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[发明专利]一种基于深度迁移学习预测卟啉HOMO/LUMO能级的方法-CN202211558957.9在审
发明人：佘远斌;张鑫;苏安;张丞玮 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G16C20/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深度迁移学习预测卟啉HOMO/LUMO能级的方法，首先基于卟啉框架设计了新的卟啉结构，用DFT方法计算了新设计卟啉的HOMO/LUMO能级，构建了一个卟啉数据集。然后用开源的计算材料库中的卟啉信息对深度学习模型进行预训练，得到预训练模型，再在卟啉数据集上用微调方法进行迁移学习，得到可预测卟啉HOMO/LUMO能级的深度学习模型。本发明结合深度学习模型和迁移学习方法预测卟啉HOMO/LUMO能级，仅依赖于卟啉的分子简写式SMILES和数据信息文件，就能高效准确地预测出给定卟啉的HOMO/LUMO能级，提高了预测的精度和效率。
一种基于深度迁移学习预测卟啉 homo lumo 能级方法

[发明专利]半绝缘碳化硅单晶-CN201010617348.7有效
发明人：陈小龙;刘春俊;彭同华;李龙远;王刚;刘宇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：公开了一种半绝缘碳化硅单晶，包括本征点缺陷、深能级掺杂剂、本底浅施主和受主杂质；其中所述深能级掺杂剂和本征点缺陷的浓度之和大于浅施主和浅受主杂质浓度之间差值，且所述本征点缺陷的浓度小于深能级掺杂剂的浓度该单晶通过深能级掺杂剂和本征点缺陷共同作用来补偿浅能级杂质，以获得高质量的半绝缘单晶；该单晶经过高温1800℃退火后，电阻率没有明显降低，保持大于1×105Ω·cm。
绝缘碳化硅

[发明专利]基于粒子能级布居数的高温气体测量与计算融合方法-CN202210385414.5有效
发明人：陈卫;王磊;粟斯尧;胡华雨;吴俊林 -专利权人：中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于粒子能级布居数的高温气体测量与计算融合方法，采用原子、分子、离子等粒子的能级布居数表征高温气体状态，并将其作为高温气体试验研究手段的测量目标和数值仿真手段的计算目标，从而促进两种手段的有效融合本发明提出一种基于粒子能级布居数的高温气体测量与计算融合方法，采用粒子能级布居数表征高温气体状态，不依赖粒子能级服从玻尔兹曼分布函数的平衡假设，比温度状态参数更根本，能实现高温气体状态的量子态分辨，更适用于非平衡高温气体流动研究
基于粒子能级布居数高温气体测量计算融合方法

[发明专利]一种具有终端深能级杂质层的IGBT-CN201210249143.7无效
发明人：李泽宏;李巍;夏小军;赵起越;张金平;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-07-18 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：一种具有终端深能级杂质层的IGBT，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统Planar FS-IGBT基础上，在终端漂移区（14）注入一层深能级杂质层（15）。所述的深能级杂质层（15），随着器件温度升高，深能级杂质电离度升高，杂质浓度大幅上升，在IGBT关断时，终端漂移区增加的载流子浓度有效减小终端区P+集电区的空穴发射效率，减小寄生PNP管αPNP，从而有效减少器件的高温漏电流；漂移区增加的电子浓度和P+集电区注入的空穴加速复合，而且深能级杂质本身就是复合中心，进一步加速电子空穴的复合，有效改善关断特性，提高IGBT的可靠性。
一种具有终端能级杂质 igbt

[发明专利]基于单个原子系综制备全同双光子的装置及方法-CN201810375665.9在审
发明人：丁冬生;史保森;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：一种基于单个原子系综制备全同双光子的装置及方法，该装置包括：偏振调节模块，改变第一激光的频率，使得第一激光与铷原子的第一失谐量为Δ1，确定第一偏振光；铷原子系综，受到第一偏振光的激发，使得第一能级的铷原子跃迁至第三能级，产生第一跃迁光；偏振模块，确定第一信号光；偏振延时模块，使得第二激光与铷原子的第二失谐量为Δ2，确定第二偏振光；且第二偏振光激发单个铷原子系综，使得第二能级的铷原子跃迁至第三能级，产生第二跃迁光；偏振调向模块，确定第二信号光；第一失谐量Δ1与第二失谐量Δ2满足Δ1‑Δ2＝ω12，ω12是第一能级与第二能级的频率差，第一信号光与第二信号光为全同双光子。
能级铷原子失谐量偏振光跃迁双光子激光第二信号原子系综偏振系综制备偏振光激发偏振调节偏振模块延时模块频率差调向激发

