“能级”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7986个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种光量子混相质量相分率测量装置-CN202122598460.7有效
发明人：陈继革;徐斌;罗超;贺阳 -专利权人：成都洋湃科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G01N21/59 文献下载
摘要：本申请公开了一种光量子混相质量相分率测量装置，包括：装置主体、多能级组光量子源、光量子探头及相分计算机；装置主体与油气井的管道连接；多能级组光量子源与所述光量子探头相对设置在装置主体上；多能级组光量子源产生至少三组不同能级的光量子
一种光量子质量相分率测量装置

[发明专利]光敏组合物和用所述组合物制得的电子装置-CN201180040831.6无效
发明人：高卫英;N·海隆 -专利权人： E·I·内穆尔杜邦公司
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了光敏组合物，其包含：（a）基于所述光敏组合物的总重量计50-99重量%的至少一种基质材料，所述基质材料具有HOMO能级；（b）基于所述光敏组合物的总重量计1-10重量%的发光掺杂剂；和（c）所述非发光掺杂剂为具有HOMO能级的有机金属铱配合物，所述HOMO能级浅于所述基质的HOMO能级。
光敏组合电子装置

[发明专利]发光装置和包括其的电子设备-CN202211384849.4在审
发明人：金应道;秋昌雄;朴俊河;田美恩 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10K50/12 文献下载
摘要：在发光装置中，第一掺杂剂和第二掺杂剂中具有小的HOMO能级的绝对值的掺杂剂的最高占据分子轨道(HOMO)能级的绝对值和第一主体的HOMO能级的绝对值之间的差为0.3eV或更小。
发光装置包括电子设备

[发明专利]一种热活化延迟荧光材料、有机发光器件及显示装置-CN202110732384.6有效
发明人：刘兴华;张晓晋;孙海雁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本公开提供一种热活化延迟荧光材料、有机发光器件及显示装置，热活化延迟荧光材料的单重态能级和三重态能级之间的能级差小于0.3eV，热活化延迟荧光材料的单重态和三重态之间的自旋轨道耦合值SOC≥0.05cm
一种活化延迟荧光材料有机发光器件显示装置

[发明专利]在光电器件中的传导聚合物组合物-CN200780038357.7有效
发明人： K·H·殷;J·伯勒斯;J-S·金 -专利权人：剑桥显示技术有限公司;剑桥企业有限公司
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：传导聚合物组合物，它包括：HOMO能级大于或等于-5.7eV的聚合物，和LUMO能级小于-4.3eV的掺杂剂。
光电器件中的传导聚合物组合

[发明专利]发光器件、发光装置、电子设备及照明装置-CN201980017382.X在审
发明人：濑尾哲史;铃木恒德;奥山拓梦;泷田悠介;桥本直明;濑尾广美 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：第二有机化合物的HOMO能级为‑5.7eV以上且‑5.2eV以下。第三有机化合物的HOMO能级等于或深于第二有机化合物的HOMO能级。第二有机化合物与第三有机化合物的HOMO能级之差为0.2eV以下。第六有机化合物的LUMO能级浅于第七有机化合物的LUMO能级。
发光器件装置电子设备照明

[发明专利]一种二能级原子与双曲超构材料板之间Casimir-Polder力的计算方法-CN202010748150.6在审
发明人：曾然;徐思远;钱秀秀;李浩珍;杨淑娜;胡淼;李齐良 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二能级原子与双曲超构材料板之间Casimir‑Polder力的计算方法，包括步骤：S11.建立二能级原子和双曲超构材料板模型；S12.根据建立的模型确定双曲超构材料板的电磁特性；S13.计算双曲超构材料板中各向异性介质随时间演化的电场；S14.根据得到的电场计算原子内部动力学下的频移；S15.根据得到的频移计算二能级原子和双曲超构材料板模型的Casimir‑Polder力。本发明能够分析处于激发态的二能级原子共振频率分别位于双曲频段和非双曲频段时，原子所受Casimir‑Polder力的变化；本发明能够准确地反映出材料板间距对二能级原子与双曲超构材料板间Casimir‑Polder力的影响；由填充因子改变所反映的二能级原子与双曲超构材料板间Casimir‑Polder力的变化趋势本发明也能准确分析。
一种能级原子双曲超构材料之间 casimir polder 计算方法

[发明专利]有源区及量子级联激光器-CN202310046300.2在审
发明人：牛山;张锦川;卓宁;程凤敏;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：四个增益区量子阱中的设置于上部的第一增益区量子阱的厚度最小；第二增益区量子阱的厚度最大；第二增益区量子阱到第四增益区量子阱的厚度逐渐降低；第二增益区量子阱与第三增益区量子阱的差值、小于第三增益区量子阱与第四增益区量子阱的差值，以使得第一微带内的附加能级部分延伸至注入区，附加能级与激光下能级相互耦合，注入到激光上能级的电子分别以垂直跃迁和斜跃迁的方式向激光下能级和附加能级辐射跃迁，并产生激光。
有源量子级联激光器

