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[发明专利]一种缓变与速变信号的时间跟踪特征级融合方法-CN202210762563.9在审
发明人：陈禛怡;訾艳阳;张晓光;金路;陈晖 -专利权人：西安交通大学;西安航天动力研究所
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G06F18/213 文献下载
摘要：本发明公开了一种缓变与速变信号的时间跟踪特征级融合方法，包括：求取降采样结果上预设特征频率在给定时长上的均值及方差；5)对于速变信号，根据步骤4)得到的均值及方差，构建由正常样本统计特征及测试样本组成的速变融合函数；6)对于缓变信号，根据步骤4)得到的均值及方差，构建由正常样本统计特征及测试样本组成的缓变融合函数；7)求取速变信号的待优化目标函数，得速变信号的融合参数；8)求取缓变信号的待优化目标函数，得缓变信号的融合参数；9)构建全参数缓变信号融合函数；10)根据全参数缓变信号融合函数计算缓变与速变信号的最终融合结果，该方法能够实现缓变与速变信号的时间跟踪特征级融合。
一种信号时间跟踪特征融合方法

[发明专利]一种故障关联分析方法和装置-CN202011158259.0在审
发明人：沈毅;吴宾;李慧;潘树强;彭时涛 -专利权人：北京旋极信息技术股份有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：其中，所述故障关联分析方法，包括，获取待检测设备的多种类型的缓变信号；根据所述缓变信号和预先确定的各类型的缓变信号的正常阈值范围，确定所述缓变信号的状态；根据所述缓变信号的状态，确定所述待检测设备的多种类型的缓变信号的故障关联分析结果
一种故障关联分析方法装置

[发明专利]一种缓变信号检测方法和装置-CN201911376411.X有效
发明人：沈毅;刘雪艳;潘树强;彭时涛;宋钱骞 -专利权人：北京旋极信息技术股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06F18/2433 文献下载
摘要：本发明公开了一种缓变信号检测方法，包括：采集待测设备产生的缓变信号，并根据所采集的缓变信号，确定待检测特征数据；将所确定的待检测特征数据输入预先训练好的概率神经网络模型，确定所述待测设备的工作状况；根据所述待测设备的工作状况，确定对应的长短期记忆神经网络模型；将所采集的缓变信号进行分窗时移处理后，输入所确定的长短期记忆神经网络模型，确定所述缓变信号的状态。本发明还公开了一种缓变信号检测装置。
一种信号检测方法装置

[发明专利]用于改进磁盘调度算法的间歇缓变的方法和设备-CN200380105580.0无效
发明人： J·H·M·科尔斯特;H·李;R·约赫姆森;N·兰伯特;G·W·T·范德海登 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-12-08 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种用于间歇缓变存储装置(110)的调度算法的方法。所述方法包括：(a)计算存储装置(110)的间歇缓变周期(P)的最差情况的持续时间；(b)启动间歇缓变周期；(c)确定在P结束前下述情形之一是否变为真：(i)实时请求的数量至少是基于存储装置的数据流的数量和性能参数的预定阈值；以及(ii)对任一单个流的挂起请求的数量变为不止一个；(d)如果在P持续时间之内(i)和(ii)中的至少一个保持为真，那么在该间歇缓变周期完成后启动后续的间歇缓变周期；以及(e)如果在P持续时间之内(i)和(ii)二者均不为真，那么在启动后续的间歇缓变周期之前从启动该间歇缓变周期起等待P个时间单元。
用于改进磁盘调度算法间歇方法设备

[发明专利]一种渐变式PN结材料的制备方法-CN202010501945.7有效
发明人：韩景瑞;杨旭腾;孔令沂;周泽成;邱树杰;冯禹 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种渐变式PN结材料的制备方法，包括如下步骤：设定LPCVD的生长条件外延缓变层；生长条件通过如下方法设置：(1)设定部分生长条件；(2)设定缓变层载流子浓度的最大值a和最小值b以及对应掺杂源的最大流速c和最小流速d；(3)根据缓变层的厚度和生长速率计算得到生长时间e；(4)在通入生长气体和载气气体后，通入最大流速c的掺杂源，然后控制掺杂源的质量逐渐减少，在生长时间e通过外延法在外延层制备缓变结技术较为容易，制备的缓变结的载流子浓度随厚度变化的线性关系较好，形成的缓变结质量较为稳定，缓变结内晶体点缺陷少，缓变结质量稳定。
一种渐变 pn 材料制备方法

