“纯石英”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果194041个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]无定型二氧化硅制备超纯石英砂的方法-CN201810820847.2在审
发明人：应盛荣;姜战;应悦 -专利权人：衢州市鼎盛化工科技有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明提出了一种无定型二氧化硅制备超纯石英砂的方法，包括：在反应釜中加入无定型二氧化硅、矿化剂和超纯水；加热使无定型二氧化硅溶解；将石英晶核加入所述反应釜中，之后逐步降低反应釜中的温度和压力，石英晶核长大为石英晶体；当石英晶体粒度大于48μm以上时，降低反应釜的压力和温度，卸出物料；固液分离所述物料；烘干固体物，即为超纯石英砂。本发明制得的产品质量高；高纯石英砂可达6N级。
无定型二氧化硅反应釜超纯石英砂石英晶体晶核石英制备高纯石英砂固液分离逐步降低超纯水固体物矿化剂烘干卸出加热溶解

[发明专利]用于制造椭圆芯保偏光纤的光纤预制棒及椭圆芯保偏光纤的制造工艺-CN201910443477.X在审
发明人：黄勇 -专利权人：上海康阔光智能技术有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C03B37/012 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制造椭圆芯保偏光纤的光纤预制棒，包含一根石英套管、n根芯棒和N根纯石英棒，所有芯棒的中心线在同一平面内，芯棒两侧对称分布相同数量的纯石英棒，石英套管的内直径d₀、芯棒的外直径d₁及纯石英棒的外直径d₂之间的关系式为纯石英棒的数量N与芯棒的数量n、芯棒一侧的纯石英棒的分布列数C之间的关系式为n＝2C+1，纯石英棒与石英套管熔合形成椭圆芯光纤包层，拉丝制成双折射椭圆芯保偏光纤。
芯棒纯石英椭圆芯保偏光纤光纤预制棒高温熔融石英套管制造工艺双折射纤芯椭圆芯光纤对称分布热扩散预制棒包层拉丝列数熔合熔融制造

[发明专利]纤芯掺杂光纤-CN201010504545.8无效
发明人：孙义兴;张腊生;谭会良;许建国;廖郑洪;李炳惠;张华;李涛;陈曲;谢河彬 -专利权人：成都亨通光通信有限公司
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明提供一种纤芯掺杂光纤，纤芯的材料是由纯石英材料掺杂少量增大折射率的GeO2、P2O5和半导体InP纳米材料组成，包层材料为纯石英材料，而保护层的材料是由纯石英反应管构成。
掺杂光纤

[发明专利]坩埚及其制备方法和用于制备硅晶体的装置-CN202010969509.2有效
发明人：冷金标;邱建峰;方致远 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：该坩埚包括：坩埚本体和设于所述坩埚本体内壁的第一高纯层；其中，所述第一高纯层包括第一石英砂，所述第一石英砂的粒径为2μm～5μm，所述第一石英砂包括第一结晶型石英砂和第一非结晶型石英砂，其中所述第一结晶型石英砂的质量含量为本申请能够减少第一高纯层与坩埚本体的膨胀差异，保持第一高纯层的完整性、致密性，从而可以达到降低硅片中氧含量的效果。
坩埚及其制备方法用于晶体装置

[发明专利]一种高纯石英原料的生产系统及生产工艺-CN202010926862.2有效
发明人：沈建兴;庞庆乐;毕秋琳;赵祥;刘世权 -专利权人：齐鲁工业大学;临沂昊泉硅业科技有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明属于高纯石英原料的生产技术领域，尤其涉及一种高纯石英原料的生产系统及生产工艺。本发明所述的高纯石英原料的生产系统包括原料输送装置、熔化装置、熔体冷却及输运装置、酸洗装置、离心机、真空干燥炉及真空包装机，利用该生产系统可将3‑4N纯度的石英矿物粉料经熔化并纯化来制备5‑6N高纯石英原料本发明所设计系统及工艺有助于充分破坏石英矿物原料的结构，将杂质暴露出来，以利于酸洗除杂。
一种高纯石英原料生产系统生产工艺

