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- [发明专利]制备六硝基六氮杂异纤锌矿型结构烷烃的方法-CN97197007.6无效
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川边秀史;美矢裕史;儿玉保;三宅信寿
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旭化成株式会社
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1997-08-06
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2003-01-01
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C07D487/22
- 公开了由以下通式(I)表示的含有硝基的六氮杂异纤锌矿型结构烷烃衍生物WAn(NO2)(6-n)(I)其中n是整数4或5,A是具有1-10个碳原子的酰基且各酰基彼此相同,NO2是硝基和W是由下式(II)表示的六价六氮杂异纤锌矿型结构烷烃残基由以下通式(II)表示的含有亚硝基的六氮杂异纤锌矿型结构烷烃衍生物WAn(NO)(6-n)(III)其中n是整数4或5,A是具有1-10个碳原子的酰基且各酰基彼此相同,NO是亚硝基和W是由上式(II)表示的六价六氮杂异纤锌矿型结构烷烃残基,和由以下通式(IV)表示的含亚硝基的六氮杂异纤锌矿型结构烷烃衍生物WAmH(6-m)(IV)其中m是整数4-6,A是具有1-10个碳原子的酰基且各酰基彼此相同,H是氢原子和W是上式(II)的六价六氮杂异纤锌矿型结构烷烃残基;和通过用硝化剂将所述衍生物中的一种硝化来制备由下式(VI)表示的六硝基六氮杂异纤锌矿型结构烷烃的方法W(NO2)6(VI)其中NO2是硝基和W是上式(II)的六价六氮杂异纤锌矿型结构烷烃残基。
- 制备硝基六氮杂异纤锌矿结构烷烃方法
- [发明专利]形成III族氮化物合金-CN201880078302.7有效
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李晓航;刘开锴
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阿卜杜拉国王科技大学
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2018-12-04
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2023-08-18
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H01L21/02
- 用于形成半导体器件的方法包括选择衬底、和纤锌矿III族氮化物合金层的压电极化和有效压电系数,在所述衬底上将形成纤锌矿III族氮化物合金层。确定是否存在满足所选有效压电系数的纤锌矿III族氮化物合金成分。还基于所选衬底和所选有效压电系数,确定是否存在满足所选压电极化的由纤锌矿III族氮化物合金成分形成的层的厚度。对于确定存在晶格常数满足所选有效压电系数的纤锌矿III族氮化物合金成分,并且该纤锌矿III族氮化物合金成分形成的层的厚度满足所选压电极化的情况,在衬底上形成纤锌矿III族氮化物合金层,所述纤锌矿III族氮化物合金层具有满足所选有效压电系数的纤锌矿
- 形成iii氮化物合金
- [发明专利]用于形成分级纤锌矿III族氮化物合金层的方法-CN201880078771.9有效
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李晓航;刘开锴
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阿卜杜拉国王科技大学
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2018-12-04
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2023-08-22
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H01L33/02
- 一种用于在第二层上形成包括包含纤锌矿III族氮化物合金的分级纤锌矿III族氮化物合金层的半导体器件的方法。基于半导体器件的预期功能选择针对分级纤锌矿III族氮化物合金层的极化掺杂浓度分布。基于所选择的针对分级纤锌矿III族氮化物合金层的极化掺杂浓度分布,确定分级纤锌矿III族氮化物合金层的组分‑极化变化率和分级纤锌矿III族氮化物合金层的分级速度。组分‑极化变化率和分级速度均基于纤锌矿III族氮化物合金的第一元素和第二元素的组分。使用所确定的组分‑极化变化率和分级速度,基于分级纤锌矿III族氮化物合金层中距离第二层的当前位置来调整纤锌矿III族氮化物合金的第一III族氮化物元素和第二III族氮化物元素的组分,以在第二层上形成具有所选择的极化掺杂浓度分布的分级纤锌矿
- 用于形成分级锌矿iii氮化物合金方法
- [发明专利]电子器件基片结构和电子器件-CN03155667.1有效
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野口隆男;斋藤久俊;阿部秀典;山下喜就
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TDK株式会社
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2003-09-01
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2004-04-07
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H01L21/00
- 一种电子器件基片结构,包括:基片2,被形成于基片2上作为面心立方结构的(111)定向膜或作为六方最密结构的(0001)定向膜的金属薄膜4,以及具有被形成于金属薄膜4上作为纤锌矿晶体结构的(0001)定向的纤锌矿型薄膜5,其中:两种薄膜的每个都是多晶膜,其包含在所述平面中的晶体定向的方向不同的至少两种晶粒;当金属薄膜4是(111)定向膜时,纤锌矿型薄膜5的平面中的<11-20>轴平行于金属薄膜4的平面中的<1-10>轴;并且当金属薄膜4是(0001)定向膜时,纤锌矿型薄膜5的平面中的<11-20>轴平行于金属薄膜4的平面中的<11-20>轴。
- 电子器件结构
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