[发明专利]一种用于OLED的稠环化合物及其应用-CN201810980200.6在审
发明人：李崇;谢丹丹;王芳;叶中华 -专利权人：江苏三月光电科技有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C07C15/20 文献下载
摘要：OLED的稠环化合物及其应用，该化合物的结构如通式(A)所示，本发明化合物以在芘或氮杂芘的环上进一步增加芳环或杂芳环所形成的稠环化合物为骨架，并引入其他芳香基团，从而使得本发明的稠环化合物具有深的HOMO能级和较高载流子迁移率，通过其他取代基团的修饰，对HOMO能级进一步进行调整，使得本发明的稠环化合物具有较高的单线态能级和合适的三线态能级，以及良好的可逆氧化还原特性，能够和EB、ET材料进行良好的器件能级匹配，降低器件驱动电压本发明的稠环化合物其具有较高的S1单线态能级，并且T1≥0.5S1，具有良好的TTA作用，能够充分利用三线态能量，提高器件的外量子效率。
一种用于 oled 环化及其应用

[发明专利]一种具有深能级掺杂的肖特基二极管-CN202011271968.X在审
发明人：单亚东;谢刚 -专利权人：广微集成技术（深圳）有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有深能级掺杂的肖特基二极管，其包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有若干个沟槽，每一沟槽内侧壁和底部形成有栅氧化层，该沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅覆盖在多个沟槽内的栅氧化层上，每一沟槽旁形成有深能级杂质层，所述深能级杂质层以及沟槽上表面形成有金属层。本发明肖特基二极管中每一沟槽旁形成有深能级杂质层，深能级杂质层以及沟槽上表面形成有金属层，在常温情况下，深能级杂质层中的杂质未能完全激活，二极管势垒较低，正向压降也比较低；而在高温情况下，杂质大部分激活
一种具有能级掺杂肖特基二极管

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法、显示装置-CN202110822052.7在审
发明人：刘明丽;吴勇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置，其中，一种有机电致发光器件，包括发光层以及设置在所述发光层两侧的空穴阻挡层、电子阻挡层，所述发光层为主体材料、辅助材料以及荧光客体材料按一定比例混合的共混物，其中，主体材料的激发态能级小于电子阻挡层的激发态能级并且小于空穴阻挡层的激发态能级；所述辅助材料的激发态能级小于主体材料的激发态能级并且大于所述荧光客体材料的激发态能级。
有机电致发光器件及其制备方法显示装置

[发明专利]气体分子的电子能级分布的计算方法和装置-CN202111514623.7在审
发明人：刘忠领;吴杰;周越;段然;马静;朱希娟 -专利权人：北京环境特性研究所
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种气体分子的电子能级分布的计算方法和装置，其中方法包括：确定目标气体分子在一维流场的宏观参数；所述宏观参数包括所述一维流场中各节点目标气体分子的数密度；根据所述目标气体分子的数密度，利用Boltzmann分布公式计算所述目标气体分子在所述一维流场中初始节点的所有电子能级的数密度；根据所述初始节点的所有电子能级的数密度、所述初始节点的对流项和初始节点的激发项，确定所述初始节点的下一节点的所有电子能级的数密度；将所述初始节点的下一节点作为新的初始节点，直至得到目标气体分子在所述一维流场的电子能级分布。本方案，不但能够减少计算量，还能保证热力学非平衡高超声速流场中气体分子的电子能级分布的计算精度。
气体分子电子能级分布计算方法装置

[发明专利]利用HP2H配体的快速磷光体-CN202111189335.9在审
发明人： M·E·汤普森;P·I·久罗维奇 -专利权人：南加州大学
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C07D513/04 文献下载
摘要：一种化合物被描述为具有三重激发态和单重激发态；其中所述三重态激发态包含最低能量三重态次能级、中间能量三重态次能级和最高能量三重态次能级；并且其中所述最高能量三重态次能级与所述最低能量三重态次能级之间的能量间距(ZFS)大于所述单重态激发态与所述最低能量三重态次能级之间的能量间距。
利用 hp2h 快速磷光体

