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[发明专利]具有增强击穿电压的肖特基二极管-CN201210172695.2有效
发明人：吕晋贤;杜硕伦;张晋伟;詹景琳;李明东 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种改良的肖特基二极管结构及其制造方法。此肖特基二极管结构具有p型主体区域在操作上可以夹住在高电压n型区域中的电流路径，以及场-平板结构在操作上可以将该肖特基二极管的电场电位分配。N阱区域注入于该硅衬底内的一p型外延层之上，且可以作为该肖特基二极管的一阴极，以及N阱区域注入于该高电压N阱区域内可以作为该肖特基二极管的阳极。此肖特基二极管结构也可以作为一低端金属氧化物半导体场效晶体管结构。
具有增强击穿电压肖特基二极管

[发明专利]一种肖特基二极管的等效电路-CN201110421654.8有效
发明人：姜艳;胡林辉 -专利权人：上海新进半导体制造有限公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的等效电路，包括：二极管的阳极与电压控制电流源的正极连接，二极管的阴极与电压控制电流源的负极连接，二极管的阳极与电压控制电流源的正极的连接点作为肖特基二极管的等效电路的阳极，二极管的阴极与电压控制电流源的负极的连接点作为肖特基二极管的等效电路的阴极。本发明的肖特基二极管的等效电路能够在仿真中作为肖特基二极管的等效电路，提高包含肖特基二极管的电路的仿真精度。
一种肖特基二极管等效电路

[发明专利]SiC肖特基二极管及其制作方法-CN201110380007.7有效
发明人：白云;申华军;汤益丹;李博;周静涛;杨成樾;刘焕明;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC肖特基二极管，包括N+-SiC衬底和N--SiC外延层，所述N+-SiC衬底背面设有N型欧姆接触，所述N--SiC外延层有肖特基接触；所述肖特基接触的边缘处设有一个P--SiC区域环，作为该二极管器件的结终端延伸结构；在所述P--SiC的JTE区域环上设有n个肖特基金属环，n≥2；各肖特基金属环间设有SiO2钝化层。还公开一种SiC肖特基二极管的制作方法。本发明在使单区JTE的有效浓度低于优值浓度时，降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感程度。
sic 肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种肖特基整流管制造方法及肖特基整流管-CN202110096569.2有效
发明人：张锦鹏 -专利权人：互创（东莞）电子科技有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种肖特基整流管制造方法及肖特基整流管，包括第一封装壳、第二封装壳、第一端子、第二端子、第三端子、肖特基芯片，所述第一封装壳与所述第二封装壳扣合连接，所述第一端子、第二端子与第一封装壳一体化成型本发明的肖特基整流管制造方法及肖特基整流管，通过冲切成型、注塑成型、芯片固定、扣合成型工序就能完成肖特基整流管的制造，结构简单，步骤少，制造效率高。
一种肖特基整流管制造方法

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法-CN201210360078.5无效
发明人：孙清清;郑珊;房润辰;张卫;王鹏飞;周鹏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种使用超薄高介电常数材料层的SiC肖特基二极管及其制作方法。本发明在金属和SiC界面之间插入一超薄的高介电常数材料层，可以提高肖特基接触势垒高度，减小SiC表面态缺陷对肖特基势垒的影响，使得SiC肖特基二极管的反向漏电流更小、整流特性更好、在倍频电路中能产生更高的倍频效率本发明所提出的SiC肖特基二极管保留了传统二极管结构简单、易于制作的优点，与传统制作工艺兼容，在改善SiC肖特基二极管性能的同时并未提高其制作成本。
一种碳化硅肖特基二极管及其制作方法

[实用新型]一种任意结构的肖特基芯片及肖特基二极管-CN201821246097.4有效
发明人：薛涛;关仕汉 -专利权人：淄博汉林半导体有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种任意结构的肖特基芯片及肖特基二极管，属于半导体技术领域。包括衬底（8）以及衬底（8）表面的外延层（7），在外延层（7）表面设置有肖特基界面（6），其特征在于：在肖特基芯片（3）外侧的任意位置切割形成切割面（10），在切割面（10）表面设置有绝缘层。在本任意结构的肖特基芯片及肖特基二极管中，通过设置绝缘层，取代了传统的耐压环，因此避免了耐压环中因弯曲弧度部位而导致的耐压性能降低的缺陷，同时在进行晶元切割时可以在任意位置进行切割，提高了芯片切割的灵活性
肖特基肖特基二极管芯片耐压绝缘层表面设置切割面外延层衬底切割半导体技术领域工艺难度耐压性能弯曲弧度位置切割芯片切割传统的晶元保证

[实用新型]一种氮化镓基肖特基二极管-CN202020289473.9有效
发明人：范捷;万立宏;王绍荣 -专利权人：江苏丽隽功率半导体有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓基肖特基二极管，涉及半导体技术领域，该新型结构的氮化镓基肖特基二极管包括衬底及其上的N+氮化镓外延层，N+氮化镓外延层上制作有呈间隔结构的N‑GaN外延层，N‑GaN外延层上制作有P‑GaN外延层，P‑GaN外延层上制作有介质层；阴极金属电极与N+氮化镓外延层形成欧姆接触，阳极金属电极与P‑GaN外延层形成肖特基接触；该新型结构的氮化镓基肖特基二极管可以大幅降低漏电，提升器件耐压，同时在肖特基势垒引入了P‑GaN外延层，可以有效提升肖特基势垒高度。
一种氮化镓基肖特基二极管

