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[发明专利]一种新型电场调控的互补场效应管及其逻辑电路-CN201110304805.1有效
发明人：韩秀峰;郭鹏;陈怡然;刘东屏 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种新型电场调制型场效应管及其衍生的互补型场效应管。所述新型场效应管的栅极和背栅施加一定电压时，源极和漏极之间的电阻状态在高低阻态之间变化；所述的互补型场效应管具有栅极、背栅、源极1和漏极1、源极2、漏极2，当栅极和背栅施加一定电压时，源极1和漏极1之间的电阻状态与源极利用上述的场效应管和互补型场效应管可以设计基本的逻辑电路，并包括由基本电路所组合形成的其它电路，以及现场可编程门阵列(FPGA)。利用线性电致电阻效应可以设计数控可调电阻。本发明提出的新型场效应管和互补型场效应管具有设计简单，集成度高、输入阻抗大、非易失性等优点。
一种新型电场调控互补场效应及其逻辑电路

[实用新型]锂离子电池组大电流放电检测装置-CN200420075560.5无效
发明人：张建华 -专利权人：上海比亚迪有限公司
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： G01R31/36 文献下载
摘要：一种锂离子电池组大电流放电检测装置，包括一个连接在检测电路中的绝缘栅型场效应管和一个与该绝缘栅型场效应管相连的单片机。本实用新型利用绝缘栅型场效应管(MOSFET)功率管的超低导通电阻的特点，解决了串联电阻发热，体积大的问题，并且利用绝缘栅型场效应管(MOSFET)功率管的导通电阻，省去外加电流检测电阻，利用绝缘栅型场效应管(MOSFET)功率管的开关特性，开启，关断负载电流功能。
锂离子电池组电流放电检测装置

[实用新型]一种缓冲保护效果好的场效应管-CN202123013170.8有效
发明人：颜镇源;颜坚秋;朱素雁 -专利权人：深圳市新新电子科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型属于场效应管技术领域，公开了一种缓冲保护效果好的场效应管，包括场效应管封装壳和引脚，所述引脚位于场效应管封装壳的下方，所述场效应管封装壳的顶部设置有U型框，所述U型框的两侧均安装有第一支撑片，所述U型框相邻第一支撑片的两侧均安装有连接框，所述连接框的底端连接有第二支撑片，所述引脚靠近场效应管封装壳的一端外表面安装有导热片，本实用新型设置了U型框与连接框，将U型框通过固定块安装在场效应管封装壳的上方，使得U型框下方的第一支撑片以及连接框下方的第二支撑片与主板接触，这样能够通过第一支撑片与第二支撑片将场场效应管的四周稳定固定，从而有效的增加场效应管的稳定性。
一种缓冲保护效果场效应

[实用新型]三线正反向的LED灯串控制线路及6路LED灯串-CN201922052746.8有效
发明人：谢华荣 -专利权人：谢华荣
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H05B45/30 文献下载
摘要：本实用新型适用于LED灯控制技术领域，提供了一种三线正反向的LED灯串控制线路及6路LED灯串，三线正反向的LED灯串控制线路包括外部电源、单片机、驱动电路和LED灯组电路，驱动电路包括P型沟道的第一场效应管、第三场效应管、第五场效应管和第七场效应管，N型沟道的第二场效应管、第四场效应管和第六场效应管；第二场效应管的漏极与第三场效应管的漏极之间的导线上设有第一端口，第四场效应管的漏极与第五场效应管的漏极之间的导线上设有第二端口，第六场效应管的漏极与第七场效应管的漏极之间的导线上设有第三端口；LED灯组电路连接第一端口、第二端口和第三端口。
三线反向 led 控制线路灯串

