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[发明专利]碳纳米管膜承载结构及其使用方法-CN201010521687.5有效
发明人：冯辰;王昱权;刘亮;潜力 -专利权人：北京富纳特创新科技有限公司
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管膜承载结构，包括：一本体，所述本体具有一表面，所述本体的表面具有一碳纳米管膜承载区域，该碳纳米管膜承载区域具有多个凹陷结构，所述多个凹陷结构的总凹陷面积大于等于所述碳纳米管膜承载区域的面积的所述碳纳米管膜承载结构用于承载一碳纳米管膜状结构，且该碳纳米管膜状结构与该承载结构接触后可完整地从该承载结构脱离。本发明还涉及一种所述碳纳米管膜承载结构的使用方法。
纳米承载结构及其使用方法

[发明专利]基于结构色的图像显示装置、系统及该装置的制作方法-CN202010256967.1有效
发明人：史丽娜;李龙杰;牛洁斌;陈生琼;尚潇;谢常青;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于结构色的图像显示装置、系统及该装置的制作方法。其中，该图像显示装置包括：衬底，该衬底为硅和二氧化硅组成的双层衬底；硅圆柱纳米结构，形成于该衬底上，且该硅圆柱纳米结构通过对光的米氏共振作用产生结构色；金属掩膜铬，覆盖于该硅圆柱纳米结构上；其中，该硅圆柱纳米结构和形成于其上的金属掩膜铬共同构成一个硅‑铬圆柱纳米结构，多个该硅‑铬圆柱纳米结构呈阵列排布形成一个圆柱纳米结构阵列。本发明提供的该基于结构色的图像显示装置、系统及该装置的制作方法，采用周期纳米结构，对环境友好，与半导体工艺兼容，不褪色，改变纳米结构的尺寸和纳米结构阵列的间隙便可使结构色发生变化，容易观察。
基于结构图像显示装置系统装置制作方法

[发明专利]一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用-CN202110181355.5在审
发明人：张永军;朱琪;王雅新;朱奥男;赵晓宇 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用，涉及纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）六方密排聚苯乙烯微球阵列结构制备；（3）球状包覆阵列结构制备；（4）周期性纳米孔洞阵列结构制备；（5）银纳米周期阵列制备；（6）纳米阵列结构；本发明纳米阵列结构SERS活性强，灵敏度高，对于新型纳米光子学器件、自标定测量都有积极意义。
一种磁场调控纳米阵列结构制备方法及其应用

[发明专利]一种三维基因树生物芯片及其制备方法-CN201610425140.2有效
发明人：朱立新;许小亮;孙国平;王会杰;蒋童童;杨思羽 -专利权人：安徽医科大学第一附属医院
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C40B40/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维基因树生物芯片，包括芯片基底、氧化锌纳米籽晶层、氧化锌纳米树干阵列、氧化锌纳米树枝结构、氧化锌纳米树叶结构和等离激元增强型结构，所述氧化锌纳米籽晶层均匀地分布于所述芯片基底上，所述氧化锌纳米树干阵列均布在所述氧化锌纳米籽晶层上，所述氧化锌纳米树枝结构设置于所述氧化锌纳米树干阵列上，所述氧化锌纳米树叶结构设置于所述氧化锌纳米树枝结构上，所述等离激元增强型结构设置于所述氧化锌纳米树叶结构上。
氧化锌纳米生物芯片基因树树叶结构树枝结构三维籽晶层树干增强型结构等离激元基底制备新型生物芯片芯片标记聚集荧光信号敏感度均布

[发明专利]基于纳米结构的封装互连-CN200680044157.8有效
发明人： D·苏;N·R·拉拉维卡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-12-08 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：在管芯上形成纳米结构凸点。纳米结构凸点具有限定纳米尺寸的开口的模板以及从该纳米尺寸的开口延伸出来的纳米线。经由所述纳米结构凸点将所述管芯附着到基板。
基于纳米结构封装互连