[发明专利]量子级联激光器及其制作方法-CN202210627326.1在审
发明人：翟慎强;孙永强;费腾;张锦川;刘俊岐;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子级联激光器及其制作方法，涉及激光器技术领域，量子级联激光器包括衬底层；下波导层，位于衬底层上；有源层，位于下波导层上，并包括多个注入层，位于下波导层上；以及多个发光层，发光层的电子由高能级向低能级跃迁，适用于激发电子产生激发光；其中，发光层和注入层相互交替周期层叠为级联结构，每个注入层抽取位于注入层上层的相邻发光层的低能级电子并将低能级电子输送至与注入层相邻的上一周期的发光层，以形成高能级电子，从而在属于相邻的两个周期的发光层之间运输电子；以及上波导层，位于发光层上，能够实现高集中的高能级电子数，从而实现大规模的高功率的量子级联的激光器。
量子级联激光器及其制作方法

[发明专利]发光层、发光元件及显示面板-CN202211180367.7在审
发明人：张宇;袁莉;杨杰;李们在 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种发光层、发光元件及显示面板，该发光层包括：第一主体材料、第二主体材料、客体材料以及辅助材料；其中，该第一主体材料与该第二主体材料形成激基复合物；该辅助材料的第一激发三重态能级低于该激基复合物的第一激发三重态能级，该辅助材料的第一激发三重态能级高于该客体材料的第一激发三重态能级。本发明通过辅助材料的加入，并且辅助材料的第一激发三重态能级介于激基复合物和客体材料的第一激发三重态能级之间，增加了能量从激基复合物转移至客体材料的路径，减少了改能量转移过程中的能量损失，保证了发光元件的发光效率的同时延长了发光元件的使用寿命
发光元件显示面板

[发明专利]基于碳化硅色心的单分子磁共振测量装置-CN202211327209.X在审
发明人：张琪;陈誉;石发展;杜江峰 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01N24/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于碳化硅色心的单分子磁共振测量装置，该装置包括：静磁场模块，用于对磁敏感模块和待测样品施加静磁场，其中，磁敏感模块包括碳化硅色心，静磁场使碳化硅色心的简并能级退简并得到退简并能级，以及使待测样品自旋标签的特征频率位于微波波段；光源模块，对碳化硅色心施加红外波长范围内的激发光，使碳化硅色心从基态能级跃迁至激发态能级；操控场模块，将预设的微波操纵场施加到碳化硅色心上，以控制碳化硅色心的演化过程以及待测样品中的自旋标签的演化过程；读出模块，读出碳化硅色心在演化过程结束后，碳化硅色心的各个基态能级的布居度；数据处理模块，根据碳化硅色心的各个基态能级的布居度，得到待测样品的测量结果。
基于碳化硅色心分子磁共振测量装置

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201310692266.2有效
发明人：邱勇;段炼;张东东;张国辉 -专利权人：北京维信诺科技有限公司;清华大学
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：该有机电致发光器件的发光层的主体材料为CT激发态的三线态能级高于n-π激发态的三线态能级，并且相差为0~0.3eV之间的材料；或者，发光层的主体材料为CT激发态的三线态能级高于n-π激发态的三线态能级，其差值为1.0eV以上的材料，并且，所述主体材料的n-π激发态的第二三线态能级和CT激发态的第一单线态能级的差值为-0.1~0.1eV；发光染料为荧光染料。
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种深能级杂质隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201410438265.X有效
发明人：黄如;吴春蕾;黄芊芊;王佳鑫;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公布了一种深能级杂质隧穿场效应晶体管及其制备方法，该深能级杂质隧穿场效应晶体管包括隧穿源区、深能级杂质掺杂区、沟道区、漏区和控制栅；控制栅位于沟道区的上方；深能级杂质掺杂区在隧穿源区与沟道区交界面处，该深能级杂质的掺杂类型与隧穿源区的掺杂类型相反。本发明提供的深能级杂质隧穿场效应晶体管可以是N型器件或P型器件，其器件结构可在保持隧穿场效应晶体管较陡直的亚阈值斜率的同时，显著提高隧穿晶体管的开态电流。
一种能级杂质场效应晶体管及其制备方法