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[发明专利]具有涂碳的高能表面的保护膜-CN95192302.1无效
发明人： J·R·瓦格纳;E·M·芒特第三 -专利权人：美孚石油公司
申请日： 1995-02-22 - 公布日： 1997-03-05 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：用等离子增强化学蒸气沉积技术制备一种涂覆碳的聚合物薄膜。将具有至少一个外露的高能表面的非晶形尼龙层粘附于聚合物基材上。然后在等离子体的存在下通过可分解的前体的汽相淀积将碳层沉积在该外露的高能表面。
具有高能表面保护膜

[发明专利]碳硬掩模的等离子体增强化学气相沉积-CN201980028076.6在审
发明人： B·S·权;P·K·库尔施拉希萨;K·D·李;B·阿夫扎尔;S·哈;V·K·普拉巴卡尔;V·卡尔塞卡尔;S·托卡奇丘;爱德华四世·P·哈蒙德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体方法还包括使烃前驱物流动到工艺腔室内的等离子体中，并且以大于5000/min(诸如高达约10000/min或更快)的速率在基板上形成碳硬掩模层。
碳硬掩模等离子体增强化学沉积

[发明专利]一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法-CN201210381992.8在审
发明人：吴晓松;宋准 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法，预先设定温度目标值，实时采集炉体各个温区的实际温度，计算出与温度目标值的温度差值；根据该差值，通过模糊控制器控制炉体内的加热管的加热功率输出本发明的用于控制等离子体增强化学气相沉积炉体温度的方法，有效缩短开始加热工艺腔到达到工艺腔正常工艺时的时间。
一种用于控制等离子体增强化学沉积体温方法

[发明专利]液体喷头制造方法、液体喷头和打印装置-CN201410169239.1有效
发明人：陈晓坤;佟鑫 -专利权人：珠海赛纳打印科技股份有限公司
申请日： 2014-04-24 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：本发明提供一种液体喷头制造方法、液体喷头和打印装置，其中方法包括在基板上表面依次层叠振动板、下电极、压电陶瓷薄膜层和上电极，所述下电极、压电陶瓷薄膜层和上电极形成压电元件；通过等离子体增强化学气相沉积法在所述压电元件的上表面和侧面形成氮化硅保护膜本发明通过等离子体增强化学气相沉积法在所述压电元件的上表面和侧面形成氮化硅保护膜，氮化硅保护膜的内应力为压应力，所以可以防止墨水接触到压电陶瓷薄膜层，可以更可靠地防止压电陶瓷薄膜层被墨水腐蚀破坏，并且氮化硅保护膜的内应力为压应力
液体喷头制造方法打印装置

[发明专利]等离子体增强化学气相沉积设备-CN201010616317.X有效
发明人：刘红义 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积设备，包括：腔室本体，所述腔室本体内限定有腔室，且所述腔室本体的顶壁上设有用于将工艺气体和射频或中频通入所述腔室内的开口；上电极，所述上电极可升降地设在所述腔室的上部根据本发明实施例的等离子体增强化学气相沉积设备，通过在腔室内设置可升降的上电极且将载板放置在承载部件上，可使载板上的晶片在工艺过程中稳定地被镀膜，从而提高了工艺稳定性。
等离子体增强化学沉积设备

[发明专利]光伏器件、其形成方法以及等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统-CN201310168107.2有效
发明人：陈自强;A·J·洪;金志焕;D·K·萨达那 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明涉及光伏器件、其形成方法以及等离子体增强化学气相沉积系统。一种形成光伏器件的方法包括提供衬底。在所述衬底上沉积光伏叠层的一个或多个层。沉积非晶层包括执行高功率快闪沉积以沉积所述层的第一部分。执行低功率沉积以沉积所述层的第二部分。
器件形成方法以及等离子体增强化学沉积 pecvd 系统

[发明专利]一种基于Mg离子注入与高温退火工艺实现氮化镓p型掺杂的方法-CN202010428472.2在审
发明人：石娅婷;任芳芳;陆海;徐尉宗;叶建东;周东 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种基于Mg离子注入与高温退火工艺实现氮化镓p型掺杂的方法，包括对GaN材料进行Mg离子注入与高温退火。采用与硅工艺兼容的Mg离子注入与高温退火工艺过程，并结合氮化镓表面保护层的应用，在高温激活Mg受主杂质并修复氮化镓晶格的同时，保护氮化镓表面不被分解，实现氮化镓p型掺杂；所述离子注入过程中引入的第一保护层为氮化铝、铝镓氮、氮化镁、氧化镁、氮化硅中的一种或二种以上多层复合介质，淀积方式为金属有机化合物化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积中的至少一种。
一种基于 mg 离子注入高温退火工艺实现氮化掺杂方法

