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[发明专利]改良型等离子强化原子层沉积方法-CN201710293262.5在审
发明人：蔡俊雄;游国丰;范彧达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：根据一例子，一种改良型等离子强化原子层沉积方法包括于基材上进行沉积制程的多个第一沉积循环，以及在进行多个第一沉积循环后，进行等离子强化层沉积循环。等离子强化层沉积循环包含等离子处理制程。多个第一层沉积循环的进行不包含等离子处理制程。
沉积循环等离子强化等离子处理制程原子层沉积改良型第一层基材制程沉积

[实用新型]等离子体增强化学气相沉积电极板装置及沉积装置-CN201220629223.0有效
发明人：张治超;孙亮;赵海廷;郭总杰;刘正 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置及沉积装置。该等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，其中等离子体增强化学气相沉积电极板上设置有用于将基板顶离或放在等离子体增强化学气相沉积电极板上的移动定位单元，等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括：控制移动定位单元的表面电压的移动定位单元电压控制单元，用于使移动定位单元在基板上产生与基板平行的电场。从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和，或在电路图形中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。
等离子体增强化学沉积极板装置

[发明专利]一种铝合金表面等离子体扩渗强化的方法-CN201511019701.0有效
发明人：闫牧夫;章凡勇;王祎雪;张雁祥 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：一种铝合金表面等离子体扩渗强化的方法，本发明涉及表面等离子体扩渗强化的方法。本发明要解决现有铝合金表面硬度低，耐磨性差的问题。方法：一、铝合金表面预处理；二、铝合金表面预置扩渗合金元素；三、等离子体扩渗，即完成一种铝合金表面等离子体扩渗强化的方法。本发明用于铝合金表面等离子体扩渗强化的方法。
一种铝合金表面等离子体强化方法

[实用新型]等离子体源增强沉积设备-CN03211548.2无效
发明人：李国卿;关秉羽;李剑锋;牟宗信 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2003-02-20 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：等离子体源增强沉积设备属于等离子体表面物理气相沉积技术领域。等离子体源增强沉积设备由真空系统、加热系统、偏压电源、供气系统、工件传动系统以及等离子体源与真空弧、磁控溅射组成，由等离子体源提供气体离化的等离子体，在偏压作用下，载能离子清洗、活化和强化材料表面，并与真空弧、磁控溅射产生的金属离子合成薄膜，实现等离子体源强化－镀膜一体化技术。本实用新型设备设计适合工业应用的等离子体源，利于产业化技术。应用于机械，信息，建筑装璜等领域。尤其适用于深层强化和表面处理的工模具。
等离子体增强沉积设备

[发明专利]模具型腔表面等离子束强化方法及装置-CN201110369558.3无效
发明人：王义强;张学昌;郑堤;王龙山;贾志欣;华顺明;王晓军;刘立君 -专利权人：浙江大学宁波理工学院
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C21D1/06 文献下载
摘要：本发明提供一种模具型腔表面等离子束强化方法及装置，该方法包括以下步骤：步骤1：将待处理的模具安装在工作台上；步骤2：调整等离子束发生器与待处理的模具型腔位姿，以使等离子束发生器与模具型腔表面达到最佳工作位置；步骤3：根据待处理的模具材料，确定工艺参数，调节等离子束能量；步骤4：根据模具型腔几何特征，确定等离子束的强化轨迹；步骤5：根据强化轨迹，在模具型腔表面进行强化路径测试，以检测强化设备可能发生的干涉性；步骤6：等离子束流按照确定的速度和轨迹扫描模具型腔表面。本发明不但可以增强模具型腔表面抗磨损性能、抗热疲劳性能，大幅度提高模具的使用寿命，而且强化工艺简单、成本较低。
模具表面离子束强化方法装置

