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[实用新型]一种晶圆级真空封装的MEMS晶振-CN201620963596.X有效
发明人：缪建民;宁文果 -专利权人：上海微联传感科技有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：其中，包括：提供一具有谐振器的晶振本体和单晶硅晶圆；于单晶硅晶圆上蚀刻第一类空腔和第二类空腔以形成盖板；键合晶振本体和盖板，以使晶振本体与盖板形成一密封谐振空腔；减薄盖板，以使与第二类空腔匹配的晶振本体表面显露本实用新型通过将设置有第一类空腔、第二类空腔的盖板键合至晶振本体表面，以使晶振本体与盖板形成一真空密封谐振空腔。解决了通过生长单晶硅外延形成封装外壳以实现密封而导致成品率低的技术问题，达到了提高生产的成品率、同时减少工艺难度。
一种晶圆级真空封装 mems 晶振

[实用新型]类单晶生长炉-CN202021648587.4有效
发明人：王全志 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种类单晶生长炉，包括坩埚、盖板和挡气板。根据本实用新型的类单晶生长炉，通过在坩埚内设置具有导向部的挡气板，由此可以将坩埚内的气流导引至腔室的上部空间，从而可以避免杂质停留在籽晶的表面，从而可以改善籽晶的质量。
类单晶生长

[发明专利]一种类单晶籽晶的铺设方法-CN201811376708.1在审
发明人：黄晶晶;张涛;肖贵云;丁云飞;梅坤;姜志兴;叶鹏;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种类单晶籽晶的铺设方法，包括在坩埚底部紧密铺设厚度与籽晶熔化结束跳步高度相同的第一层单晶籽晶；在所述第一层单晶籽晶上面错位式紧密铺设第二层单晶籽晶，其中，所述第二层单晶籽晶的拼接缝与所述第一层单晶籽晶的拼接缝相互错开，因此即使因运输或高温导致第二层单晶籽晶之间产生拼接缝，高温熔化的液体穿透第二层单晶籽晶之间的拼接缝之后也不会进入第一层单晶籽晶之间的拼接缝，也就是说，这种铺设方法能够避免硅熔体沿着拼接缝向下流而冷却凝固产生多晶，从而提高高效单晶硅片的比例，并降低生产成本。
单晶籽晶拼接缝第一层铺设熔化单晶硅片高温熔化冷却凝固液体穿透错位式硅熔体错开多晶跳步籽晶坩埚申请运输

[发明专利]单晶类钙钛矿型氧化物La₂CuO₄纳微米棒的制备方法-CN200710178924.0无效
发明人：戴洪兴;张悦;何洪;訾学红 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2007-12-07 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C01G3/00 文献下载
摘要：单晶类钙钛矿型氧化物La₂CuO₄纳微米棒的制备方法属于纳米催化剂制备领域。在水热的条件下，通过选择硝酸镧或镧的氧化物为镧源、控制氢氧化钾为碱源的用量、水热温度在180℃－260℃及时间24h－48h、灼烧温度850℃及时间2h－6h，可得到纳微米棒状类钙钛矿型氧化物La类钙钛矿型氧化物La₂CuO₄具有纳微米尺寸的棒状形貌和良好的单晶结构。该具有独特形貌和单晶结构的类钙钛矿型氧化物La₂CuO₄在超导材料、化学传感器、汽车尾气催化净化、氮氧化物催化消除、有机物催化氧化等领域具有良好的应用前景。
单晶类钙钛矿型氧化物 la sub cuo 微米制备方法

[发明专利]一种利用单晶硅籽晶诱导生长铸造单晶硅的方法及产品-CN201310754926.5无效
发明人：余学功;原帅;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用单晶硅籽晶诱导生长铸造单晶硅的方法及产品，具体是先在坩埚内壁涂上一层高纯的氮化硅或氧化硅层，然后在坩埚底部中心放置一小块无位错单晶硅籽晶，再打开对应于单晶硅籽晶的坩埚底部冷却水或冷却气体对中心的单晶硅籽晶进行冷却，通过热场控制温度梯度为5～30℃/cm，形成以单晶硅籽晶为中心的球冠型固液界面，最后逐步打开保温罩，再经降温冷却后形成全单晶化的铸造单晶硅。所述的制备方法减少了单晶硅籽晶的用量，大幅降低了单晶硅籽晶的制备和材料成本，同时通过改进热场控制有效减少边缘多晶硅区域、提高类单晶的比例；制备得到的铸造单晶硅的位错密度可以有效控制在10⁶
一种利用单晶硅籽晶诱导生长铸造方法产品

