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[发明专利]一种背照式光电器件的背面处理工艺-CN201811631961.7在审
发明人：张文剑;张清军;邹湘;龚义岩 -专利权人：清华大学;同方威视技术股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式光电器件的背面处理工艺，包括以下步骤：对背照式光电器件进行机械减薄，以使所述背照式光电器件的厚度达到所需厚度；采用硝酸溶液和氢氟酸溶液对机械减薄后的背照式光电器件的背面进行化学减薄和化学抛光，以使所述背照式光电器件的厚度达到要求的厚度并且使所述背照式光电器件的背面粗糙度达到要求的表面粗糙度；该工艺采用机械减薄以及化学减薄和化学抛光处理背照式光电器件的背面，可以减少背照式光电器件的背面加工对CMP设备的需求，降低光电器件背面处理的成本，提高光电器件的制造效率，因此较为适用于背照式光电器件的研发和小批量生产。
一种背照式光电器件背面处理工艺

[发明专利]背照式图像传感器芯片及其制作方法、内窥镜探测头-CN201910368284.2在审
发明人：林峰;叶果 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器芯片及其制作方法、内窥镜探测头。背照式图像传感器芯片上设置有透光孔，透光孔贯穿衬底和位于衬底上的器件层，使光线能直接通过背照式图像传感器芯片。内窥镜探测头，包括背照式图像传感器芯片，以及与背照式图像传感器芯片堆叠设置的光源模块；光源模块设置于远离背照式图像传感器芯片的像素的一侧，内窥镜探测头在垂直于探测头轴线的横截面内可有充分面积制作背照式图像传感器芯片，相应的背照式图像传感器芯片可制作较多的像素，像素面积增大，提升了成像质量，同时光源模块堆叠设置在背照式图像传感器芯片上，光源模块也有充分的面积，可提供成像需要的足够的光亮度，提升成像质量。
背照式图像传感器芯片探测头内窥镜光源模块像素成像透光孔制作衬底堆叠设置面积增大芯片堆叠器件层垂直贯穿

[发明专利]一种背照式图像传感器芯片的封装结构及方法-CN202010340344.2有效
发明人：蔡小虎;温建新 -专利权人：上海微阱电子科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式图像传感器芯片的封装结构，包括背照式图像传感器芯片、基板、键合板、封装层和玻璃盖板，其中，背照式图像传感器芯片内圈包含感光单元，基板外圈包括凹槽；所述背照式图像传感器芯片背面通过粘贴层与所述基板内圈粘合；所述背照式图像传感器芯片正面与所述键合板键合，所述封装层覆盖在所述背照式图像传感器芯片外圈上表面、基板外圈上表面和键合板上表面，且所述封装层填充所述凹槽；所述玻璃盖板位于所述封装层上表面。本发明提供的一种背照式图像传感器芯片的封装结构及方法，可以有效保护引线、减小空腔体积、增大封装结构整体结合力，延长背照式图像传感器芯片的使用寿命。
一种背照式图像传感器芯片封装结构方法

[发明专利]一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法-CN201510390379.6在审
发明人：林峰;肖海波 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法，所述背照式图像传感器晶圆包括一片载体晶圆以及两片器件晶圆，所述两片器件晶圆分别位于所述载体晶圆的正面和背面。所述背照式图像传感器芯片由所述背照式图像传感器晶圆切割、封装得到。通过两片器件晶圆进行感光，所述背照式图像传感器晶圆和芯片便可双面感光。
一种背照式图像传感器芯片及其制造方法

[发明专利]单光子雪崩二极管及制作方法、探测器阵列、图像传感器-CN201811524540.4在审
发明人：臧凯;李爽;马志洁 -专利权人：深圳市灵明光子科技有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种单光子雪崩二极管及制作方法、探测器阵列、图像传感器，其中，背照式单光子雪崩二极管设置有陷光结构和侧壁反射墙，入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度，加上侧壁反射墙的反射作用，可以延长光在背照式单光子雪崩二极管中的有效光程，从而提高了光在背照式单光子雪崩二极管中的吸收效率；一种背照式单光子雪崩二极管的制作方法，实现了背照式单光子雪崩二极管的制作。而包含背照式单光子雪崩二极管的光电探测器阵列和图像传感器，由于具有背照式单光子雪崩二极管，有效提高了光电探测器阵列和图像传感器的光吸收效率。
单光子雪崩二极管背照式图像传感器反射光电探测器阵列探测器阵列陷光结构制作侧壁光吸收效率反射作用吸收效率有效光程入射光散射折射