[实用新型]一种多光束常压敞开式便携激光质谱仪-CN201820368494.2有效
发明人：周云申;秦国双 -专利权人：常州英诺激光科技有限公司;江苏微纳激光应用技术研究院有限公司;英诺激光科技股份有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种解决常压敞开式激光质谱仪中待测等离子体寿命短的一种多光束常压敞开式便携激光质谱仪，属于分析仪器技术领域，具体包括：控制单元、激发激光器、量分析器、激发光路系统、常压敞开式离子化腔室，还包括用以形成强化待测等离子体激光光束的强化光分路或强化激光器。该方案针对常压敞开式激光质谱仪待测样品于非真空环境离子化所形成的等离子体浓度和稳定性低、寿命短的缺点，利用激光对等离子体进行二次或多次辐照而强化待测等离子体，进一步提高等离子体的电离度，提升等离子体中离子浓度，并延长等离子体寿命。
等离子体敞开式常压质谱仪激光多光束便携本实用新型非真空环境激发激光器离子化腔室强化激光器辐照待测样品分析仪器激发光路激光光束准确度电离度分析器光分路离子化信噪比离子检测

[实用新型]扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备的热量回收系统-CN202122693085.4有效
发明人：王广义;王瑞召;毕卫超 -专利权人：晶澳太阳能有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： F27D17/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备的热量回收系统，其包括扩散炉、等离子体增强化学气相沉积设备和冷却塔，扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备与冷却塔之间设置有排风装置，且扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备通过排风装置与冷却塔或者大气相连通本申请具有以下效果：冬季时，阀门机构控制扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备通过排风装置与冷却塔相连通，扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备将硅片制程过程中产生的热量通向冷却塔，冷却塔利用该热量进行升温换热
扩散等离子体增强化学沉积设备热量回收系统

[发明专利]等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置-CN201210483923.8有效
发明人：张治超;孙亮;赵海廷;郭总杰;刘正 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。本发明的等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，以及能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。该装置可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和，或在电路图形中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场，从而改变局部的成膜速度，以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。
等离子体增强化学沉积极板装置方法

[发明专利]一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法-CN201010137246.5无效
发明人：于威;路万兵;傅广生;王春生;崔双魁 -专利权人：河北大学
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法，首先将清洗好的衬底放置到螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的基片台上，然后对螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的反应室抽真空，并用氢等离子体清洗螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的基片台和反应室器壁，再加热基片台，向反应室通入反应气体并调节气压，向螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的等离子体产生室施加磁场并开启射频电源，开始碳化硅薄膜的沉积，至得到碳化硅薄膜样品，最后在氢气保护下降温至室温，取出样品
一种低温制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜方法

[发明专利]柔性OLED面板的制作方法及柔性OLED面板-CN201710793594.X在审
发明人：张鹏振 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性OLED面板的制作方法及柔性OLED面板，包括提供一有机材料基板；在所述有机材料基板上沉积金属保护层，其中，所述金属保护层具有耐腐蚀性；在所述金属保护层上采用高温等离子增强化学气相沉积工艺沉积缓冲层；在所述缓冲层上形成半导体层；所述金属保护层用于防止所述缓冲层高温等离子增强化学气相沉积制程对等离子增强化学气相沉积腔体和管道的污染。本发明提供了一种柔性OLED面板的制作方法及柔性OLED面板，通过在有机材料基板上制备一金属保护层以防止所述缓冲层高温等离子增强化学气相沉积制程对等离子增强化学气相沉积腔体和管道的污染，进而提升柔性OLED
柔性 oled 面板制作方法

[发明专利]一种在线钢轨层流等离子表面强化的处理方法-CN201911376820.X在审
发明人：程梦晓;黄为;曾毅;谭军;李向阳 -专利权人：成都真火科技有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： E01B31/02 文献下载
摘要：本发明属于铁路钢轨强化和修复领域，涉及一种基于层流等离子技术在钢轨表面在线强化处理和修复的方法，具体为一种在线钢轨层流等离子表面强化设备的处理方法其特征在于包括如下步骤：A.安装有层流等离子发生器组的在线作业小车走行到需要处理的钢轨位置，确定预定的处理范围；B.小车提升层流等离子发生器组到工作位置，开启层流等离子束发生器组，自动升功至稳定工作状态；C.小车自动定位钢轨并走行，在预定的处理范围内进行两股钢轨表面进行强化处理，处理后在钢轨表面形成多个点状强化带
一种在线钢轨层流等离子表面强化处理方法