[发明专利]一种邻层环栅纳米线/片CMOS结构-CN202011537249.8在审
发明人：陈超 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种层环栅纳米线/片CMOS结构，包括：衬底；衬底上设置有串行连接的nMOS和pMOS；nMOS包括第一纳米体结构和环绕第一纳米体结构的第一栅电极，pMOS包括第二纳米体结构和环绕第二纳米体结构的第二栅电极；第一纳米体结构和第二纳米体结构设置于相邻的两层且由相同导电类型的半导体材料形成；第一栅电极与第二栅电极由相同功函数的导电材料形成；衬底材料为体Si或SOI；第一纳米体结构的材料为Si，第二纳米体结构的材料为本发明nMOS和pMOS的纳米体由相同导电类型的半导体材料形成，栅电极由相同功函数的导电材料形成，因此可以同时制备，有利于提高CMOS结构及其集成电路的性能与可靠性。
一种邻层环栅纳米 cmos 结构

[发明专利]一种同层环栅纳米线/片CMOS结构-CN202011537232.2在审
发明人：陈超 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种同层环栅纳米线/片CMOS结构，包括：衬底；衬底上设置有串行连接的nMOS和pMOS；nMOS包括第一纳米体结构和环绕第一纳米体结构的第一栅电极，pMOS包括第二纳米体结构和环绕第二纳米体结构的第二栅电极；第一纳米体结构和第二纳米体结构设置于同一层；且由相同导电类型的半导体材料形成；第一栅电极与第二栅电极由相同功函数的导电材料形成；衬底材料为体Si或SOI；第一纳米体结构和第二纳米体结构的材料均为Si。本发明nMOS和pMOS的纳米体由相同导电类型的半导体材料形成，栅电极由相同功函数的导电材料形成，因此可以同时制备，有利于提高CMOS结构及其集成电路的性能与可靠性。
一种层环栅纳米 cmos 结构

[发明专利]一种同层环栅纳米线/片CMOS结构-CN202111462773.8在审
发明人：陈超 -专利权人：常熟西军电技术转移有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种同层环栅纳米线/片CMOS结构，包括：衬底；衬底上设置有串行连接的nMOS和pMOS；nMOS包括第一纳米体结构和环绕第一纳米体结构的第一栅电极，pMOS包括第二纳米体结构和环绕第二纳米体结构的第二栅电极；第一纳米体结构和第二纳米体结构设置于同一层；且由相同导电类型的半导体材料形成；第一栅电极与第二栅电极由相同功函数的导电材料形成；衬底材料为体Si或SOI；第一纳米体结构和第二纳米体结构的材料均为Si。本发明nMOS和pMOS的纳米体由相同导电类型的半导体材料形成，栅电极由相同功函数的导电材料形成，因此可以同时制备，有利于提高CMOS结构及其集成电路的性能与可靠性。
一种层环栅纳米 cmos 结构

[发明专利]半导体器件和方法-CN202210114070.4在审
发明人：王俊杰;白岳青 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：实施例包括一种器件，具有：第一组纳米结构，位于衬底上，该第一组纳米结构包括第一沟道区域；第二组纳米结构，位于衬底上，该第二组纳米结构包括第二沟道区域；栅极介电层，围绕第一组和第二组纳米结构中的每个；第一功函数调整层，位于第一组纳米结构的栅极介电层上，该第一功函数调整层围绕第一组纳米结构中的每个；胶层，位于第一功函数调整层上，该胶层围绕第一组纳米结构中的每个；第二功函数调整层，位于第一组纳米结构的胶层上和第二组纳米结构的栅极介电层上
半导体器件方法

[发明专利]一种邻层环栅纳米线/片CMOS结构-CN202111462244.8在审
发明人：陈超 -专利权人：常熟西军电技术转移有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种层环栅纳米线/片CMOS结构，包括：衬底；衬底上设置有串行连接的nMOS和pMOS；nMOS包括第一纳米体结构和环绕第一纳米体结构的第一栅电极，pMOS包括第二纳米体结构和环绕第二纳米体结构的第二栅电极；第一纳米体结构和第二纳米体结构设置于相邻的两层且由相同导电类型的半导体材料形成；第一栅电极与第二栅电极由相同功函数的导电材料形成；衬底材料为体Si或SOI；第一纳米体结构的材料为Si，第二纳米体结构的材料为本发明nMOS和pMOS的纳米体由相同导电类型的半导体材料形成，栅电极由相同功函数的导电材料形成，因此可以同时制备，有利于提高CMOS结构及其集成电路的性能与可靠性。
一种邻层环栅纳米 cmos 结构

