专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]机器学习集群力资源运方法、系统、设备及存储介质-CN202310427645.2在审
  • 张加远;林冯军;曾炜;王晖;余跃;李革 - 鹏城实验室
  • 2023-04-12 - 2023-08-11 - G06F9/50
  • 本申请实施例提供了一种机器学习集群力资源运方法、系统、设备及存储介质,属于机器学习技术领域。该方法包括:获取工作节点执行机器学习任务时的力资源数据;根据力资源数据进行运分析,得到运需求;获取运需求对应的任务模版,任务模版包含力资源调度策略,力资源调度策略用于表征任务模版对应的力资源调度计划;根据运需求和任务模版,确定力资源调度指令;输出力资源调度指令到工作节点,以使工作节点按照算力资源调度指令,确定执行机器学习任务的目标力资源。本申请能够在提高机器学习集群日常力资源运管理准确度的同时,提高力资源运管理的效率。
  • 机器学习集群资源方法系统设备存储介质
  • [发明专利]一种数模混合一体化设备-CN202210660792.X在审
  • 张和;康旺;李赛 - 北京航空航天大学
  • 2022-06-13 - 2022-08-30 - G06N3/04
  • 本发明提供一种数模混合一体化设备,包括:包括存储访接口、模拟内计算阵列、数字内计算阵列和计算结果合成单元;其中:所述存储访接口分别与所述模拟内计算阵列和所述数字内计算阵列相连接;所述计算结果合成单元分别与所述模拟内计算阵列和所述数字内计算阵列相连接;用于分别接收模拟内计算阵列的第一计算结果和数字内计算阵列的第二计算结果,并融合所述第一计算结果和所述第二计算结果,得到融合计算结果。本发明实施例提供的数模混合一体化设备,能够提高数据计算效率。
  • 一种数模混合一体化设备
  • [发明专利]一种基于一体技术的高吞吐量LDPC编码器-CN202310412572.X在审
  • 姜小波;莫志杰 - 华南理工大学
  • 2023-04-18 - 2023-08-08 - H03M13/11
  • 本发明提供了一种基于一体技术的高吞吐量LDPC编码器,包括码字缓存控制模块、信息位缓存模块、一体核、异或门阵列、奇偶判断模块以及校验位缓存控制模块;一体核负责编码运算的乘累加计算;异或门阵列负责校验码元部分和输出进行无进位累加该编码器通过使用一体核,以SRAM阵列存储单元的多行字线读取、位线电流累加的计算特点,高效地映射LDPC编码算法数据的乘累加操作,从而以较小的面积开销得到更高的吞吐量收益,以满足通信系统日益增长的吞吐量需求
  • 一种基于一体技术吞吐量ldpc编码器
  • [发明专利]多模式一体电路、芯片及计算装置-CN202310014848.9有效
  • 马松;吴强 - 上海后摩智能科技有限公司
  • 2023-01-06 - 2023-04-18 - G06F7/544
  • 本公开实施例公开了一种多模式一体电路、芯片及计算装置,其中,该电路包括:控制单元、第一预设数量个数据接收单元、第二预设数量个单元组和第三预设数量个累加计算单元;控制单元用于在多个计算模式之间切换;数据接收单元用于将输入数据转换为相应计算模式的待计算信号,并输出至对应的单元;单元组用于对待计算信号和存储的单比特存储数据进行计算,得到计算结果信号;将第一预设数量个计算结果信号发送至对应的累加计算单元
  • 模式一体电路芯片计算装置
  • [发明专利]一种8T SRAM单元及内计算装置-CN202011045240.5有效
  • 乔树山;陶皓;尚德龙;周玉梅 - 中科南京智能技术研究院
  • 2020-09-29 - 2023-03-21 - G11C11/41
  • 本发明涉及一种8T SRAM单元及内计算装置。该装置包括一个8T SRAM单元阵列、一个输入驱动器、一个列译码和位线驱动模块、一个行解码器和N个数模转换模块。本发明中的8T SRAM单元阵列使用的计算模式采用的2比特输入的乘模式,相比传统的8T结构的SRAM采用的1比特输入的计算模式,能够提高计算的精度,有利于提高数据计算的准确性。同时本发明中的8T SRAM单元阵列的2比特计算方案,和传统的8T结构的SRAM相比实现了2个传统8T结构的SRAM才能完成的功能,降低了阵列的面积,减小了整体SRAM的面积消耗以及能耗,提高了效率
  • 一种sram单元计算装置
  • [发明专利]内计算装置、芯片及电子设备-CN202111665757.9在审
  • 李学清;唐文骏;刘家隆;蒋琛;刘勇攀;杨华中 - 清华大学
  • 2021-12-31 - 2022-04-08 - G06N3/063
  • 本公开涉及一种内计算装置、芯片及电子设备,所述装置包括:阵列,包括至少一个内计算单元,所述内计算单元包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、耦合电容、第一位线、第二位线、第三位线、第一字线、第二字线及第三字线;控制模块,连接于所述阵列,用于控制各个字线、各个位线的电压状态,以通过所述阵列读写数据,或进行内计算。本公开实施例通过将第一开关、第二开关和第三开关、第四开关设置为差分的形式,通过第二开关、第三开关的两个端口之间电压的差值确定存储值,可以实现高精度、低电路复杂度、高能效的内计算,且具有较长的数据保持时间
  • 计算装置芯片电子设备

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