[发明专利]一种层流等离子技术处理的铁路钢轨-CN201911018381.5在审
发明人：李向阳;曾毅;谭军;程梦晓;黄为 -专利权人：四川金虹等离子技术有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： E01B5/02 文献下载
摘要：本发明属于钢轨处理加工领域，涉及一种使用层流等离子技术处理的铁路钢轨，能大幅提高钢轨耐磨损性能及使用寿命，一种层流等离子技术处理的铁路钢轨，其特征在于包括：钢轨主体、强化点侧剖面、强化带、强化区、钢轨顶面和钢轨侧面，所述钢轨主体包括钢轨顶面和钢轨侧面，所述钢轨顶面和钢轨侧面设置有多条经过层流等离子处理的强化带，所述上下左右相邻的任意三条强化带之间的几何中心连线形成一个强化区，所述强化区为三角形结构。
一种层流等离子技术处理铁路钢轨

[发明专利]一种电弧等离子体表面织构化热处理强化工艺方法-CN201810032658.9有效
发明人：余德平;邱吉尔;段亚洲;钟彦杰;向勇;姚进 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C21D1/09 文献下载
摘要：本发明提供一种对工件表面进行等离子体表面织构化热处理强化工艺方法。通过控制电弧等离子体束的扫描速度，使工件表面无需热处理强化的区域具有较大的扫描速度，而需要热处理强化的区域具有较小的扫描速度，实现对工件的表面织构化热处理。其方法包含以下步骤：步骤一：确定表面织构化热处理强化所需的工艺参数；步骤二：固定工件位置；步骤三：设定电弧等离子体发生器的初始位置；步骤四：编写电弧等离子体发生器的位置和速度控制程序；步骤五：开启并调试电弧等离子体发生器
热处理电弧等离子体发生器表面织构化电弧等离子体工件表面扫描等离子体表面速度控制程序自动运行按钮固定工件织构化调用调试

[发明专利]一种基于激光冲击强化等离子体冲击波约束方法-CN201711012259.8有效
发明人：陆莹;乔红超;赵吉宾;孙博宇;胡太友 -专利权人：中国科学院沈阳自动化研究所
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C21D10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光冲击强化等离子体冲击波约束方法。利用强磁场的约束使激光诱导产生的等离子体(正离子、负离子)分离，使正离子附着在牺牲层(铝箔或者黑胶带)表面，形成一种透明带电的等离子体约束层，主要作用是约束产生的等离子体冲击波，增强冲击波对靶材的作用效果由于等离子体存在的时间尺度要远大于激光脉冲宽度，所以利用强磁场将激光诱导产生的等离子正负离子分离形成一层约束层。本发明方法工艺简单，可控性强、效果显著，相比于传统的约束层(水或者玻璃)，激光诱导产生的等离子可以对复杂曲面、凹槽、榫槽、复杂内壁面的激光冲击强化进行约束，有效地抑制冲击波向外扩散，提高激光冲击强化效果
一种基于激光冲击强化等离子体冲击波约束方法

[实用新型]等离子体增强化学气相沉积装置-CN201620397246.1有效
发明人：苏同上;王东方;杜生平;袁广才 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种等离子体增强化学气相沉积装置，该等离子体增强化学气相沉积装置包括反应腔室，所述反应腔室内设置有第一磁镜单元和第二磁镜单元，所述第一磁镜单元和所述第二磁镜单元从不同方向对所述反应腔室内的等离子体进行约束本实用新型提供的等离子体增强化学气相沉积装置，通过在反应腔室内设置第一磁镜单元和第二磁镜单元从而形成双磁镜系统，利用该双磁镜系统可以产生不均匀磁力线，使得等离子体约束在双磁镜内部，可以从不同方向同时对等离子体进行约束，可以显著的提高等离子体密度，达到增加薄膜的沉积速率的目的，同时降低等离子体对薄膜的损伤，减小等离子体对反应腔室以及其内部电极造成的污染。
等离子体增强化学沉积装置

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