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201510334281.9有效
发明人：段炼;张东东;刘嵩;谢静;赵菲 -专利权人：昆山国显光电有限公司;清华大学
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：以及依次形成在所述基板上的发光器件，所述发光器件是由第一电极层、发光层和第二电极层组成；所述发光层包括主体材料和染料；所述主体材料是由具有电子传输能力和空穴传输能力的材料构成；所述主体材料中的至少一种材料的三线态能级T₁高于三线态能级S₁，并且T₁‑S₁≤0.3eV；或者，所述主体材料中的至少一种材料的三线态能级T₁高于三线态能级S₁，并且T₁‑S₁≥1eV，并且第二三线态能级和第一单线态能级的差值为‑0.1～0.1eV。
一种有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]发光器件、发光装置、电子设备及照明装置-CN202110361826.0有效
发明人：濑尾哲史;铃木恒德;奥山拓梦;泷田悠介;桥本直明;濑尾广美 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：第二有机化合物的HOMO能级为‑5.7eV以上且‑5.2eV以下。第三有机化合物的HOMO能级等于或深于第二有机化合物的HOMO能级。第二有机化合物与第三有机化合物的HOMO能级之差为0.2eV以下。第六有机化合物的LUMO能级浅于第七有机化合物的LUMO能级。
发光器件装置电子设备照明

[发明专利]具有漏斗型能级结构的发光材料、制备方法及半导体器件-CN201611255825.3有效
发明人：刘政;杨一行;钱磊 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开具有漏斗型能级结构的发光材料、制备方法及半导体器件，其中，所述发光材料包含N个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，其中N≥2；所述量子点结构单元包括A1和A2类型，所述A1类型为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构；所述A2类型为径向方向上能级宽度一致的均一组分结构；所述发光材料的内部由至少一层A1类型的量子点结构单元组成，所述发光材料的外部由至少一层A2类型的量子点结构单元组成；在径向方向上相邻的量子点结构单元中，靠近发光材料中心的量子点结构单元的能级宽度不大于远离发光材料中心的量子点结构单元的能级宽度；且相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的。
具有漏斗能级结构发光材料制备方法半导体器件

[实用新型]基于单个原子系综制备全同双光子的装置-CN201820593288.1有效
发明人：丁冬生;史保森;郭光灿 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G02F1/11 文献下载
摘要：一种基于单个原子系综制备全同双光子的装置，该装置包括：偏振调节模块，改变第一激光的频率，使得第一激光与铷原子的第一失谐量为Δ₁，确定第一偏振光；铷原子系综，受到第一偏振光的激发，使得第一能级的铷原子跃迁至第三能级，产生第一跃迁光；偏振模块，确定第一信号光；偏振延时模块，使得第二激光与铷原子的第二失谐量为Δ₂，确定第二偏振光；且第二偏振光激发单个铷原子系综，使得第二能级的铷原子跃迁至第三能级；第一失谐量Δ₁与第二失谐量Δ₂满足Δ₁‑Δ₂＝ω₁₂，ω₁₂是第一能级与第二能级的频率差
能级铷原子失谐量偏振光跃迁双光子激光第二信号原子系综偏振系综制备偏振光激发偏振调节偏振模块延时模块频率差调向激发

[实用新型]一种具有深能级掺杂的肖特基二极管-CN202022625130.8有效
发明人：单亚东;谢刚 -专利权人：广微集成技术（深圳）有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有深能级掺杂的肖特基二极管，其包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有若干个沟槽，每一沟槽内侧壁和底部形成有栅氧化层，该沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅覆盖在多个沟槽内的栅氧化层上，每一沟槽旁形成有深能级杂质层，所述深能级杂质层以及沟槽上表面形成有金属层。本实用新型肖特基二极管中每一沟槽旁形成有深能级杂质层，深能级杂质层以及沟槽上表面形成有金属层，在常温情况下，深能级杂质层中的杂质未能完全激活，二极管势垒较低，正向压降也比较低；而在高温情况下，杂质大部分激活
一种具有能级掺杂肖特基二极管

[发明专利]半导体装置-CN201180016780.3有效
发明人：迈克尔·罗伯逊;陈新;保罗·凯纳德 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2011-02-11 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01S5/50 文献下载
摘要：导带中的第一量化电子能级以及价带中的第一量化空穴能级位于第一层中。价带中的另一第一量化空穴能级位于邻近的第二层中。所述第一层中的所述第一量化空穴能级为轻空穴状态或重空穴状态，并且所述第二层中的所述另一第一量化空穴能级的空穴状态与所述第一层中的所述第一量化空穴能级不同。
半导体装置

[发明专利]有机电子器件-CN200580001543.4有效
发明人：姜旼秀;孙世焕;崔贤;张俊起;全相映;金渊焕;尹锡喜;韩荣圭 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2005-05-11 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：n－型有机化合物层的最低未占据分子轨道(LUMO)能级与导电层的费米能级之间的能级差约为2eV或更小，并且n－型有机化合物层的LUMO能级与p－型有机化合物层的最高未占据分子轨道(HOMO)能级之间的能级差约为
有机电子器件