“刻蚀金属层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3610363个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201210164993.7有效
发明人：张海洋;王冬江 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，在所述基底上形成超低K介质层；在所述超低K介质层表面形成碳化硅层；在所述碳化硅层表面形成金属刻蚀停止层；刻蚀所述金属硬掩膜层形成分立的暴露金属刻蚀停止层表面的第一开口和第二开口，第一开口宽度小于第二开口宽度，所述金属硬掩膜层相对于金属刻蚀停止层具有高的刻蚀选择比。以金属刻蚀停止层作为刻蚀停止层，当刻蚀金属硬掩膜层形成宽度不同的第一开口和第二开口时，但由于金属硬掩膜层相对于金属刻蚀停止层具有高的刻蚀选择比，第一开口和第二开口底下对应的金属刻蚀停止层的过刻蚀量可以忽略不计
半导体结构形成方法

[发明专利]无金属阻挡层的铜后道互连工艺-CN201110194242.5有效
发明人：朱骏;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明无金属阻挡层的铜后道互连工艺解决了现有技术中金属连线过程中由于存在金属层刻蚀阻挡层残留导致的整体电容上升，进而导致电容延迟时间长的问题，淀积金属层刻蚀阻挡层后，依靠光刻、刻蚀首先去除非金属导线区域的多余金属层刻蚀阻挡层，随后淀积金属绝缘介质，再次光刻、刻蚀金属导线槽，并移除置于金属导线槽下部的剩余金属层刻蚀阻挡层，最终实现无金属层刻蚀阻挡层的铜互连工艺。
金属阻挡铜后道互连工艺

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510387788.0有效
发明人：张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底、位于基底表面的待刻蚀层、以及位于待刻蚀层表面的金属膜；在金属膜表面形成金属有机材料膜；图形化金属有机材料膜，在金属膜表面形成具有第一线边缘粗糙度的金属有机材料层；对金属有机材料层侧壁进行氢还原处理，氢还原处理后的金属有机材料层侧壁表面具有小于第一线边缘粗糙度的第二线边缘粗糙度；以氢还原处理后的金属有机材料层为掩膜刻蚀所述金属膜，在待刻蚀层表面形成若干分立的金属层；采用金属辅助化学刻蚀工艺对待刻蚀层进行刻蚀，刻蚀去除被金属层覆盖的待刻蚀层，在基底表面形成若干分立的刻蚀层。本发明减小刻蚀层侧壁表面的线边缘粗糙度，提高半导体结构的良率和性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]高阶芯片失效分析物理去层分析方法-CN201510572282.7有效
发明人：刘国庆;李鹏云;葛金发;曾元宏 -专利权人：宜特(上海)检测技术有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种高阶芯片失效分析物理去层分析方法，包括提供芯片及芯片上待进行物理去层的关注区域，芯片包括自下而上制备于衬底上的第一金属层、第二金属层、……、第N‑2金属层、第N‑1金属层以及第N金属层，其中，8≤N≤10；自上而下依次刻蚀第N金属层、第N‑1金属层、第N‑2金属层、……、第二金属层以及第一金属层；其中，刻蚀第N‑1金属层，包括采用BOE刻蚀剂以第一刻蚀时间刻蚀关注区域内的第N‑1金属层上的氧化层；采用反应离子刻蚀法以第二刻蚀时间刻蚀第N‑1金属层上的氧化层至关注区域内的第N‑1金属层露出金属铜；研磨金属铜至关注区域内的第N‑1金属层完全去除。
芯片失效分析物理方法

[发明专利]一种金属层的刻蚀方法-CN201510614154.4有效
发明人：谢秋实 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属层的刻蚀方法，涉及半导体技术领域，能够实现对金属层较精细的刻蚀，提高刻蚀后金属层表面的平滑度和均匀度。该方法包括：步骤S1：采用氧化性气体对待刻蚀的金属层进行氧化，将金属层的表层氧化成金属氧化层；步骤S2：采用刻蚀气体对金属氧化层进行刻蚀，去除金属氧化层；循环执行步骤S1和步骤S2，直至金属层的厚度为所需要的厚度为止上述方法用于刻蚀金属层。
一种金属刻蚀方法