[实用新型]超高纯锗单晶炉坩埚杆-CN201120366140.2有效
发明人：白尔隽;孙慧斌;赵海歌 -专利权人：深圳大学
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及探测器级的超高纯锗单晶拉制设备，具体是指一种超高纯锗单晶炉坩埚杆，其包括石英坩埚、石英坩埚托以及底部的坩埚杆，所述坩埚杆为高纯石英件，其顶部设坩埚杆顶螺纹，石英坩埚托底部对应设有坩埚托螺纹将石英坩埚托与坩埚杆连接本实用新型可直接应用于高纯锗单晶炉内，用石英坩埚杆来替代部分金属钼杆，并采用螺纹拧结的方式连接各部件，避免采用金属连接件，尽可能减少或杜绝金属件进入单晶炉膛内，防止金属件受炉膛内高温区及电源的中高频的影响而散发杂质影响单晶纯度
高纯锗单晶炉坩埚

[发明专利]制备13N超高纯锗单晶的方法及设备-CN201811357744.3在审
发明人：普世坤;李学洋;董汝昆;惠峰;柳廷龙;张朋;钟文;赵燕;包文瑧;滕文 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：一种制备13N超高纯锗单晶的方法及设备，涉及高纯半导体材料制备技术领域，尤其是一种探测器用13N超高纯度的锗单晶的制备方法和设备。本发明的制备13N超高纯锗单晶的设备，其特征在于该设备包括石英舟、石英管、区熔线圈和区熔小车，石英舟放置在石英管内，区熔线圈设至在支架上，石英管固定在支架上且位于区熔线圈之间，进气管与排气管分别设置在石英管两端，区熔小车设置在石英管下方。本发明的制备13N超高纯锗单晶的方法及设备，结构简单，设计科学，使用方便，制备出的锗锭，纯度高，能够得到13N纯度的锗单晶，满足高精探测器使用。
锗单晶制备石英管超高纯石英舟探测器支架小车材料制备技术方法和设备高纯半导体超高纯度进气管排气管锗锭

[发明专利]一种伟晶岩制备4N5级高纯石英的方法-CN202111131277.4在审
发明人：张海啟;刘磊;刘广学;伊跃军;马亚梦;彭团儿;朱黎宽;赵海波 -专利权人：中国地质科学院郑州矿产综合利用研究所
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B03B9/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种伟晶岩制备4N5级高纯石英的方法，包括以下步骤：伟晶岩经破碎、磨矿分级、重力选矿，得到重选重矿物、重选中矿物和重选轻矿物，重选轻矿物为云母粉，重选中矿物进入磁力选矿，得到磁性矿物和非磁性矿物，磁性矿物和重选重矿物为尾矿，在破碎作业中收集+2mm的大片云母，作为大片云母精矿；非磁性矿物经浮选作业，得到云母粉、长石粉和石英粗精矿，石英粗精矿经煅烧水淬、超声酸浸、加热浸出，得到4N5级高纯石英。本发明制备的4N5级高纯石英SiO2含量至少可达到99.995wt％以上，而且Ti的含量低于5μg/g，Al≤20μg/g，满足石英玻璃行业对高纯石英砂的需求。
一种伟晶岩制备 n5 高纯石英方法

[发明专利]一种高纯石英砂制备方法-CN201310343561.7无效
发明人：嵇奎军;丁铸;许伯林 -专利权人：新沂市中大石英科技有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯石英砂的制备方法，具体涉及一种应用于单晶硅电弧石英坩埚制备用的高纯石英砂提纯技术。本方法采用石英石为基本原料，通过粗洗、破碎、焙烧、水淬、粉碎分级、电场诱导扩散、热压酸洗、热压碱洗、电场干预浮选、氯化处理、烤砂、磁选等步骤，获得杂质总量控制在16ppm以内、纯度大于99.99%的高纯石英砂其中采用电场诱导扩散技术引导石英石中杂质离子扩散至石英砂粒表面，进而采用热压酸洗与热压碱洗工艺大幅提高了石英砂中杂质浸出效率，采用电场干预浮选技术提高了杂质颗粒的浮选清除效率。
一种高纯石英砂制备方法

[发明专利]一种超高纯涂层石英坩埚的制作方法-CN201610041183.0有效
发明人：周勇;李卫;川上泉;寺西久広;占克文 -专利权人：杭州大和江东新材料科技有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高纯涂层石英坩埚的制作方法，以超高纯石英砂作为原料，通过球磨、混料搅拌制成料浆，采用流延、喷涂或刷涂工艺在石英坩埚上制成一种超高纯涂层，降低了坩埚渗透至多晶硅锭的杂质量，提升了硅锭质量
一种高纯涂层石英坩埚制作方法

