专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高瞬发度可反应复合薄膜换能元-CN202210798559.8有效
  • 周浩楠;张良;李宋;张亚婷 - 北京智芯传感科技有限公司
  • 2022-07-08 - 2023-09-01 - F42B3/13
  • 本发明提供了一种高瞬发度可反应复合薄膜换能元。本发明的高瞬发度可反应复合薄膜换能元,由下向上依次包括基底、绝缘层、单晶硅桥、粘附层、金属焊盘、隔离层、可反应复合薄膜,所述基底的上表面有绝缘层,绝缘层上表面为单晶硅层,单晶硅层的中间部分刻蚀形成单晶硅桥,单晶硅桥两侧的金属硅层上表面均设置粘附层和金属焊盘,金属焊盘、单晶硅桥的上方覆盖隔离层,隔离层上方沉积可变调制周期的可反应复合薄膜。本发明通过控制可反应复合薄膜的调制周期的厚度变化实现可反应复合薄膜的能量逐级释放,通过隔离层的厚度设计可以使单晶硅桥的热转换积聚,最终提升可反应复合薄膜的化学反应速率,实现点火功能的高瞬发度特性。
  • 一种高瞬发度可反应复合薄膜换能元
  • [发明专利]一种基于硅通孔技术的高安全电流集成半导体桥芯片-CN202211303733.3在审
  • 周浩楠;张良;李宋;张亚婷 - 北京智芯传感科技有限公司
  • 2022-10-24 - 2023-01-13 - F42B3/13
  • 本发明提供了一种基于硅通孔技术的高安全电流集成半导体桥芯片,包括:焊盘层、半导体桥层、隔离层、硅基体、分流层、热沉和硅通孔。焊盘层位于芯片最顶层,并联半导体桥层和分流层;下一层为半导体桥层;隔离层有两处;分流层通过硅通孔并联到半导体桥层;热沉使分流层产生的热量尽快导入外界连接器件。本发明一种基于硅通孔技术的高安全集成半导体桥芯片,分流层额定功率的大小对电流进行筛选,低于额定功率以下的电流会被消耗,达到一定的值后分流层断路,并且半导体桥分流的占比可以通过半导体桥和分流层电阻比值进行调整,使分流层先热,半导体桥层后热,使得火工品更安全,且器件集成化更高、体积更小、更易装配。
  • 一种基于硅通孔技术安全电流集成半导体芯片
  • [实用新型]一种半导体桥塞激发单元-CN202221815022.X有效
  • 王宽厚;龙涛;赵伟红;杨旭 - 陕西航晶微电子有限公司
  • 2022-07-15 - 2022-10-25 - F42B3/13
  • 本实用新型公开了一种半导体桥塞激发单元,包括输入电路和开关电路,输入电路包括三极管Q1和外围阻容器件,输入电路用于提供信号;开关电路包括PMOS场效应晶体管Q2和NMOS场效应晶体管Q3,NMOS场效应晶体管Q3导通时用于保护抗射频信号和静电,PMOS场效应晶体管Q2导通时用于使放电电容上储存的能电压瞬间加到半导体桥塞上,激发半导体桥塞。本实用新型提供的半导体桥塞激发单元是一种快速放电的高端开关,具有体积小、放电电流大,放电快速等特点。同时还加装了射频(EMI)和静电(ESD)防护,故可以高可靠、快速地激发对射频和静电敏感的半导体桥塞(SCB)。
  • 一种半导体激发单元
  • [实用新型]一种便携的防水起爆器-CN202122004939.3有效
  • 陈志君 - 鼎电智能科技(江苏)有限公司
  • 2021-08-23 - 2022-01-25 - F42B3/13
  • 本实用新型公开了一种便携的防水起爆器,涉及爆破技术领域,为解决现有的起爆器防水效果较差的问题。所述第一装置外壳的一端设置有密封盖,所述密封盖与第一装置外壳之间设置有第一连接块,所述第一连接块的一端与第一装置外壳转动连接,所述第一连接块的另一端与密封盖固定连接,所述密封盖的一侧设置有限位块,所述第一装置外壳的一侧设置有第一限位槽,所述第一限位槽内部的一侧设置有第二固定板,所述第二固定板的两侧均设置有滑动轨,所述滑动轨与第二固定板之间通过滑动块滑动连接,所述第一装置外壳一侧的中间位置设置有电量显示屏,所述电量显示屏的一侧设置有连接插槽。
  • 一种便携防水起爆
  • [发明专利]基于Al/Mx-CN201710764837.7有效
  • 沈瑞琪;马宏玲;付帅;朱朋;陈楷 - 南京理工大学
  • 2017-08-30 - 2021-07-06 - F42B3/13
  • 本发明公开了一种基于Al/MxOy含能薄膜的叉指结构换能元,由表面长有SiO2的Si基底、Al薄膜电极以及MxOy介电层组成,采用金属Al作为叉指电极,在叉指电极上沉积MxOy介电层,作为叉指电极间隙之间的绝缘介质。本发明显著的提高了电爆换能元的安全性、适用性和点火能力,换能元的临界激发电压可以在大范围内调节,满足不同点火任务的要求,可以实现500V不发火的要求,此外换能元使用MEMS制作工艺,容易实现与其他部件的集成,提高火工器件的集成度。
  • 基于albasesub
  • [发明专利]一种复合含能薄膜半导体桥-CN202010912877.3在审
  • 张威;邓有杞;张良 - 北京大学
  • 2020-09-03 - 2021-01-22 - F42B3/13
  • 本发明涉及一种复合含能薄膜半导体桥,包括基底、位于基底上表面的绝热层、位于绝热层上表面的半导体桥区、位于桥区两端的电极、位于桥区上表面的绝缘层和位于绝缘层上表面的复合含能薄膜层,复合含能薄膜层通过磁控溅射沉积于绝缘层表面。本发明提供的复合含能薄膜半导体桥,相比于传统的半导体桥,将磁控溅射淀积形成的复合含能薄膜层,取代了传统半导体桥的第一级人工涂敷引爆药,更可控、且安全,在能量方面,本发明选择的B/Ti材料在质量能量密度方面高于一般的复合含能薄膜,更利于能量的转换,点火能力强,同时可实现隔离点火,药剂与含能桥之间有一定的间隙空腔,在这个空腔点火通道中实现基于MEMS的微安保系统,实现智能化。
  • 一种复合薄膜半导体
  • [发明专利]一种集成半导体桥换能元件-CN201710544785.2有效
  • 司马博羽 - 司马博羽
  • 2017-07-06 - 2019-06-07 - F42B3/13
  • 本发明提出一种集成半导体桥换能元件。包括两个以上的半导体桥,至少有一个半导体桥用于吸收电磁干扰能量,其他半导体桥用于将输入能量转换为等离子体点火能量;至少有一个半导体桥的电阻值、桥区面积、桥区形状与其他半导体桥不相同;根据点火的位置和时序确定各半导体桥的电阻值、桥区面积、或者桥区形状;各半导体桥之间串联连接、并联连接或者串并联混合连接,可根据点火的位置和时序确定各半导体桥的电阻值、桥区面积、或者桥区形状;在桥区或电极区集成有开路电阻。本发明既提高了安全性,又提高了可靠性,还能够实现多点有序点火。
  • 一种集成半导体桥换能元件

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