[实用新型]一种用于背照式光电探测器的封装组件及其封装结构-CN202221667867.9有效
发明人：蔡文必;丁海舰 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于背照式光电探测器的封装组件，其基板设有透明区域，基板于透明区域外侧设有电极连线结构；基板设于支撑底座上围成用于容纳背照式光电探测器的空间。本实用新型还公开了应用上述封装组件的背照式光电探测器封装结构，背照式光电探测器装设于基板和支撑底座形成的容纳空间中；背照式光电探测器背面的微透镜位于透明区域内，正面的电极通过电极连线结构由基板背面向正面引出，解决背照式光电探测器因光信号接收面与电极面异侧而导致的不能采用传统正装封测方案的问题。
一种用于背照式光电探测器封装组件及其结构

[发明专利]背照式图像传感器封装结构及其制备方法-CN201711123342.2在审
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式图像传感器封装结构及其制备方法，背照式图像传感器封装结构包括支撑衬底；背照式图像传感器，位于支撑衬底上；激光通孔，位于支撑衬底内，且上下贯穿支撑衬底；介质层，位于激光通孔的侧壁及支撑衬底远离背照式图像传感器的表面；导电栓塞，位于激光通孔内，且与背照式图像传感器电连接；重新布线层，位于介质层的表面，且与导电栓塞电连接；焊料凸块，位于重新布线层远离介质层的表面，且与重新布线层电连接。本发明通过在支撑衬底内形成激光通孔作为将背照式图像传感器电学引出的引出通孔，不涉及硅通孔工艺，可以有效节省工艺步骤，大大缩短工艺时间，节省光阻及掩膜的使用，大大节约成本。
背照式图像传感器封装结构及其制备方法

[发明专利]背照式图像传感器结构及其制备方法-CN202211446499.X有效
发明人：刘哲儒;郑志成;林豫立;郭哲劭;陈冠中 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及一种背照式图像传感器结构及其制备方法。背照式图像传感器结构包括：背照式图像传感器和金属电容接地结构；背照式图像传感器包括衬底，衬底包括相对的正面及背面；衬底的背面具有感光区及位于感光区外围的外围电路区；金属电容接地结构至少位于衬底的背面，且位于感光区与外围电路区之间本申请通过在衬底的背面增加金属电容接地结构，一方面，金属电容接地结构通过连接衬底可以实现接地，使得在衬底表面因其他制程而累积的电荷可以通过金属电容接地结构导入到衬底的效果，从而降低甚至消除暗电流，提供背照式图像传感器结构的成像品质，使得背照式图像传感器结构的成像可靠性更加稳定。
背照式图像传感器结构及其制备方法

[实用新型]背照式图像传感器封装结构-CN201721512629.X有效
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种背照式图像传感器封装结构，背照式图像传感器封装结构包括：支撑衬底；背照式图像传感器，位于支撑衬底上；激光通孔，位于支撑衬底内，且上下贯穿支撑衬底；介质层，位于激光通孔的侧壁及支撑衬底远离背照式图像传感器的表面；导电栓塞，位于激光通孔内，且与背照式图像传感器电连接；重新布线层，位于介质层的表面，且与导电栓塞电连接；焊料凸块，位于重新布线层远离介质层的表面，且与重新布线层电连接。本实用新型通过在支撑衬底内形成激光通孔作为将背照式图像传感器电学引出的引出通孔，不涉及硅通孔工艺，可以有效节省工艺步骤，大大缩短工艺时间，节省光阻及掩膜的使用，大大节约成本。
背照式图像传感器衬底激光通孔支撑重新布线层封装结构电连接介质层本实用新型导电栓塞工艺步骤焊料凸块上下贯穿硅通孔电学侧壁光阻通孔掩膜节约

