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[发明专利]VB法制备超高纯多晶锗的方法-CN202210829095.2有效
发明人： 包文瑧;柳廷龙;普世坤;刘吉才;何永彬;刘晋 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：VB法制备超高纯多晶锗的方法，属于超高纯锗多晶制备领域。本发明的方法，包括以下步骤：采用VB法定向凝固结晶，将6‑8N纯度的锗多晶原料放入特殊处理的高纯石英坩埚内，再将其装入高纯石英管内通入高纯氢气，对6‑8N纯度的多晶锗在超高纯氢气气氛中进行高频感应加热，使其全部熔化为液体，保持高频感应加热持续不变，缓慢下降载有锗液体的高纯石英坩埚，使液体自下而上的缓慢凝固，使其中的微量杂质在固液转换的界面中，由于分凝系数不同，不断富集至晶体下部，从而把6‑8N纯度的多晶锗提纯至＞12N纯度的超高纯多晶锗。
vb 法制高纯多晶方法

[发明专利]VGF晶体生长用超大直径石英管的真空封焊方法-CN202211444186.0在审
发明人： 包文瑧;何永彬;唐康中;陈学富;刘晋;王顺金;韩家贤 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C03B23/207 文献下载
摘要：VGF晶体生长用超大直径石英管的真空封焊方法，属于VGF晶体生长技术领域，具体涉及一种用于VGF法真空生长超大直径晶体的石英管封焊的方法。本发明方法中使用的是热应力检测合格的石英管和石英管封帽，在将石英管和石英管封帽清洗干净，坩埚装入石英管内后进行封焊，封焊过程具体包括预热、封焊、退火步骤。本发明的方法，保障长周期高温的晶体生长过程中保证石英管不会出现裂管现象，最大程度的保障石英管真空封焊的一次成功率。
vgf 晶体生长超大直径石英管真空方法

[发明专利]一种VGF法生长磷化铟单晶的方法-CN202110802948.9有效
发明人： 包文瑧;柳廷龙;赵兴凯;普世坤;何永彬;叶晓达;祝永成;权忠朝 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明属于磷化铟单晶制备领域，具体公开一种VGF法生长磷化铟单晶的方法，包括以下步骤：采用VGF法，将原料放入坩埚内并组装单晶生长炉，进行高温退火处理；升温熔料，在加热控制程序中设置加热目标值进行加热和加压；熔种生长，设置生长温度，待籽晶熔融长度达到10‑15mm，进行转肩生长时，坩埚位置开始下降，下降速度不大于2.5mm/h，生长结束后自动停止埚位下降；降温退火，生长结束后自动进入降温退火，温度降至350℃后排空炉内气压，待炉内温度降至约150℃后打开炉门，获取单晶，本发明增加了拉速方法，使得磷化铟单晶在生长过程中的热场更均匀，垂直定向结晶更平稳，生长出的磷化铟单晶更多，晶体合格率更高。
一种 vgf 生长磷化铟单晶方法

[实用新型]一种用于VGF磷化铟单晶生长炉内的炉芯-CN202121613081.4有效
发明人：赵兴凯;韦华;叶晓达;包文瑧;韩家贤;王顺金;陈娅君;祝永成;柳廷龙;黄平;刘汉保 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于VGF磷化铟单晶生长炉内的炉芯，所述炉芯从内到外依次包括炉芯杆、高铝水泥层和湿毡层，所述炉芯杆包括圆柱形主杆和两条半圆形侧管，侧管对称设置于主杆两侧，并和主杆一体成型，炉芯杆为石英材质，所述侧管内置测温热电偶，且测温热电偶与炉芯杆活动连接，本实用新型的VGF法磷化铟单晶生长炉芯，设计科学，结构简单，使用方便，炉芯内测温热电偶位置可精确调整，使不同炉芯的测温点固定一致，增加了炉芯内测温的真实准确性，特别地，在测温热电偶失效后，可以自由拆卸测温热电偶进行维修或更换，提高了炉芯使用寿命，节约生产成本。
一种用于 vgf 磷化铟单晶生长