[发明专利]一种超高纯碲的除杂装置及方法-CN202011268006.9在审
发明人：黄杰杰;朱刘;何志达;李清宇 -专利权人：清远先导材料有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种超高纯碲的除杂装置，包括石英管，围绕设置在所述石英管外部的加热装置，以及设置在所述石英管内部的石英舟和石墨舟；所述石墨舟通过支架架设在所述石英舟的上方，所述石英舟内沿长度方向设置有底部带孔的挡板，所述挡板将所述石英舟分为区域A和区域B，所述区域A的长度小于区域B的长度；所述石墨舟的底部开设有孔。使用本发明中的方法对超高纯碲进行除杂，超高纯碲内的碳粉杂质碳粉及氧化物被档在石英舟A侧。该方法将石英舟镀碳后，碲不会与石英舟粘连，同时，石英舟内的杂质也不会进入到碲产品中，生产出来的产品表面光亮，无氧化物，呈碲金属本身，C、O含量均小于100ppb。
一种高纯装置方法

[发明专利]一种高密度、无复相高纯石英陶瓷的原位制备方法-CN201811165343.8有效
发明人：侯清麟;王迎霞;田靓 -专利权人：湖南工业大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C04B35/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应可控，无复相、高密度的高纯石英陶瓷的原位制备方法。本发明以90wt%‑99.9wt%的高纯熔融石英粉为原料，通过预失效、预混液的配制、石英料浆配制、抽真空、微波加热成型、生坯烘干、脱脂、烧结等工艺步骤制备得到高纯石英陶瓷。本发明采用预失效和微波加热成型法结合，使得成型过程反应可控，并且采用引发剂的水溶液作为熔融石英粉的分散剂，减少杂质元素的引入，简化成型过程，同时采用单一熔融石英粉末体系，来达到提高熔融石英陶瓷的密度以及其机械强度
一种高密度无复相高纯石英陶瓷原位制备方法

[发明专利]一种高效涂层石英坩埚的制作方法-CN201610040228.2在审
发明人：周勇;李卫;川上泉;寺西久広;占克文 -专利权人：杭州晶鑫科技有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效涂层石英坩埚的制作方法，以超高纯石英砂作为原料，通过球磨、混料搅拌制成料浆，采用喷涂或刷涂工艺覆盖在方形石英坩埚的内底面，再均匀的铺洒超高纯石英砂或超高纯多晶硅颗粒，制成一种高效涂层
一种高效涂层石英坩埚制作方法

[发明专利]一种制备半导体单晶硅生长用石英坩埚内层原料石英砂的方法-CN202211706336.0在审
发明人：田辉明;田正芳;李芊芊;郑申棵;赵冰珊;孙先凤;雷绍民 -专利权人：黄冈师范学院;田辉明
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备半导体单晶硅生长用石英坩埚内层原料石英砂的方法，采用氟硅酸与氨气或氨水反应制备高纯SiO2，其中，所述氟硅酸纯度为5N及以上。本发明采用石英原料成功制备半导体单晶硅生长用石英坩埚内衬合成原料石英砂，同时还联产出高纯氟化铵和高纯氟化钙产品。不仅做到了生产与节能环保并举，还大大地降低了企业的生产成本，提高了企业的整体效益。
一种制备半导体单晶硅生长石英坩埚内层原料石英砂方法

[发明专利]一种大口径太阳能光伏电池用石英玻璃扩散管及其制备方法-CN201911327295.2在审
发明人：徐传龙;冯维娥;徐源;徐煜清;于春雷;王世凯;赵国银 -专利权人：江苏弘扬石英制品有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C03C3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种大口径太阳能光伏电池用石英玻璃扩散管，以超高纯石英砂为基本重量份原料，配以占超高纯石英砂0.98%‑1.20%重量份的稀土微量元素添加剂；超高纯石英砂采用二氧化硅（SiO2）含量大于99.9999%，杂质含量低于2ppm、40目‑150目的超高纯石英砂。制备方法包括预处理、煅烧处理和成型处理三个步骤制得直径为600mm‑1000mm的石英玻璃扩散管。本发明采用整体掺杂制备工艺拉制成450mm‑550mm掺杂石英管，然后通过玻璃成型车床，再成为直径为600mm‑1000mm太阳能光伏电池扩散石英玻璃管，耐高温，使用生命长，光学均匀性优良，透光率强，透过率
一种口径太阳能电池石英玻璃扩散及其制备方法