HF蚀刻速率的ESL材料(23)的平坦化ESL(13)，其中，平坦化ESL(13)具有低表面粗糙度和小于150nm，特别是小于100nm的厚度。
用于制造蚀刻停止方法包括 mems 传感器