[实用新型]CMOS结构、半导体芯片及电子装置-CN202120286193.7有效
发明人：曹进伟;陈孟邦;卢玉玲;邹云根;蔡文前;张丹丹;肖敏;陈航强;林丽菲 -专利权人：宗仁科技（平潭）股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种CMOS结构、半导体芯片及电子装置，CMOS结构包括：第一金属层；介质层，介质层形成于第一金属层上；以及第二金属层，第二金属层形成于介质层上，第二金属层具有刻蚀槽，刻蚀槽的深度的为H，刻蚀槽的宽度为L，其中，2μm≤H≤6μm，L＝a+2b，a为预刻蚀宽度，b为横向刻蚀尺寸，2μm≤b≤6μm；利于刻蚀槽采用干法刻蚀与湿法刻蚀结合的方式刻蚀而成，可采用干法刻蚀和湿法刻蚀分别对第二金属层刻蚀一部分，以减小刻蚀槽的横向刻蚀尺寸，从而可有效减小因全采用湿法刻蚀而导致的较大的芯片设计尺寸。
cmos 结构半导体芯片电子装置

[发明专利]改善接触孔金属残留的刻蚀方法-CN202310172080.8在审
发明人：王瑞环;余鹏;祝建;陈垚;汪泽群;陆小豪 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种改善接触孔金属残留的刻蚀方法，提供衬底，衬底上形成有层间介质层，层间介质层上形成有第一金属层，在金属层及其下方的层间介质层上形成有接触孔，接触孔上形成有覆盖第一金属层的第二金属层；利用第一偏置功率、第一刻蚀气体刻蚀第二金属层；采用第二偏置功率、第二刻蚀气体刻蚀去除保留在第一金属层上的第二金属层，第二偏置功率低于第一偏置功率；采用第三偏置功率、第三刻蚀气体刻蚀接触孔中的部分第二金属层。本发明通过递进式3步法减小偏置功率刻蚀钨层，第一次刻蚀保证将TIN表面的大量的钨完全刻蚀；第二次刻蚀停在TIN表面，确保高的W/TIN选择比；第三次刻蚀保证将残留钨完全刻蚀，更高W/TIN选择比能够保证一定的
改善接触金属残留刻蚀方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法与薄膜晶体管阵列-CN201980002786.1有效
发明人：李刘中;伍凯义;林子平 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法与薄膜晶体管阵列，所述制造方法包括：在栅电极层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上连续沉积金属氧化物半导体层和刻蚀保护层；在所述栅极绝缘层和所述刻蚀保护层上形成金属电极层；对所述金属电极层进行刻蚀形成源电极层和漏电极层；对所述刻蚀保护层进行刻蚀露出所述金属氧化物半导体层。本申请通过在金属氧化物半导体层上形成一层刻蚀保护层，刻蚀金属电极层和ITO层时，通过刻蚀保护层保护金属氧化物半导体层，从而避免金属氧化物半导体层被刻蚀液刻蚀影响薄膜晶体管的性能，在保护金属氧化物半导体层时无需另外增加保护层
一种薄膜晶体管及其制造方法阵列

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210376486.3有效
发明人：林智伟;陈维邦;郑志成 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底；位于基底上的金属层；以及位于所述金属层上的刻蚀停止层，所述刻蚀停止层包含依次层叠设置的金属氮化物层、绝缘层与金属氧化物层，金属氮化物层与金属层的粘附性比较好，而金属氧化物层起到刻蚀停止的作用，使得刻蚀可有效停止于所述金属层之前，避免所述金属层过刻蚀而裸露，或者刻蚀不足而组件失效，从而提高半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310569088.8在审
发明人：吴聪;谢岩;齐晓青;林飞 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一形成有顶层金属层的晶圆，刻蚀停止层覆盖所述顶层金属层；形成键合层于所述刻蚀停止层上；刻蚀所述键合层，且刻蚀停止于所述键合层中，以形成沟槽；填充保护层于所述沟槽中；刻蚀所述沟槽中的所述保护层和所述沟槽底面的所述键合层，且刻蚀停止于所述刻蚀停止层中，以形成通孔；去除所述保护层；刻蚀去除所述通孔底面的所述刻蚀停止层，以暴露出所述顶层金属层；填充金属层于所述沟槽和所述通孔中，所述金属层与所述顶层金属层连接。本发明的技术方案能够改善金属扩散问题，进而能够提高混合键合良率。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种用于晶圆封装的植柱方法及金属纳米烧结体-CN202310783169.8在审
发明人：刘旭;叶怀宇 -专利权人：纳宇半导体材料（宁波）有限责任公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于晶圆封装的植柱方法及金属纳米烧结体；具体为在硅板上端面和下端面分别制备第一绝缘层；采用刻蚀工艺，对第一绝缘层进行刻蚀，使得绝缘层上形成多个间隔布设的刻蚀孔，向刻蚀孔内注入刻蚀液，使硅板上形成刻蚀槽；通过热氧化工艺在刻蚀孔内壁、刻蚀槽底部和侧壁上形成第二绝缘层；在第一绝缘层和第二绝缘层上制备牺牲层；在牺牲层上旋涂纳米金属浆料，并使得纳米金属浆料填充刻蚀槽和刻蚀孔，采用烧结工艺进行烧结，刻蚀槽和刻蚀孔形成金属探柱，牺牲层上形成导电层；清理牺牲层，分离出金属探柱和导电层，获得具有金属探柱的金属纳米烧结体；上述方法可以解决现有的方法获得金属柱体可靠性差、成本高，精确度低等的技术问题。
一种用于封装方法金属纳米烧结