[实用新型]一种零功耗开关电路-CN201720909321.2有效
发明人：杨杰 -专利权人：福州旋航电子有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本实用新型公开一种零功耗开关电路，其包括第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三NPN型三极管和第四NPN型三极管，第一、第二P沟道场效应管的漏极相连接，第一P沟道场效应管的源极连接第一电源接线端，第一电源接线端通过第一电阻连接第一P沟道场效应管的栅极，第一P沟道场效应管的栅极通过第二电阻连接第三NPN型三极管的集电极，第三NPN型三极管的基极连接第四NPN型三极管的基极，第二P沟道场效应管的源极连接第二电源接线端，第二电源接线端通过第三电阻连接第二P沟道场效应管的栅极，第二P沟道场效应管的栅极通过第四电阻连接第四NPN型三极管的集电极，第三、第四NPN型三极管的发射极接地，第四NPN型三极管的基极通过第六电阻接地，第四NPN型三极管的基极通过第五电阻连接开关控制端。
一种功耗开关电路

[发明专利]一种灵敏放大器电路及非易失存储器-CN201811109521.5在审
发明人：方海彬;陈晓璐 -专利权人：合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种灵敏放大器电路，该包括：第一输入端为灵敏放大器电路的基带基准电压输入端；第二输入端与第一N型场效应管单元的源端连接；第一N型场效应管单元的栅端与第一N型场效应管单元的漏端连接，并与第一P型场效应管单元的漏端、嵌位电压输出端连接；第一P型场效应管单元的栅端与运放输出端连接；第一P型场效应管单元的源端与电源端连接；第一N型场效应管单元的源端与电阻的一端连接；电阻的另一端与接地端连接。本发明实施例，第一P型场效应管单元的漏端有很强的驱动能力即使非易失存储器中需要多个灵敏放大器，也只需要共用一个上述灵敏放大器电路进行统一嵌位，因此，灵敏放大器总体的面积和功耗可以大大减少。
一种灵敏放大器电路非易失存储器

[发明专利]射频识别系统中天线的电压限幅模块-CN201210225616.X无效
发明人：曾维亮 -专利权人：成都市宏山科技有限公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H04B1/18 文献下载
摘要：本发明公开了射频识别系统中天线的电压限幅模块，包括第一N沟道增强型场效应管、第二N沟道增强型场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻及第一电容，第一电阻的两端分别与第一N沟道增强型场效应管的漏极和第二电阻连接，第二电阻与第二N沟道增强型场效应管的漏极连接。第一N沟道增强型场效应管和第二N沟道增强型场效应管两者的栅极均与第三电阻和第四电阻之间的线路连接。本发明通过调整第一N沟道增强型场效应管和第二N沟道增强型场效应管实现天线的电压限幅，不会对功率产生影响。
射频识别系统天线电压限幅模块

[实用新型]一种使用JFET的音频信号回传装置-CN202222466736.0有效
发明人：夏维曦 -专利权人：天津市新尚洲科技有限公司
申请日： 2022-09-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及音频信号回传领域，公开了一种使用JFET的音频信号回传装置，包括插头和插座，插座包括一号电容、二号电容和结型场效应管，一号电容和二号电容并联设置，一号电容和二号电容输出端串联设置有二号电阻，二号电阻和结型场效应管串联设置，结型场效应管漏极依次串联设置有五号电容和六号电容。
一种使用 jfet 音频信号装置

[发明专利]一种低功耗的低压差线性稳压电路-CN201610568623.8在审
发明人：张来;何云鹏;高君效 -专利权人：成都启英泰伦科技有限公司
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，特别涉及一种低功耗的低压差线性稳压电路，上述电路由核心电路、频率补偿电路和反馈电路组成，核心电路由运算放大器AMP、第一P型场效应管PM1、第一电阻R1和第二电阻R2组成,频率补偿电路由第四P型场效应管PM4、第三电阻R3和第一电容C1组成，反馈电路由第二P型场效应管PM2、第三P型场效应管PM3、第一N型场效应管NM1、第二N型场效应管NM2和第三N型场效应管NM3组成，本发明结构简单，
一种功耗低压线性稳压电路

