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[发明专利]配线电路基板的制造方法-CN201680040657.8有效
发明人：奥村圭佑;丰田英志;増田将太郎 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H05K3/20 文献下载
摘要：配线电路基板的制造方法具有：在剥离层的厚度方向的一侧面形成晶种层的工序(1)、在晶种层的厚度方向的一侧面形成导体图案的工序(2)、利用绝缘层覆盖晶种层以及导体图案的工序(3)、将剥离层自晶种层剥离的工序(4)、以及去除晶种层的工序(5)。绝缘层的以日本工业标准JIS P8115(2001年)为基准测定的耐折次数为10次以上。
配线电路基制造方法

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN200510132970.8有效
发明人：小泽良夫;上冈功;盐泽顺一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-12-29 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：一种半导体存储器件的制造方法，包括：在半导体衬底的上方形成浮置栅极电极的工序；在上述浮置栅极电极的上方形成电极间绝缘膜的工序；利用第1自由基氮化在上述电极间绝缘膜的表面形成第1自由基氮化膜的工序；以及在上述第1自由基氮化膜上形成控制栅极电极的工序。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置-CN201610061520.2有效
发明人：大桥直史;中山雅则;须田敦彦;丰田一行;松井俊 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：具有下述工序：对具有实施了研磨的第一绝缘膜的衬底的第一绝缘膜的膜厚分布数据进行接收的工序；基于膜厚分布数据，运算使衬底的中心侧的膜厚与外周侧的膜厚之差减小的处理数据的工序；将衬底搬入处理室的工序；向衬底供给处理气体的工序；和基于处理数据，以使生成于衬底的中心侧的处理气体的活性种的浓度与生成于衬底的外周侧的处理气体的活性种的浓度不同的方式使处理气体活化，从而修正第一绝缘膜的膜厚分布的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201680067695.2有效
发明人：奥村圭佑;本田哲士 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-10-04 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L35/08 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，其在将半导体元件以利用两片绝缘基板夹住的方式进行固定时，能够防止半导体元件发生位置偏移、倾斜。一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：工序A，得到在形成于第一绝缘基板的第一电极上借助第一烧结前层预粘接有半导体元件的层叠体；工序B，在工序A之后，借助在第一烧结前层的相反侧设置的第二烧结前层而将半导体元件预粘接在形成于第二绝缘基板的第二电极上，从而得到半导体装置前体；以及工序C，在工序B之后，将第一烧结前层和第二烧结前层同时加热，从而将半导体元件接合于第一电极和第二电极。
半导体装置制造方法

[发明专利]配线构造及制造方法、带配线构造的半导体装置及配线基板-CN03100968.9无效
发明人：岡山芳央 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2003-01-10 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明揭示一种能包含能简化制造工序的传输线路构造的配线构造。该配线构造，包括在基板上的第1绝缘膜上形成的第1槽，沿第1槽的内面的至少一部分、形成在第1槽的延伸方向的第1配线，以及构成与第1配线一起传输信号用的传输线路、经第2绝缘膜、与第1配线对向形成的第2配线；并且，将第1配线、第2绝缘膜及第2配线埋入在第1槽内。经过形成第1槽时的1次的石印工序、腐蚀工序及保护膜除去工序、以及1次的CMP工序、形成该配线构造，因此能简化制造工序。
构造制造方法带配线半导体装置配线基板

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610156717.0无效
发明人：鬼塚年央 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，使得裂纹不会进入在沟槽内埋入的绝缘物中而把绝缘物填充在应该填充的地方。包含：在SOI基板(10)的第1硅基板(1)的给定的位置，到达埋入绝缘膜(3)而形成沟槽(1a)的工序；在包含沟槽(1a)的第1硅基板1上，不完全埋入沟槽(1a)中而使第1BPSG膜成膜的工序；在第1BPSG膜上使NSG膜成膜的工序；以及在NSG膜上使第2BPSG膜成膜的工序，各成膜工序采用CVD法在同一CVD炉内进行，各成膜工序间的切换通过变更供给到上述CVD炉内的气种的次序来进行。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]表面声波装置的制造方法及表面声波装置-CN200510132693.0无效
发明人：矢岛有继;佐藤久克;小岛贵志 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-12-20 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：该方法具备：在半导体基板的IC区域形成半导体元件层(45)的工序；形成布线层(46)的工序；在IC区域及表面声波元件区域形成层间绝缘膜(38)的工序；对层间绝缘膜(38)的表面进行化学机械抛光处理的工序；在化学机械抛光处理过的层间绝缘膜(38)上形成压电薄膜(39)的工序；以及在表面声波元件区域中的压电薄膜(39)上形成表面声波元件(40)的工序。
表面声波装置制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件-CN200880105463.7无效
发明人：佐藤浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-09-03 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备：在基板上涂覆将高分子导电材料溶解到绝缘性溶媒中而得到的涂覆液，在该基板上形成涂覆膜的涂覆膜形成工序(a)；在涂覆膜形成工序(a)之后进行的对上述涂覆膜进行热处理的热处理工序(b)；在一系列涂覆膜形成工序(a)和热处理工序(b)之前或者之后，在上述基板上形成栅电极的电极形成工序(c)，形成被分离为作为绝缘层的表层部和作为有机半导体层的内层部的状态，可以将该表层部和内层部分别用作栅极绝缘膜和场效应型晶体管的沟道
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202080013106.9在审
发明人：羽持贵士;冈崎健一;井户尻悟;中泽安孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：形成包含金属氧化物的半导体层的工序；在半导体层上形成在半导体层上彼此分开的第一导电层及第二导电层的工序；对露出半导体层的区域使用包含氧化性气体及还原性气体的混合气体进行等离子体处理的工序；在半导体层上、第一导电层上及第二导电层上形成第一绝缘层的工序；以及在第一绝缘层上形成第二绝缘层的工序。利用使用混合气体的等离子体增强化学气相沉积法形成第一绝缘层，该混合气体包含含硅的气体、氧化性气体及氨气体。此外，在等离子体处理后以不暴露于大气的方式连续形成第一绝缘层。
半导体装置制造方法