[发明专利]含锗砷化镓废料的处理回收方法-CN201910201352.6有效
发明人：普世坤;黄平;柳廷龙;包文瑧;吴王昌;林作亮;李正美;罗新华;杨志美 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南东昌金属加工有限公司
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：含锗砷化镓废料的处理回收方法，涉及冶金技术领域，尤其是一种从高分子过滤器吸收的含锗砷化镓废料中综合回收提取砷、锗、镓的工艺。本发明的工艺包括富氧氧化分离有机质、二次挥发回收三氧化二砷、盐酸蒸馏分离回收锗、碱中和沉淀回收镓等步骤。本发明的方法，不仅可以解决含锗砷化镓废料粘附的有机过滤芯长期堆放造成的环境负担问题，还能将有机滤芯中的稀有金属锗和镓进行综合回收利用，还能将有毒的含砷物质收集存放，避免了对环境的污染。
含锗砷化镓废料处理回收方法

[实用新型]单晶料管装料及提取装置-CN201920444888.6有效
发明人：黄平;刘汉保;柳廷龙;张朋;张俊岭;包文瑧;高磊;囤国超 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：单晶料管装料及提取装置，涉及一种单晶料管生长技术领域,尤其涉及一种用于磷化铟单晶生长中使用的装料及提取装置。该装置包括手柄、螺母、加固杆、套筒固定杆、套筒、固定圆盘、垫圈、螺杆；其中，螺杆中间套入套筒，套筒向上依次套入套筒固定杆、加固杆以及螺母；套筒向下依次套入固定圆盘和垫圈，以及螺母。该装置构造简单，加工制造方便，材料要求低，制造成本低廉。
套筒螺母套入装料固定圆盘提取装置固定杆加固杆单晶垫圈料管磷化铟单晶手柄材料要求螺杆中间制造成本装置构造生长螺杆加工制造

[发明专利]超高纯度锗多晶的制备方法-CN201811357738.8在审
发明人：李学洋;柳廷龙;米家蓉;包文瑧;普世坤;张朋;滕文 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：超高纯度锗多晶的制备方法，提供一种通过多次区熔，有效提高锗多晶纯度的锗多晶超高纯度的制备方法。本发明的制备方法应用于锗多晶制备装置，该制备装置包括石英舟、石英管、区熔线圈、支架、进气管、排气管以及区熔小车，石英舟放置在石英管内，区熔线圈设置在支架上，石英管固定在支架上且位于区熔线圈之间，进气管与排气管分别设置在石英管两端，区熔小车设置在石英管下方，石英舟内表面上涂有硅烟涂层，区熔线圈采用直径为12mm的紫铜管绕制成内三圈、外两圈的线圈，区熔线圈宽度为3cm。本发明通过新型的锗多晶制备装置进行区熔提纯，经过反复区熔提纯后，得到的高纯锗多晶纯度比较稳定，有效提高了锗多晶纯度。
多晶石英管制备超高纯度制备装置石英舟支架进气管排气管提纯小车线圈设置高纯锗内表面紫铜管硅烟

[发明专利]制备13N超高纯锗单晶的方法及设备-CN201811357744.3在审
发明人：普世坤;李学洋;董汝昆;惠峰;柳廷龙;张朋;钟文;赵燕;包文瑧;滕文 -专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：一种制备13N超高纯锗单晶的方法及设备，涉及高纯半导体材料制备技术领域，尤其是一种探测器用13N超高纯度的锗单晶的制备方法和设备。本发明的制备13N超高纯锗单晶的设备，其特征在于该设备包括石英舟、石英管、区熔线圈和区熔小车，石英舟放置在石英管内，区熔线圈设至在支架上，石英管固定在支架上且位于区熔线圈之间，进气管与排气管分别设置在石英管两端，区熔小车设置在石英管下方。本发明的制备13N超高纯锗单晶的方法及设备，结构简单，设计科学，使用方便，制备出的锗锭，纯度高，能够得到13N纯度的锗单晶，满足高精探测器使用。
锗单晶制备石英管超高纯石英舟探测器支架小车材料制备技术方法和设备高纯半导体超高纯度进气管排气管锗锭

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