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[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN98120475.9无效
发明人：上山智;古井重雄;宫永良子;西川孝司;斋藤彻;佐佐井洋一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-10-26 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管包括活性层、P型接触层、肖特基电极和欧姆电极。活性层是在n型半导体基片板上形成的，而接触层是在活性层上形成的，肖特基电极是在接触层上有选择地形成的，与接触层进行肖特基接触。欧姆电极在接触层上的肖特基电极的边缘部分与肖特基电极进行电连接而形成，并透过由活性层发出的光。
发光二极管及其制造方法

[实用新型]一种低温升高气密性肖特基二极管-CN201621402132.8有效
发明人：洪旭峰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低温升高气密性肖特基二极管的结构；该肖特基二极管具有缓冲层与漂移层双层外延结构，在同等面积下较传统肖特基二极管具有低的正向饱和压降低温升的优势，同时在终端引入钝化层，较传统肖特基二极管相比封装后气密性更好，提升了肖特基二极管在高温高湿环境中工作的稳定性。
一种低温升高气密性肖特基二极管

[发明专利]一种SiC肖特基二极管及其制作方法-CN201310580966.2有效
发明人：刘新宇;许恒宇;汤益丹;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括N++-SiC衬底和N--SiC外延层，N--SiC外延层形成于N++-SiC衬底之上，且N++-SiC衬底背面设有N型欧姆接触电极，N--SiC外延层表面设有肖特基接触电极，肖特基接触电极之下有选择性P+-SiC区域环，P+-SiC区域环之下有与P+-SiC区域环对应的N+-SiC区域环，作为雪崩击穿时的保护环；肖特基接触电极的外围设有多个P+-SiC保护环，作为该二极管器件的终端保护结构；在肖特基接触电极边缘设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层上方设有场板。本发明使得SiC肖特基二极管的导通电压与Si肖特基二极管的导通电压相近，不仅与原有采用Si器件的系统匹配良好，而且可应用于Si肖特基器件所不能达到的高压600V-1200V的开关电源和功率因数校正电路中
一种 sic 肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]肖特基整流芯片封装结构-CN201310093289.1无效
发明人：胡乃仁;杨小平;李国发;钟利强 -专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开一种肖特基整流芯片封装结构，导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的负极引脚组成，此负极引脚一端与散热区端面电连接，散热区位于第一肖特基芯片和第二肖特基芯片正下方且与第一肖特基芯片和第二肖特基芯片负极之间通过软焊料层电连接；第一导电焊盘和第二导电焊盘位于第一肖特基芯片和第二肖特基芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘各自均包括焊接区和引脚区，焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部；金属线跨接于肖特基芯片的正极与导电焊盘的焊接区之间，金属线与肖特基整流芯片的焊接条至少为两条且相间排列。
肖特基整流芯片封装结构

[实用新型]开关电源及其电压转换电路-CN202023256715.3有效
发明人：陈文峰 -专利权人：惠州市源一泰科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H02M7/04 文献下载
摘要：上述的电压转换电路包括整流滤波电路、第一初级侧电路、第二初级侧电路、次级电路以及变压器；第一初级侧电路包括第一肖特基二极管以及第二肖特基二极管，整流滤波电路的输出端与第一肖特基二极管的第一端连接，第一肖特基二极管的第一端还通过变压器的第一初级绕线侧与第二肖特基二极管的第一端连接，第一肖特基二极管的第二端与第二肖特基二极管的第二端连接。将第一肖特基二极管以及第二肖特基二极管反向连接，形成对整流滤波电路的输出的二次整流，使得整流后的电压信号的振动幅度的偏差减小，从而使得后续经过变压器降压之后输出的电压信号的振幅稳定，提高了开关电源输出电压的稳定性
开关电源及其电压转换电路

[发明专利]肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管-CN201510280124.4在审
发明人：赵圣哲;李理;马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管，方法包括：在基底上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，对所述基底进行刻蚀，形成沟槽，所述沟槽的底部的宽度小于所述沟槽的顶部的宽度，所述沟槽具有倾斜侧壁。本发明提供的肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管，通过形成制作具有倾斜侧壁的沟槽来缓解沟槽的底部的拐角电场聚集的情况，能够提高肖特基二极管的击穿电压，使得肖特基二极管具有较好的耐压性。
肖特基二极管制作方法

[发明专利]一种整流特性可控的二极管及其制造和操作方法-CN201510102940.6在审
发明人：孟庆宇;赵宏武;毛奇;朱科建;林伟坚 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种二极管，包括：第一电极和第二电极；电介质材料层，所述第一电极和第二电极之间，所述电介质材料具有双极型电致阻变效应；其中所述第一电极与所述电介质材料层呈肖特基接触，构成第一肖特基结；所述第二电极与所述电介质材料层呈肖特基接触，构成第二肖特基结，其中，所述第一肖特基结的整流方向与所述第二肖特基结的整流方向相反。
一种整流特性可控二极管及其制造操作方法