[实用新型]基波混频用双平衡肖特基二极管-CN202222827018.1有效
发明人：陈海森;王俊龙;杨明宣;金雷 -专利权人：深圳市承恩热视科技有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基波混频用双平衡肖特基二极管，涉及太赫兹器件技术领域。所述二极管包括四个单阳极的肖特基二极管，所述肖特基二极管首尾相连构成一个四阳极结肖特基二极管，每个单阳极二极管的一个焊盘上形成有梁式引线，所述梁式引线用于肖特基二极管加电和引入射频及本振信号。基于本实用新型所提出的双平衡肖特基二极管，可以实现对太赫兹波的基波混频探测，可工作频率覆盖100GHz‑1000GHz，实现更低的混频损耗。
基波混频平衡肖特基二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201280054764.8有效
发明人：泷沢胜;仓又朗人 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明提供一种即使增大反向耐压也能够抑制正向电压的增大以及与欧姆电极层的接触电阻的增大的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管(1)具备：n型半导体层(3)，其由n型的具有导电性的Ga2O3类化合物半导体构成；以及肖特基电极层(2)，其与n型半导体层(3)肖特基接触，在n型半导体层(3)形成有与肖特基电极层(2)肖特基接触的电子载流子浓度比较低的n^‑半导体层(31)、以及具有比n^‑半导体层(31)高的电子载流子浓度的n⁺半导体层(32)。
肖特基势垒二极管

[发明专利]具有沟槽结势垒肖特基二极管的半导体结构-CN202110404698.3在审
发明人：黄智方;胡家玮;林祐安;詹咏翔 -专利权人：黄智方
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有沟槽结势垒肖特基二极管的半导体结构，包含：一沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应应晶体管结构；以及一沟槽结势垒肖特基二极管；其中，该沟槽结势垒肖特基二极管的侧壁的一绝缘层内不具备有一侧栅极本发明提供的具有沟槽结势垒肖特基二极管的半导体结构具有最短的电流路径、以及电流路径垂直于水平面或肖特基势垒。
具有沟槽结势垒肖特基二极管半导体结构

[发明专利]一种氧化镓基MIS结构肖特基功率二极管-CN202310366147.1在审
发明人：裴艳丽;曹小虎 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种氧化镓基MIS结构肖特基功率二极管。由上至下依次包括：金属阳极、超薄介质层、氧化镓半导体、金属阴极。在肖特基二极管中引入超薄介质层，不仅可以钝化氧化镓界面态，而且通过介质层中的电偶极子效应，可有效调节肖特基势垒高度，抑制反向泄露电流。由于引入的是超薄介质层，不会对正向特性有显著影响。该肖特基二极管有望改善传统肖特基二极管的反向特性。
一种氧化 mis 结构肖特基功率二极管

[发明专利]一种可见近红外宽带热电子光电探测器结构及其制备方法-CN202211227068.4在审
发明人：冯华钰;郭晨;焦锡檬;杨华荣 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明涉及一种可见近红外宽带热电子光电探测器结构及其制备方法，包括由下自上依次设置的欧姆接触电极、宽禁带半导体衬底、纳米孔阵列及肖特基接触电极；肖特基接触电极覆盖在纳米孔阵列上。本发明使用宽禁带半导体与金属的肖特基接触，实现光子能量在肖特基势垒高度和半导体带隙之间的光吸收。本发明通过调节纳米孔阵列的结构，在肖特基接触电极上激发表面等离激元，从而增强光吸收、实现特定功能。
一种可见红外宽带电子光电探测器结构及其制备方法

[发明专利]沟槽肖特基二极管的制作方法及沟槽肖特基二极管-CN202311061665.9在审
发明人：贾旭初;吴勐;李大喆 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请提供一种沟槽肖特基二极管的制作方法及沟槽肖特基二极管，涉及半导体制造领域。在沟槽肖特基二极管的制作方法中，通过调整合金中的靶材比例来调整势垒层的功函数，得到势垒高度可调的沟槽肖特基二极管，当该势垒高度可调的沟槽肖特基二极管应用于太阳能光伏组件时，可以通过调整势垒高度来控制其正向压降参数的大小
沟槽肖特基二极管制作方法

[发明专利]一种判定GaAs基太赫兹混频肖特基二极管结面积的方法-CN201510323758.3有效
发明人：杨晓艳;韩凌;陈梅;魏刚;纪东峰 -专利权人：四川久成泰安科技有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种判定GaAs基太赫兹混频肖特基二极管结面积的方法，所述方法包括将被测太赫兹肖特基二极管固定在测试台面，利用直流测试用探针扎在太赫兹肖特基二极管的两个金属焊盘上；使用半导体测试仪测试太赫兹肖特基二极管的电流和电压；基于获得的电流和电压，利用公式（7）计算出肖特基二极管结面积，实现了快速鉴别管芯，对器件无损伤，成本较低的技术效果。
一种判定 gaas 赫兹混频肖特基二极管面积方法

[发明专利]一种肖特基结电爆换能元及其制备方法-CN201310292192.3有效
发明人：朱朋;胡博;沈瑞琪;叶迎华;付帅;李东乐;梁振华 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： F42B3/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基结电爆换能元，所述电爆换能元包括：硅基衬底、SiO2绝缘层、金属铝层、肖特基结桥区层；本发明与现有技术相比，其显著优点在于每一个肖特基结都有一定的击穿电压，通过控制肖特基结的数量实现换能元的激发能量可控；肖特基结具有反向击穿特性，使换能元能够抗杂散电流，具有本质的安全性；Al和CuO能够发生氧化还原反应，实现换能元的输出能量增加。
一种肖特基结电爆换能元及其制备方法