[发明专利]一种类单晶三元正极材料及其制备方法和应用-CN202010523830.8在审
发明人：赵文誉;阮丁山;林波;刘伟健;李长东;陈喜;柳娜;杜锐 -专利权人：广东邦普循环科技有限公司;湖南邦普循环科技有限公司;湖南邦普汽车循环有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种类单晶三元正极材料及其制备方法和应用，所述类单晶三元正极材料的化学式为LiNixCoyMn单晶大颗粒产气低、高安全、长循环和多晶团聚体高容量的性能优势，适用于锂离子动力电池。
种类三元正极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种单晶共混氧化物的前驱体及其制备方法、由该前驱体制得的正极材料-CN202011194512.8在审
发明人：邱天;王娟;高炯信;王涛 -专利权人：华友新能源科技(衢州)有限公司;浙江华友钴业股份有限公司
申请日： 2020-10-31 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明涉及的一种单晶共混氧化物的前驱体为球形或类球形颗粒，由单晶正极材料和氧化物层组成，此结构含有强度较高的单晶正极材料，避免了二次颗粒易破碎的问题。本发明涉及的一种单晶共混氧化物的前驱体制备方法，使喷雾产生的雾化液滴内部含有单晶正极材料，避免了颗粒出现空心化的问题。本发明涉及的一种单晶共混氧化物的正极材料，由单晶共混氧化物的前驱体与锂源烧结而成，继承了单晶共混氧化物的前驱体不易破碎的特性，在作为锂电池正极材料使用时，提升了材料的循环性能和振实密度。
一种单晶共混氧化物前驱及其制备方法体制正极材料

[发明专利]制作腔体的方法与缩减微机电元件的尺寸的方法-CN200510114001.X无效
发明人：黄德昌;林弘毅;徐文祥 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2005-10-13 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：该方法包括首先提供一单晶硅基底，且单晶硅基底包含有位于该单晶硅基底的正面的一隔膜。接着进行一第一阶段各向异性干蚀刻工艺，由单晶硅基底的背面蚀刻单晶硅基底以形成一对应该隔膜的开口，且单晶硅基底的蚀刻停止于单晶硅基底中的一沿该隔膜的边缘延伸的特定晶面上。随后进行一第二阶段各向异性湿蚀刻工艺，并沿特定晶面蚀刻单晶硅基底直至暴露出隔膜以形成一腔体，且腔体具有一类钻石结构形状。
制作方法缩减微机元件尺寸

[发明专利]包括镍基单晶超合金基板的部件及其制造方法-CN201780066439.6有效
发明人：艾玛尔·撒伯恩德吉;维尔日妮·杰凯特;杰瑞米·雷姆 -专利权人：赛峰集团
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造包括镍基单晶超合金基板(2)的部件(1)的方法。该方法的特征在于包括以下步骤：制造镍基单晶超合金基板(2)；在所述基板(2)上形成涂层(3)，该涂层包括至少一个含铝和铂的第一类型的层(30)，至少一个含铝、硅、铂的第二类型的层(31)以及含镍、铝、硅和铂的第三类型的层(32)，所述第三类型的层(32)在呈层叠的涂层(3)的最外层；以及，在所述第三类型的层(32)上形成硅掺杂的氧化铝层(4)。
包括镍基单晶超合金部件及其制造方法

[发明专利]光电转换装置的制造方法-CN200810189178.X有效
发明人：大沼英人;广濑贵史 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：在单晶硅衬底中形成脆弱层，在单晶硅衬底的表面一侧形成第一杂质硅层，在其上形成第一电极。在将支撑衬底的一表面和第一电极贴合之后，沿着脆弱层分离单晶硅衬底，以在支撑衬底上形成单晶硅层。在进行单晶硅层的结晶缺陷修复处理或结晶缺陷去除处理之后，使用至少包含硅烷类气体的原料气体，由在大气压或接近大气压的压力下产生的等离子体使原料气体活性化，来使单晶硅层外延生长。在外延生长的单晶硅层的表面一侧形成第二杂质硅层。
光电转换装置制造方法