[发明专利]一种全氧化物异质结场效应管-CN200810118113.6有效
发明人：吕惠宾;杨芳;何萌;金奎娟;杨国桢 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-08-12 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及全氧化物异质结场效应管，包括在n型或p型衬底上生长一p型或n型钙钛矿氧化物材料层，并在p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀一槽，该槽作为场效应管的沟道，该沟道一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极，另一侧的钙钛矿氧化物材料层为漏极由于本发明提供的全氧化物场效应管不仅具有功能特性，而且，由于钙钛矿氧化物材料的禁带宽度比较大，熔点也比较高，因而该全氧化物异质结场效应管也可工作在较高温度等特殊环境条件下。
一种氧化物异质结场效应

[实用新型]一种基于P沟道结型场效应管的声频混频器-CN202122837081.9有效
发明人：崔建国;宁永香;崔燚 -专利权人：山西工程技术学院;崔建国
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于P沟道结型场效应管的声频混频器，源信号U1、U2、U3分别通过电位器P1、P2、P3连接工作地，P1的滑动端连接T1的栅极G，P2的滑动端连接T2的栅极G，P3的滑动端连接T3的栅极G，结型场效应管T1、T2、T3的源极S分别通过电阻R2、R3、R4连接工作地，结型场效应管T1的漏极、T2的漏极、T3的漏极全部短接，T3的漏极D通过电阻R1连接18V电源，T3的漏极D同时依次通过电容C1、电位器P4的电阻体连接工作地，P4的滑动端连接T4的栅极G，T4的源极S通过电阻R5连接工作地，T4的漏极D连接18V电源，结型场效应管T4的源极S输出混频后的信号Uo。
一种基于沟道场效应声频混频器

[发明专利]一种精简的多级差分运放输出共模电压稳定电路-CN201910653542.1有效
发明人：肖马金 -专利权人：杭州恒芯微电子科技有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：增加了两个稳压电阻、三个稳压P型场效应管、两个稳压P型电流源、一个稳压N型电流源；两个稳压P型场效应管连接到两个第一级放大N型场效应管的源极，三个稳压P型场效应管的栅极和漏极均连接到稳压N型电流源的输入端，两个稳压P型场效应管的源极串接后经两个稳压电阻接到两个第二级放大N型场效应管的漏极，两个稳压P型场效应管的源极串接后接到稳压P型电流源的输出端，稳压P型场效应管的源极接到稳压P型电流源的输出端。
一种精简多级差分运放输出电压稳定电路

[发明专利]类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管及加工方法-CN202010192706.8在审
发明人：夏乾华 -专利权人：鑫金微半导体（深圳）有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供的类第三代半导体性能的N型硅基新型场效应管，包括至少一个硅基场效应管晶圆，所述每个硅基场效应管晶圆的源极和漏极之间并联一肖特基二极管晶圆，其中肖特基二极管晶圆的正极接硅基场效应管晶圆的源极，肖特基二极管晶圆的负极接硅基场效应管晶圆的漏极该N型硅基新型场效应管，效率更高，损耗更小，反向恢复时间更短。
第三代半导体性能型硅基新型场效应加工方法

[实用新型]一种超结MOSFET管电路-CN202021630807.0有效
发明人：周兆勇 -专利权人：维睿电子（深圳）有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开是关于一种超结MOSFET管电路，涉及电气变换装置的零部件技术领域。设置有绕组T1，所述绕组T1与高压电源HV串联，绕组T1与超结场效应管Q1串联接地。本实用新型线路超结场效应管简单、效率高、温升低省掉普通场效应管上的散热器，极大提高生产工艺降低成本，实现自动化作业，可适用于适配器、充电器上。
一种 mosfet 电路

[实用新型]一种复合型的场效应晶体管结构-CN200620159594.1无效
发明人：姚云龙;吴建兴;张邵华 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种复合型的场效应晶体管结构，它包括：横向双扩散N型金属氧化物场效应管(NLDMOS)和N型结型场效应管(NJFET)。其中，将N型外延(102)内的N+扩散层(112)形成所述NLDMOS和所述NJFET共同的漏区，并且将所述N型外延(102)的所述N+扩散层(112)形成连接电极作为所述NLDMOS和所述NJFET共同的漏极
一种复合型场效应晶体管结构