[发明专利]一种车载显示屏亮度缓变装置及亮度缓变方法-CN202110045948.9在审
发明人：杜浩;王西顺;石华清 -专利权人：安徽创显电子科技有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G09G5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种车载显示屏亮度缓变装置及亮度缓变方法，涉及车载显示屏领域，包括车载显示屏主体，所述车载显示屏主体的前端中间位置处设置有触屏显示屏，所述车载显示屏主体的前端且位于触屏显示屏的下方处设置有控制面板该车载显示屏亮度缓变装置及亮度缓变方法，能够防止在调节过程中触屏显示屏的亮度突然变亮，防止给人一种目眩的感受，并能够方便使用者把亮度调到自己舒适的亮度，能够实现对背光驱动模块进行快速安装和拆卸，便于对背光驱动模块进行更换，能够防止外部冲击力对其造成损坏，能够实现对缓变控制模块进行快速安装和拆卸，并能够对缓变控制模块进行更换，能够对缓变控制模块进行防护。
一种车载显示屏亮度装置方法

[发明专利]半导体器件-CN201910739190.1在审
发明人： J·威勒曼 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件，其包括半导体衬底中的复合pn结结构，其中复合pn结结构被布置为具有预定的第一结缓变系数m1，其中m1缓变系数m11，并且其中第二部分pn结结构被布置为具有预定的第二部分结缓变系数预定的第一部分结缓变系数m11与预定的第二部分结缓变系数m12不同，其中m11缓变系数m11和第二部分结缓变系数m12中的至少一个大于0.50，其中m11缓变系数m1基于第一部分结缓变系数m11和第二部分结缓变系数m12
半导体器件

[发明专利]图像处理方法及系统-CN202111333935.8有效
发明人：陈炜;池国泉 -专利权人：锐芯微电子股份有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H04N25/10 文献下载
摘要：获取若干调整训练图像；获取若干训练马赛克图像；获取每张调整训练图像的训练亮度通道图像；获取亮度生成矩阵；获取调整马赛克图像；获取调整马赛克图像所对应的观察亮度通道图像；根据调整马赛克图像与观察亮度通道图像获取缓变马赛克图像；对缓变马赛克图像进行若干通道插值处理，获取若干缓变彩色通道图像；根据若干缓变彩色通道图像与观察亮度通道图像获取若干彩色通道图像。由于缓变马赛克图像中具有像素空间变化缓慢的特点，因此可以对缓变马赛克图像进行更为准确的插值，由此获取的若干彩色通道图像的伪彩较少，提升图像质量。
图像处理方法系统

[实用新型]防窃听语音采集电路和终端设备-CN202021661388.7有效
发明人：范海涛 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H04R1/08 文献下载
摘要：其中，防窃听语音采集电路，包括：防窃听功能控制器和电流缓变开关电路；所述防窃听功能控制器与所述电流缓变开关电路连接，用于向所述电流缓变开关电路发送开关指令；所述电流缓变开关电路设于麦克风的供电电路中，用于根据所述开关指令控制所述供电电路中的导通电流缓变以导通或断开所述供电电路本申请技术方案可以断开麦克风的供电电路，从而从硬件上根本避免被窃听的风险，此外，还可以确保开启或关闭麦克风时，导通电流能够缓变，从而避免麦克风因电流突变而产生爆破音，确保关闭或开启麦克风时的隐秘性，提高用户使用体验
窃听语音采集电路终端设备

[发明专利]半导体器件及制造方法-CN201210004107.4有效
发明人：肖胜安;钱文生;朱东园 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，器件的漂移区中包括一掺杂浓度为缓慢增加的缓变区，缓变区位于硅片的背面一侧且缓变区的掺杂浓度大于均匀区的掺杂浓度。较高掺杂的缓变区能保证器件得到较低的导通电阻，同时，缓变区的掺杂浓度的增加速率得到了良好的控制，能消除现有场阻断型半导体器件中存在的场阻断层中的内建电场较大的缺陷，从而能使器件在关断时的电流下降速度得到有效控制
半导体器件制造方法