[发明专利]金属栅极上介质层刻蚀方法-CN202111319340.7在审
发明人：谢学良 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种金属栅极上介质层刻蚀方法。所述金属栅极上介质层刻蚀方法包括依次进行的以下步骤：提供形成有金属栅的半导体器件；使得所述金属栅的表层氧化，形成金属氧化物阻挡层，所述金属氧化物阻挡层填充位于所述金属栅表面的凹陷刮痕；在所述半导体器件上制作介质层，所述介质层至少覆盖在所述金属氧化物阻挡层上；通过光阻层定义出刻蚀图案，依照所述刻蚀图案，以所述金属氧化物阻挡层为刻蚀停止层，对所述介质层刻蚀。申请提供了的金属栅极上介质层刻蚀方法，可以解决相关技术中因金属栅极的表层中的凹陷刮痕，而导致金属栅极上介质层在刻蚀过程中使用的酸性溶液侵蚀金属栅极的问题。
金属栅极介质刻蚀方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510448032.2有效
发明人：张海洋;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底内形成有底层金属层；形成覆盖于基底表面以及底层金属层表面的刻蚀阻挡层；形成覆盖于刻蚀阻挡层表面的介质层；形成贯穿介质层的开口，且开口底部暴露出刻蚀阻挡层表面；采用刻蚀气体包括CF3I的干法刻蚀工艺刻蚀位于开口底部的部分厚度的刻蚀阻挡层，且在刻蚀去除部分厚度的刻蚀阻挡层的同时，在开口侧壁表面形成保护层；在形成保护层之后，采用各向同性干法刻蚀工艺刻蚀去除剩余厚度的刻蚀阻挡层，直至暴露出底层金属层顶部表面；在暴露出的底层金属层表面形成导电层，且导电层填充满所述开口。本发明减小底层金属层受到的刻蚀损伤，改善半导体结构的电学性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]MIM电容器的制作方法及MIM电容器-CN201510039678.5有效
发明人：刘良;柳会雄;乔仁明;许谢慧娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：该方法包括在衬底上形成下极金属层、在下极金属层上形成介质层以及在介质层上形成上极金属层的步骤；其中形成上极金属层的步骤包括：在介质层上形成金属层；在金属层上形成掩膜层，沿掩膜层第一次刻蚀金属层形成预备上极金属层；以及沿掩膜层第二次刻蚀预备上极金属层形成上极金属层；其中，第一次刻蚀为干法刻蚀，第二次刻蚀为湿法刻蚀。该制作方法中，在对介质层上方的金属层进行干法刻蚀形成预备上极金属层的步骤之后，进一步对预备上极金属层进行湿法刻蚀形成上极金属层。这一过程“切除”了存在于介质层和上电极金属层接触处的缺陷，提高了MIM电容器的良品率。
mim 电容器制作方法

[发明专利]通孔的制备方法-CN200710094386.7无效
发明人：谭颖 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的制备方法，其包括：金属层淀积，后刻蚀该金属层形成局部连线；淀积氮化硅，接着淀积层间介质层；光刻定义出通孔的图形；采用介质层相对于氮化硅的刻蚀选择比高的刻蚀条件刻蚀介质层，使刻蚀停止在氮化硅上；采用氮化硅相对于金属层的刻蚀选择比在1.5～4之间的刻蚀条件刻蚀氮化硅，使刻蚀停止在金属层上。本发明的方法解决了0.13um技术下，应用较薄的金属层作为局部连线时，通孔刻蚀所遇到的问题。
制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条