[发明专利]使用复制的图案化外形和自组装单层的微加工-CN200680029400.9有效
发明人：庆·P·阮;马修·H·弗雷;张海燕;张俊颖 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2006-07-31 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：公开了一种选择性地和化学地将金属沉积在具有金属图案化的纳米结构表面上的方法。所述方法包括提供具有图案化的纳米结构表面的工具，所述图案化的纳米结构表面具有的表面区域具有纳米结构化表面，将所述工具图案化的纳米结构表面复制到基底上以形成基底图案化的纳米结构表面，在所述基底图案化的纳米结构表面上设置金属层形成金属图案化的纳米结构表面区域，在所述金属图案化的纳米结构表面区域上形成自组装单层，将所述自组装单层暴露于包含沉积金属的化学镀溶液中，然后将所述沉积金属选择性地化学沉积在具有金属纳米结构化表面的表面区域上。
使用复制图案化外组装单层加工

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201710811002.2有效
发明人：李荣原;陆俊岑;陈冠宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：所述半导体元件包括基底、半导体纳米线、栅极结构、第一金属纳米线以及第二金属纳米线。半导体纳米线垂直配置于基底上。栅极结构环绕半导体纳米线的中间部分。第一金属纳米线位于半导体纳米线的一侧，且与半导体纳米线的下部部分电连接。第二金属纳米线位于半导体纳米线的另一侧，且与栅极结构电连接。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]具有纳米结构针尖的电子发射体以及使用该电子发射体的电子柱-CN200880024514.3无效
发明人：金浩燮 -专利权人：电子线技术院株式会社
申请日： 2008-07-28 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有纳米结构针尖的电子发射体，以及使用该电子发射体的电子柱。具体而言，涉及一种电子发射体，其包括可容易地发射出电子的纳米结构针尖，该纳米结构针尖由纳米碳管(CNT)、氧化锌纳米管(ZnO纳米管)、氧化锌纳米棒、氧化锌纳米柱、氧化锌纳米线、氧化锌纳米粒子等等所组成
具有纳米结构针尖电子发射以及使用

[发明专利]用于结构性着色的纳米结构-CN201480050871.2在审
发明人：杰普·克劳森;尼尔斯·阿斯格·莫滕森;安德斯·克里斯滕森;埃米尔·荷耶伦特·尼尔森;克劳斯·杰普森;亚历山大·布罗恩·克里斯琴森 -专利权人：丹麦技术大学
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及具有结构性着色的表面的纳米结构化的产品。纳米结构化的产品包括具有纳米结构化的表面的基板，其中纳米结构化的表面具有延伸入基本或从基板延伸出的、以周期性图案布置的纳米尺寸化的柱或孔。纳米尺寸化的孔的底部或纳米尺寸化的柱的顶部提供有电孤立且远离纳米结构化的表面的基础表面的金属层。透明或半透明保护层覆盖基板和金属层。
用于结构性着色纳米结构

[发明专利]一种制备具有并排孪晶界结构的金属纳米颗粒的方法-CN202310607350.3在审
发明人：张兆程 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B22F9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备具有并排孪晶界结构的金属纳米颗粒的方法。对金属纳米颗粒进行加热保温，同时使用高能的电子束辐照，金属纳米颗粒的内部孪晶界周围的原子发生移动，从而制备出了具有特殊晶界结构的金属纳米颗粒。所述金属纳米颗粒包括金纳米颗粒、银纳米颗粒、铜纳米颗粒、铂纳米颗粒以及铝纳米颗粒。本发明介绍了一种制备具有并排孪晶界结构的金属纳米颗粒，以期来增加金属纳米颗粒中对位错的限制作用。
一种制备具有并排孪晶界结构金属纳米颗粒方法