专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种快速制作高反射率硫系玻璃光纤Bragg光栅的方法-CN202010824689.5有效
  • 邹林儿;邱昱;张泽;傅继武;沈云;邓晓华 - 南昌大学
  • 2020-08-17 - 2023-06-02 - G02B6/02
  • 本发明涉及光学技术领域,尤其涉及一种快速制作高反射率硫系玻璃光纤Bragg光栅的方法,包括如下步骤:S1,搭建基于法布里‑珀罗(FP)标准具原理设计的测量硫系玻璃光纤沿轴向施加张力的折射率变化的测量设备;S2,通过测量设备得到沿轴向施加张力的As2S3硫系玻璃光纤的最佳光敏性;S3,搭建改进型的Sagnac干涉写光栅系统;S4,将步骤S2中的As2S3硫系玻璃光纤放置于步骤S3中的Sagnac干涉写光栅系统中制作高反射率硫系玻璃光纤Bragg光栅。本发明解决了横向全息曝光法的机械稳定性不高,光谱质量较差,且需要长时间曝光才能得到布喇格光栅的问题,同时显著提高光栅反射率;改变光栅中心波长可以通过调整两反射镜夹角而易得到改变,不必更换相位掩模板。
  • 一种快速制作反射率玻璃光纤bragg光栅方法
  • [实用新型]一种超星光定焦镜头-CN202220812987.7有效
  • 丁纬;胡枫;阳结根;邹林儿;林合山 - 南昌大学
  • 2022-04-08 - 2022-10-11 - G02B13/00
  • 本实用新型为一种超星光定焦镜头,包括:沿光轴从物方至像方依次设置的:第一透镜、第二透镜、第三透镜、第四透镜、第五透镜、第六透镜、第七透镜、第八透镜;其中,第一透镜为凸凹正光焦度的透镜;第二透镜为双凹负光焦度透镜;第三透镜为凹凸正光焦度透镜;第四透镜为双凸正光焦度透镜;第五透镜为双凹正光焦度透镜;第六透镜为双凸负光焦度透镜;第七透镜为双凸正光焦度透镜;第八透镜为凸凹正光焦度透镜。
  • 一种星光镜头
  • [实用新型]一种2P微距镜头-CN202220780996.2有效
  • 胡枫;阳结根;丁纬;邹林儿;林合山 - 南昌大学
  • 2022-04-06 - 2022-09-13 - G02B13/24
  • 一种2P微距镜头,包括:口径光圈、第一镜片、第二镜片、滤光片;其中,口径光圈、第一镜片、第二镜片、滤光片依次排列设置,且中心处于同一光轴直线;第一镜片朝向口径光圈的端面为第一面,第一镜片朝向第二镜片的端面为第二面;第一面和第二面均为外凸状;第二镜片朝向第一镜片的端面为第三面,第二镜片朝向滤光片的端面为第四面;第三面为内凹状,第四面为外凸状。
  • 一种镜头
  • [实用新型]一种3P胶囊内窥镜头-CN202220850851.5有效
  • 阳结根;丁纬;胡枫;邹林儿;林合山 - 南昌大学
  • 2022-04-13 - 2022-09-13 - G02B13/00
  • 本实用新型为一种3P胶囊内窥镜头,包括:沿光轴从物方至像方依次设置的:第一透镜、第二透镜、第三透镜;其中,第一透镜为凸凹负光焦度透镜;第二透镜为凸凹正光焦度透镜;第三透镜为双凸正光焦度透镜。该胶囊内窥镜头采用3P非球塑胶透镜的光学结构,合理矫正了像差,能够实现1/9的像面,最大像高可达1.04mm,通过合理使用塑胶结构实现孔径F5,拥有较大的景深,完全适用于目前主流芯片,且成像质量良好,市场前景广泛。
  • 一种胶囊内窥镜
  • [发明专利]一种制备低损耗As20-CN202011502641.9在审
  • 邹林儿;石文吉;陈抱雪;沈云;邓晓华 - 南昌大学
  • 2020-12-18 - 2021-03-23 - G02B6/13
  • 本发明公开了一种制备低损耗As20S80硫系玻璃隧道光波导的方法,在真空高温炉中制备As20S80粉末,并将其作为蒸发源,在10‑3 Pa的真空条件下,控制沉积速率在9~10Å/sec,在玻璃基板上蒸镀形成1μm厚的沉积态As20S80薄膜,所得As20S80薄膜上放置5μm线宽的条形结构掩膜版,用光强为50~60 mW/cm2、波长为300–430 nm的紫外光辐照70~90分钟使薄膜光照区达到光照饱和态,形成所述As20S80隧道光波导结构,As20S80隧道光波导再置于退火炉中,在130℃玻璃转化温度附近,充氮退火1 h后,继续充氮自然冷却至室温,制备出损耗低至0.7 dB/cm的As20S80隧道光波导。本发明方法通过对蒸镀在玻璃基板上的As20S80薄膜进行紫外光辐照和退火处理制备隧道光波导,制备工艺简单、成本低,制得的As20S80隧道光波导传输损耗低,具有良好的光传输性能。
  • 一种制备损耗asbasesub20
  • [发明专利]光激励法制备As2S8条波导的 方法-CN200610025799.5无效
  • 陈抱雪;邹林儿;王健;陈林 - 上海理工大学
  • 2006-04-18 - 2006-09-13 - G02B6/13
  • 本发明公开了一种光激励法制备As2S8条波导的方法,具体步骤为:1.基板准备和清洗,2.制备As2S8非晶态半导体薄膜,3.选择性光辐照,4.结束光辐照。本发明采用光激励方法制备As2S8非晶态半导体条状波导的技术,解决了离子交换或质子交换技术、热扩散技术、反应离子蚀刻技术和湿法蚀刻技术等常规技术不能实现的As2S8非晶态半导体条状波导的制备工艺问题,为制备由As2S8非晶态半导体条状波导构成的导波光回路器件提供了实施可能性。
  • 激励法制assub波导方法

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