[实用新型]具有缓变与突变二个调节装置的漏电保护器-CN01228575.7无效
发明人：李乾良 -专利权人：李乾良
申请日： 2001-08-29 - 公布日： 2002-06-19 - 主分类号： H02H3/16 文献下载
摘要：一种具有缓变和突变二个调节装置的漏电保护器,由选择开关、信号采样电路、信号放大电路、缓变比较器电路、突变比较器电路、输出电路、电源电路几大部分组成,独具特色的是由多位选择开关与至少三个电阻组成的可变(缓变与突变)基准信号电路与对应的可变(缓变与突质)比较器电路相连,分别组成缓变与突变可分别调节的装置,安装于脉冲型与鉴相鉴幅型漏电保护器中,有利于流水线生产、给备货、保管、发货、检测认证、电管部门的管理以方便,生产效率高等优点
具有突变调节装置漏电保护

[发明专利]LDMOS器件及其制造方法-CN201810163584.2有效
发明人：房子荃;钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件，漂移区场氧的主体部分由第一氧化层沉积后进行光刻和刻蚀形成；漂移区场氧的侧面具有缓变结构，缓变结构通过第二氧化层沉积后进行全面的各向异性刻蚀确定，第二氧化层沉积后会覆盖在主体结构的表面以及主体结构外的第一外延层表面并在主体结构的侧面上方形成缓变侧面，对第二氧化层进行全面的各向异性刻蚀后将主体结构的侧面上方形成的缓变侧面下沉后形成缓变结构，漂移区场氧通过缓变结构和栅介质层相接触并降低漂移区场氧和栅介质层接触位置处的电场强度。
ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]一种倾角局部变缓的急倾斜薄矿体开采方法-CN201811366819.4有效
发明人：张海磊;李浩;周矿兵;雷明礼;孟慧媚;焦满岱;严文炳;刘财林;张睿;周通;尉孟虎;史建平;卢宝慧;贠卓 -专利权人：西北矿冶研究院
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： E21C37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种倾角局部变缓的急倾斜薄矿体开采方法，针对倾角局部变缓的倾角小于15度的急倾斜薄矿体设置结构参数、下部矿段采准切割工程、下部矿段回采工程、上部矿段采准切割工程、上部矿段回采工程、上部矿段大量放矿工程本发明通过在倾角局部变缓部位设置临时采准系统采用二次倒运的方式，解决现有留矿法采矿工艺开采倾角局部变缓的急倾斜薄矿体时，矿体倾角局部变缓部分及以上矿石损失较大甚至无法放出的问题。
一种倾角局部倾斜矿体开采方法

[发明专利]具有平行层状漏极结构的MOSFET及其漏极制造方法-CN200710172271.5无效
发明人：戴明志;叶景良;廖宽仰 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有平行层状漏极结构的MOSFET，所述的漏极结构为平行于沟道的层状三明治结构，包含依次排列的缓变掺杂的N型缓变漏极，P阱，高掺杂的N型扩散区n+。在制造该层状漏极结构时，先注入缓变掺杂的N型缓变漏极，然后确定无掺杂P区的长度，与N型缓变漏极间隔该长度的距离，注入高掺杂的N型扩散n+。
具有平行层状结构 mosfet 及其制造方法

[发明专利]缓启母线电路、方法和不间断电源-CN201911012984.4有效
发明人：王伟;张驰;石少鹏;孟涛 -专利权人：科华恒盛股份有限公司;漳州科华技术有限责任公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：本发明适用于不间断电源技术领域，提供了缓启母线电路、方法和不间断电源。所述电路包括：整流逆变模块、市电缓启模块、旁路模块、旁路缓启模块和控制模块，整流逆变模块包括母线电容；在市电供电异常时，控制模块控制旁路缓启模块闭合，旁路输入通过旁路缓启模块为母线电容充电，获取母线电容的母线电压，在母线电压达到第一预设电压时控制旁路模块导通；在市电供电正常时，控制模块控制市电缓启模块闭合，市电通过市电缓启模块为母线电容充电，在母线电压达到第二预设电压时控制整流逆变模块导通。本发明的电路结构简单，减少了接触器数量使用，降低了成本，同时有效的避免了旁路模块和逆变模块的损坏。
母线电路方法不间断电源

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