专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高速硅调制器相移臂及其制备方法-CN202111429663.1有效
  • 余胜;曹权 - 烽火通信科技股份有限公司;武汉飞思灵微电子技术有限公司
  • 2021-11-29 - 2023-07-04 - G02F1/025
  • 本发明涉及光通信领域,提供了一种高速硅调制器相移臂及其制备方法,高速硅调制器相移臂包括:波导;P掺杂区和N掺杂区分别位于所述波导的两侧;P掺杂区包括P重掺区和P轻掺区;所述P重掺区位于所述波导的边界区域,所述P轻掺区位于所述波导的核心区域;N掺杂区包括N重掺区和N轻掺区;所述N重掺区位于所述波导的边界区域,所述N轻掺区位于所述波导的核心区域;本发明通过在波导内场相对较弱的边界区域进行较高浓度的离子掺杂,在波导内场相对较强的核心区域进行较低浓度的离子掺杂,使得在提高硅调制器带宽的同时,不会引起光学损耗较大幅度的增加。
  • 一种高速调制器相移及其制备方法
  • [发明专利]基于氮化硅波导的嵌入石墨烯调制器及制作方法-CN202011542940.5在审
  • 邹望辉;莫嘉豪;武俞刚;王淳风 - 长沙理工大学
  • 2020-12-22 - 2021-04-09 - G02F1/035
  • 本发明涉及一种基于氮化硅波导的嵌入石墨烯调制器及制作方法,调制器包括:依次设置的衬底、隔离层和调制结构;隔离层的材料为氧化硅;调制结构包括波导、石墨烯‑介质层‑石墨烯夹层结构和电极结构;波导包括基部和部;石墨烯‑介质层‑石墨烯夹层结构包括上层石墨烯层、下层石墨烯层及位于上层石墨烯层和下层石墨烯层之间的介质层;上层石墨烯层和下层石墨烯层分别在波导基部的两侧具有预先设定的延伸长度;电极结构包括位于波导基部两侧的第一金属层,且波导基部一侧的第一金属层位于上层石墨烯层之上,并与上层石墨烯层接触;波导基部另一侧的第一金属层位于下层石墨烯层之上,与下层石墨烯层接触。
  • 基于氮化硅脊型波导嵌入石墨调制器制作方法
  • [实用新型]光纤波导模斑转换器及耦合器-CN201320305072.8有效
  • 王琼;张华 - 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
  • 2013-05-30 - 2013-10-16 - G02B6/122
  • 本实用新型提供一种光纤波导模斑转换器及耦合器。光纤波导模斑转换器,包括:上包层、下包层以及用于引导场和限制传播路径的波导芯层,所述波导芯层位于所述上包层和所述下包层之间,所述波导芯层包括波导基体和波导体,所述波导基体设置在所述下包层上,所述波导体位于所述波导基体上,所述波导体的高度和宽度均线性缩减。通过将波导体的高度和宽度设置为线性缩减,使波导体形成三维锥形结构,且在垂直和水平方向上线性缩减使光纤与波导模式的尺寸和形状逐渐匹配,从而实现两种模式间的高效耦合。提高了光纤到波导的耦合效率,降低了传播过程中的损耗。
  • 光纤波导转换器耦合器
  • [发明专利]波导偏振器-CN201110083660.7有效
  • 近藤胜利;栗原雅尚;菅又徹 - 住友大阪水泥股份有限公司
  • 2011-03-30 - 2011-10-12 - G02B6/27
  • 一种波导偏振器,不使用特别的制造工序也能够稳定地对光波导本身附加偏振器作用。上述波导偏振器具有Z切的铌酸锂基板(1)和形成在该基板上的形结构的光波导,其特征在于,该形结构的宽度是在该光波导中传播的光波的寻常分布变化、且该光波的非常分布不变化的形宽度,该形结构的角度小于90°,在该形结构的侧面上形成有膜厚满足0≤n·t/λ≤0.3742的条件(其中,n为折射率,t为膜厚,λ为光波的波长,膜厚、波长的单位为μm)的低折射率膜(3),在该低折射率膜上形成有膜厚满足0.089≤n·t/λ的条件的高折射率膜(4),上述波导偏振器具有非常透过偏振器的功能。
  • 波导偏振
  • [发明专利]波导激光装置-CN201680088081.2有效
  • 渡边洋次郎;柳泽隆行 - 三菱电机株式会社
  • 2016-08-17 - 2021-03-26 - H01S3/063
  • 在以往的波导激光装置中,存在当芯使用各向同性的激光介质时不能得到线偏振的问题。本发明的波导激光装置的特征在于,该波导激光装置具有:基板;芯,其被接合于基板,具有激光介质,折射率比基板高;以及包层,其被接合于芯,与芯一起构成波导,由寻常折射率和异常折射率比芯的折射率低的双折射材料构成,寻常折射率和异常折射率不同。
  • 波导激光装置
  • [发明专利]半导体激光装置-CN202180062640.3在审
  • 鴫原君男 - 三菱电机株式会社
  • 2021-01-08 - 2023-08-25 - H01S5/22
  • 本公开的半导体激光装置具备:层叠于半导体基板(2)之上的第一导电的包覆层(3)、第一导电侧的引导层(61)、活性层(7)、第二导电侧的引导层(81)、第二导电的包覆层(11)以及第二导电的接触层(14);谐振器,由前端面和后端面构成;以及区域,在前端面与后端面之间对激光进行导波,该半导体激光装置的特征在于,区域由内侧区域和外侧区域构成,内侧区域的有效折射率为nai外侧区域设置于内侧区域的两侧,有效折射率为nao,并且具有电流非注入构造,外侧区域宽度的Wo大于从电流非注入构造的下端部到活性层的距离。
  • 半导体激光装置

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