[发明专利]一种锂离子电池富镍无钴单晶正极材料的制备方法及应用-CN202110790761.1有效
发明人：李平;王志奇;韩坤;何冬林;安富强 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：一种锂离子电池富镍无钴单晶正极材料的制备方法，属于锂离子电池正极材料领域。先通过共沉淀制备富镍无钴氢氧化物前驱体；将前驱体与熔融盐以及锂盐按一定的化学计量比配比混合均匀，然后高温煅烧，将得到的混合物用去离子水洗涤多次，干燥后，得到缺锂的单晶形貌类尖晶石型富镍一次颗粒；然后向一次颗粒中补充一定的锂盐，混合均匀，高温烧结，即得单晶富镍无钴层状正极材料。本发明适用于制备单晶型富镍正极材料，第一步加锂，锂元素与镍、镁、铁、钛元素和的摩尔比Li/(Ni+Mg+Fe+Ti)＝0.8～1.0，烧结后形成微米级缺锂类尖晶石型富镍单晶颗粒，水洗补锂后，可在650～800℃低温范围形成微米级大尺寸富镍层状单晶正极材料，振实密度高，锂镍混排低，层状结构良好，因此比容量更高，循环性能好。
一种锂离子电池富镍无钴单晶正极材料制备方法应用

[发明专利]基于MOCVD法在硅酸镓镧类晶体衬底上生长GaN单晶薄膜的方法-CN202111676060.1在审
发明人：郑燕青;王帅;孙志刚 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了基于MOCVD法在硅酸镓镧类晶体衬底上生长GaN单晶薄膜的方法，特点是包括以下步骤：（1）将清洁后的硅酸镓镧类晶体衬底放入金属有机化合物化学气相沉积腔室，向反应室通入H2˚C，保持反应室压力为100‑300 mbar的条件下对衬底高温处理3‑8 min；（2）以三甲基镓和NH3为气源，在400～600˚C温度范围内，在硅酸镓镧类晶体衬底上生长一层低温GaN成核层；（3）将反应室升温至900～1200˚C，在低温GaN成核层上生长出高温GaN单晶薄膜，优点是晶格失配性和热膨胀系数失配性均较低，GaN单晶薄膜质量高。
基于 mocvd 硅酸镓镧类晶体衬底生长 gan 薄膜方法

[发明专利]一种类单晶富锂锰基正极材料的制备方法-CN201910642071.4有效
发明人：廖达前;殷春梅;胡柳泉;曾文赛;周友元 -专利权人：湖南长远锂科股份有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种类单晶富锂锰基正极材料的制备方法，包括以下步骤：(1)将锂源、镍源、锰源、草酸和Li2WO4进行干混、研磨；(2)将步骤(1)后研磨的混合物进行干燥，得到固相络合物前驱体；(3)将所述固相络合物前驱体进行烧结，即得到类单晶富锂锰基层状锂电池正极材料。本发明首次将固相络合反应法应用于制备类单晶富锂锰基正极材料中，充分发挥草酸和Li2WO4的双重效果，保持了传统的高温固相反应操作简便的优点
种类单晶富锂锰基正极材料制备方法

[发明专利]一种类单晶晶体硅锭的制作方法和多晶硅铸锭炉-CN201210298512.1无效
发明人：郑志东;王朋;翟蕊;李娟 -专利权人：浙江昱辉阳光能源有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：发明提供了一种类单晶晶体硅锭的制作方法，包括：对铺设在一容器底部的籽晶层和位于所述籽晶层上方的硅料进行加热，使所述硅料完全熔化，并使所述籽晶层部分熔化，形成液态硅层，且未熔化的部分籽晶层保持为固态，在类单晶生长时使所述籽晶层内的籽晶间拼缝处的温度高于籽晶区域的温度，籽晶区域的晶体优先向拼缝处生长，并且籽晶处的晶体生长速度大于拼缝处的晶体生长速度，则抑制了拼缝处多晶的生长，使得拼缝处的晶向可控，并且拼缝处的晶向与籽晶晶向保持一致，减少了位错的产生，进而提高了类单晶硅太阳能电池的转化效率
种类晶体制作方法多晶铸锭

[实用新型]类单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜-CN201220345993.2有效
发明人：杨骞;全余生;龚双龙;王金伟;崔梅兰 -专利权人：东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种类单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜，在太阳能电池类单晶硅片（3）的前表面，从内至外依次设有ZnO空心球薄膜（2）和氮化硅薄膜（1）；ZnO薄膜（2）的厚度为15~20nm；氮化硅薄膜（1）的厚度为30氮化硅薄膜的折射率为1.4~1.7，这种叠层膜与单层膜相比具有更好的光学匹配特性，不仅对在硅的主光谱响应的550nm的光有优异的减反射效果，而且对波长在300~1200nm范围内的光都有很好的件反射和吸收效果，从而提高类单晶硅太阳能电池的转换效率
单晶硅太阳能电池用叠层减反射膜