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410426056.3有效
发明人：徐鸿文;林荣义;苏庆忠;卢玠甫;杜友伦;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式半导体图像感测器件，该背照式半导体图像感测器件包括半导体衬底。该半导体衬底包括辐射敏感二极管和外围区。外围区接近背照式半导体图像感测器件的侧壁。该背照式半导体图像感测器件还包括位于半导体衬底的背侧上的第一抗反射涂层(ARC)和位于第一抗反射涂层上的介电层。此外，辐射屏蔽层设置在介电层上。而且，该背照式半导体图像感测器件具有位于背照式半导体图像感测器件的侧壁上的光子阻挡层。辐射屏蔽层的侧壁的至少一部分没有被光子阻挡层覆盖，并且光子阻挡层配置为阻挡光子穿入至半导体衬底内。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法-CN201510662076.5在审
发明人：林峰;李全宝 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法，其中，所述背照式图像传感器晶圆包括：载体晶圆；第一器件晶圆，所述第一器件晶圆设置于所述载体晶圆上方，且用于采集近红外光；第二器件晶圆，所述第二器件晶圆设置于所述第一器件晶圆上方所述背照式图像传感器芯片由所述背照式图像传感器晶圆制得。由此即使在暗光条件下，所述背照式图像传感器晶圆及芯片也能获得较佳的图像采集性能。
一种背照式图像传感器芯片及其制造方法

[发明专利]背照式图像传感器-CN201711084283.2有效
发明人：万贺;方桂芹;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式图像传感器，背照式图像传感器包括：感光器件层、金属互连层、微透镜阵列、信号处理与电压转换电路阵列及电致发光薄膜阵列。本发明的背照式图像传感器通过在微透镜上设置电致发光薄膜，且电致发光薄膜外接可以放大光信号的信号处理与电压转换电路，可以在光线很微弱的条件下输出得到非常清晰的图像，使得所述图像传感器在光线较弱的暗环境下也可以正常使用，大大拓展了背照式图像传感器的使用范围；同时，本发明的背照式图像传感器不需要滤光片。
背照式图像传感器

[发明专利]一种基于制冷型背照式CCD的手持式拉曼光谱仪-CN201711329424.2在审
发明人：刘鸿飞;张毅宁 -专利权人：奥谱天成（厦门）光电有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于制冷型背照式CCD的手持式拉曼光谱仪，包括壳体，壳体内开设有前置槽和后置槽，前置槽内设有控制模块、与控制模块电路连接的拉曼探头和激光器，后置槽内连有与控制模块电路连接且内封装有热电制冷器的制冷型背照式CCD探测器；通过控制模块调节激光器的激光功率和制冷型背照式CCD探测器的曝光时间；拉曼光信号通过拉曼探头收集进入光路盒内，实现对拉曼信号分光的作用；分光后的拉曼信号光反射至制冷型背照式CCD探测器进行成像，利用背照式感光原理，实现增大光电转换效率的目的，通过封装的热电制冷器，实现制冷型背照式CCD探测器工作温度恒定不受外界环境温度影响，进而实现提高测量的高灵敏度、高准确率的目的。
一种基于制冷型背照式 ccd 手持式拉曼光谱仪

[实用新型]一种基于制冷型背照式CCD的手持式拉曼光谱仪-CN201721735040.6有效
发明人：刘鸿飞;张毅宁 -专利权人：奥谱天成（厦门）光电有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于制冷型背照式CCD的手持式拉曼光谱仪，包括壳体，壳体内开设有前置槽和后置槽，前置槽内设有控制模块、与控制模块电路连接的拉曼探头和激光器，后置槽内连有与控制模块电路连接且内封装有热电制冷器的制冷型背照式CCD探测器；通过控制模块调节激光器的激光功率和制冷型背照式CCD探测器的曝光时间；拉曼光信号通过拉曼探头收集进入光路盒内，实现对拉曼信号分光的作用；分光后的拉曼信号光反射至制冷型背照式CCD探测器进行成像，利用背照式感光原理，实现增大光电转换效率的目的，通过封装的热电制冷器，实现制冷型背照式CCD探测器工作温度恒定不受外界环境温度影响，进而实现提高测量的高灵敏度、高准确率的目的。
背照式制冷型控制模块电路拉曼光谱仪热电制冷器控制模块后置槽探头分光前置光电转换效率本实用新型调节激光器拉曼光信号受外界环境感光原理高灵敏度激光功率拉曼信号温度恒定温度影响激光器光反射准确率对拉光路壳体内封成像封装测量体内曝光

[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法-CN202111555383.5在审
发明人：尹鹏;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种背照式图像传感器及其制造方法，该背照式图像传感器及背照式图像传感器的制造方法中，在半导体衬底的外围区域设置或形成了隔离墙，利用隔离墙将光敏区域与外围区域的电路元件和参考像素隔开，隔离墙的隔离方式为物理隔离，可以将电路元件以及参考像素产生的漏电流有效隔离在光敏区域外，从而解决了背照式图像传感器的光敏区域边缘发光问题。
背照式图像传感器及其制造方法

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