[发明专利]印刷电路板的制造方法、和树脂组合物-CN201680027088.3有效
发明人：富泽克哉;高桥博史;志贺英祐 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：本发明提供能够提高印刷电路板的包含无机填充材料的绝缘层与导体层的密合性的印刷电路板的制造方法。本发明的印刷电路板的制造方法具有如下工序：使印刷电路板用的绝缘层的表面与碱水溶液接触的碱处理工序；及在经过了前述碱处理工序的前述绝缘层的前述表面的至少一部分形成导体层的导体层形成工序，前述绝缘层包含树脂组合物
印刷电路板制造方法树脂组合

[发明专利]布线电路基板的制造方法和布线电路基板-CN202180057604.8在审
发明人：滝本显也;柴田直树;高仓隼人 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H05K1/05 文献下载
摘要：本发明的布线电路基板的制造方法包括在金属支承基板(10)上形成第1金属层(11)的工序、在第1金属层(11)上形成绝缘层(12)的工序、将第1金属层(11)的在绝缘层(12)的开口部暴露的部分去除并使金属支承基板(10)在开口部暴露的工序、在金属支承基板(10)的在开口部暴露的部分(10a)之上和绝缘层(12)上形成第2金属层(13)的工序、以及在第2金属层(13)上形成导体层(14)的工序。本发明的布线电路基板(X)具备金属支承基板(10)、具有第1开口部的第1金属层(11)、具有沿着第1开口部开口的第2开口部的绝缘层(12)、与金属支承基板(10)连接的第2金属层(13)、以及第2金属层
布线路基制造方法

[发明专利]定子的制造方法及定子的制造装置-CN202310293512.0在审
发明人：恩田一志 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H02K15/02 文献下载
摘要：本发明提供定子的制造方法及定子的制造装置，能够抑制将分段线圈向配置于槽内的绝缘纸的内侧插入的情况下的绝缘纸的位置偏移的产生。定子(10)的制造方法具备：(a)保持工序(P12)，按压部件(30)将配置于设置在以轴线(C1)为中心的筒状的定子芯(12)上的插槽(14)内的绝缘纸(28)按压并保持于轴线方向的定子芯的一端部(12a)处的插槽的内壁面(16)；(b)第一插入工序(P14)，在保持工序(P12)之后，在未配置按压部件的位置，将外周侧分段线圈(52o)从一端部侧向绝缘纸的内侧插入；及(c)退避工序(P16)，在第一插入工序
定子制造方法装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法、内置该半导体器件的多层基板-CN201010002979.8有效
发明人：千田厚慈;白木聪;前田幸宏;广濑伸一;藤井哲夫;中野敬志 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：半导体器件的制造方法包括：准备由SOI基板(30)构成的晶片的工序；在主面表层部形成电路部(LV、HV)的工序；除去SOI基板的支撑基板(29)的工序；以与电路部相对的方式将绝缘构件(3)固定在半导体层(7a)的背面的工序；切割晶片从而使其分割成多个芯片的工序；以与低电位基准电路部(LV)的一部分相对的方式，将第1导电构件(4a、62、64、65)配置在绝缘构件上，以与高电位基准电路部(HV)的一部分相对的方式，将第2导电构件(4b、62、64、65)配置在绝缘构件上的工序；以及，将第1导电构件与低电位基准电路部的第1部分电连接，将第2导电构件与高电位基准电路部的第2部分电连接的工序。
半导体器件及其制造方法内置多层

[发明专利]光电转换元件及其制造方法以及光电转换装置-CN201611150933.4有效
发明人：工藤学 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种光电转换元件及其制造方法以及光电转换装置，在形成光电转换元件的半导体层的工序中，降低电极的导电材料附着于半导体层的可能性。一种光电转换元件的制造方法，所述光电转换元件具备半导体层，所述光电转换元件的制造方法包括：形成电极的工序；形成覆盖所述电极的绝缘层的工序；在所述绝缘层中俯视下与所述电极重叠的区域形成开口的工序；在所述绝缘层的表面形成半导体材料的覆盖层的工序；以及通过所述覆盖层的图案化来形成所述半导体层的工序，在形成所述半导体层的工序中，以所述半导体层的外周缘位于俯视下比所述开口的内周缘靠外侧处的方式，形成所述半导体层。
光电转换元件及其制造方法以及装置

[发明专利]晶体硅太阳能电池的制造方法、太阳能电池模块的制造方法、晶体硅太阳能电池以及太阳能电池模块-CN201380004306.8有效
发明人：宇津恒;寺下彻;足立大辅;吉见雅士;何塞·路易斯埃尔南德斯 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：该制造方法包括形成第一透明电极层(6)的第一透明电极层形成工序、和在第二主面侧的面的几乎整面形成以铜为主成分的背面电极层(11)的背面电极层形成工序，在上述第一透明电极层形成工序和背面电极层形成工序后，进行为了除去第一主面侧的至少第一透明电极层(6)、与第二主面侧的至少第二透明电极层(10)和背面电极层(11)的短路而形成绝缘区域(30)的绝缘处理工序，绝缘处理工序具有遍及第一主面外周部的整个外周从第一主面侧对距一导电型单晶硅基板(2)的外周部侧面3mm以内的位置照射激光的工序。
晶体太阳能电池制造方法模块以及