[发明专利]一种硅基氮化镓肖特基二极管及其制备方法-CN201811505238.4在审
发明人：陈珍海;许媛;刘琦;周德金;鲍婕;宁仁霞;黄伟 -专利权人：黄山学院
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基氮化镓肖特基势垒二极管及其制备方法，包括自下而上的硅衬底、氮化镓外延层、铝镓氮势垒层、氮化硅钝化层、PETEOS氧化层以及顶部的欧姆电极和肖特基电极。其制造方法是，在氮气和氩气气氛中，采用反应性磁控溅射法在外延层上的肖特基电极区域上形成氮化镍薄膜层，然后采用剥离法，形成肖特基接触，成为肖特基电极，通过氮化镍薄膜层取代镍金属作为肖特基接触，本发明解决了现有技术中二极管稳定性不够好
一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]串联二极管、电路以及电气装置-CN201980083380.0在审
发明人：稻田正树 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：串联二极管(TD)具有：第1肖特基势垒二极管(D1)，相对于电流被反向连接；第2肖特基势垒二极管(D2)，与第1肖特基势垒二极管串联连接，相对于电流被反向连接，第1肖特基势垒二极管以及第2肖特基势垒二极管分别具有如下结构：在形成肖特基结(SB)的金属层(1)与半导体层(2)之间的一部分的区域具有绝缘体层(3)，并流过反向的隧道电流。
串联二极管电路以及电气装置

[发明专利]GaN基肖特基二极管、β核电池及其制备方法-CN202111518689.3在审
发明人：杨毓枢;周春林;吴巍伟;王旭;陈桎远;李培咸;冯焕然;苏晨;王磊;邓志勇;张劲松 -专利权人：中国核动力研究设计院
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了GaN基肖特基二极管、β核电池及其制备方法，GaN基肖特基二极管，包括n型GaN薄膜、金属层和石墨烯，所述n型GaN薄膜置于金属层和石墨烯之间，所述金属层和石墨烯分别作为GaN基肖特基二极管的底电极和顶电极本发明所述GaN基肖特基二极管中的n型GaN薄膜采用外延生长技术获得，具有超薄的优点，且本发明的GaN基肖特基二极管中采用石墨烯作为电极，使得制备的GaN基肖特基二极管不仅具有厚度薄的优点。
gan 基肖特基二极管核电及其制备方法

[发明专利]推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置-CN202210512768.1在审
发明人：杜国孟;蒋兴华;雒一;陈尘;陈美玲;赵小梅 -专利权人：成都麦克韦科技有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明涉及推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置，推挽式肖特基二极管堆倍频电路包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构；推挽式肖特基二极管堆倍频电路的倍频装置，所述倍频装置包括上述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路。
推挽式肖特基二极管倍频电路及其装置

[发明专利]一种肖特基紫外探测器及其制造方法-CN201810356353.3有效
发明人：陈达;罗海龙;叶菲 -专利权人：中芯集成电路(宁波)有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基紫外探测器及其制造方法，包括：衬底；欧姆接触电极，形成在所述衬底的表面上；第一ZnO材料层，覆盖所述衬底及所述欧姆接触电极；肖特基接触金属，形成在所述第一ZnO材料层表面上，其中，所述肖特基接触金属包括底部肖特基接触金属，以及形成在所述底部肖特基接触金属上的若干个凸起结构；第二ZnO材料层，覆盖所述肖特基接触金属本发明的紫外探测器增强了第二ZnO材料层对紫外光的吸收，以及光生载流子的收集效率，提高光生载流子浓度，从而提高探测器灵敏度
肖特基接触金属材料层衬底肖特基紫外探测器欧姆接触电极光生载流子探测器灵敏度材料层表面紫外探测器紫外光收集效率凸起结构覆盖制造吸收

[发明专利]SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法-CN201110380662.2有效
发明人：白云;申华军;汤益丹;李博;周静涛;杨成樾;刘焕明;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供SiC结势垒肖特基二极管，包括肖特基金属下的P型区，所述肖特基金属下的P型区分别由P+-SiC和P--SiC两个区域构成；所述SiC结势垒肖特基二极管的结终端延伸区域由P--SiC区构成。本发明还提供SiC结势垒肖特基二极管的制作方法。本发明提供的SiC结势垒肖特基二极管的制作方法降低了工艺的复杂度，减小了两次或多次Al离子注入工艺引入不利影响因素的可能性。
sic 结势垒肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]碳化硅肖特基二极管的制造方法-CN202210383943.1有效
发明人：张益鸣;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种碳化硅肖特基二极管的制造方法，属于半导体技术领域，通过包括外延层和肖特基金属层；外延层上设有依次排列的多个P型区；在外延层上表面沉积有肖特基金属层；P型区为亚微米级；由于P型区为亚微米级，故在较小的元胞尺寸范围内增加肖特基占比，增强了两个PN结夹断电场效应，从而降低了肖特基区的电场强度，增加了电流密度并降低了漏电流，实现了低正向压降和低漏电流的碳化硅肖特基二极管。
碳化硅肖特基二极管制造方法

[实用新型]推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置-CN202221133163.3有效
发明人：杜国孟;蒋兴华;雒一;陈尘;陈美玲;赵小梅 -专利权人：成都麦克韦科技有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及推挽式肖特基二极管堆倍频电路及其倍频装置，推挽式肖特基二极管堆倍频电路包括推挽式二极管倍频电路，所述推挽式二极管倍频电路包括多个逐个电连接的肖特基二极管，所述肖特基二极管构成二极管推挽式结构；推挽式肖特基二极管堆倍频电路的倍频装置，所述倍频装置包括上述的推挽式肖特基二极管堆倍频电路。
推挽式肖特基二极管倍频电路及其装置