[实用新型]一种微波射频等离子体化学气相沉积装置-CN201920493795.2有效
发明人：刘胜;汤朝晖;李俊 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C23C16/517 文献下载
摘要：本实用新型涉及微波等离子体气相沉积技术领域，具体涉及一种微波射频等离子体化学气相沉积装置，包括腔体，所述腔体从上至下依次设置有：电离部，包括电离腔和从上到下依次设置于电离腔顶部的点火装置、进气口和压缩形波导管；气相沉积部，包括气相沉积腔和绕设于气相沉积腔外壁的射频线圈；取放样部，包括取放样腔，所述取放样腔设置有取放样窗口；基台，升降设置于所述腔体内。本实用新型的装置通过设置压缩形波导管配合射频点火装置使反应气体产生电感耦合等离子体效应形成等离体子火炬，并且利用射频线圈来提高等离子体火炬的温度，极大的降低了化学气相沉积生长金刚石过程中的能量消耗，极大的提升了金刚石的生长速率
放样本实用新型气相沉积腔金刚石点火装置射频线圈依次设置波导管电离腔腔体等离子体化学气相沉积装置进气口电感耦合等离子体沉积技术领域等离子体火炬化学气相沉积微波等离子从上到下从上至下反应气体能量消耗气相沉积微波射频效应形成压缩电离生长基台射频外壁升降体内火炬配合

[发明专利]中心波长渐变的带通滤光片制备方法-CN201510562808.3在审
发明人：潘永强;弥谦;韩军;宋俊杰;杭凌侠 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种中心波长渐变的带通滤光片制备方法，根据带通滤光片中心波长的位置与间隔层光学厚度成正比的关系在真空室中采用等离子体增强化学气相沉积完成第一高反射膜堆和间隔层的制备，然后在真空室中采用离子束刻蚀和掩模板组合技术对不同位置处的间隔层进行不同的厚度刻蚀，使对应不同中心波长的间隔层形成阶梯状台阶，最后再采用等离子体增强化学气相沉积完成第二高反射膜堆的制备，即获得中心波长渐变的带通滤光片。本发明所提供的中心波长渐变滤光片的制备方法只需经过一次第一高反射膜1和间隔层的镀制、离子束与掩模组合刻蚀、第二高反射膜堆的镀制就可完成n个中心波长渐变滤光片的制备，方法简单、效率高。
中心波长渐变滤光制备方法

[发明专利]非UV高硬度低介电常数膜沉积-CN201980048633.0在审
发明人： S·慕克吉;B·谢;K·M·赵;K·S·伊姆;D·帕德希;A·加格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本文所述的实施例提供通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来形成具有高硬度的低k碳掺杂氧化硅(CDO)层的方法。此方法包括以载气流率提供载气和以前驱物流率将CDO前驱物提供到工艺腔室。CDO层沉积在工艺腔室内的基板上。
uv 硬度介电常数沉积

[发明专利]耐磨耗介电层的制作方法-CN200510052127.9无效
发明人：赖委舜;胡书华;黄冠瑞;潘锦昌;许渊钦 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：接着至少进行一等离子体辅助化学气相沉积工艺，以于该基底的表面沉积一介电层，且该等离子体辅助化学气相沉积工艺利用一高频－低频等离子体交错方式进行。
耐磨耗介电层制作方法

[实用新型]一种内壁镀膜用微波等离子体化学气相快速沉积系统-CN202021467856.7有效
发明人：孙耀明;彭晓华;陈寿;王鑫;李彦灼;刘晓东;江俊灵;肖艳苹 -专利权人：深圳市八六三新材料技术有限责任公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内壁镀膜用微波等离子体化学气相快速沉积系统。所述内壁镀膜用微波等离子体化学气相快速沉积系统，包括：多个真空抽气及充气组件，位于所述多个真空抽气及充气组件上方的微波组件；所述真空抽气及充气组件为可移动真空抽气及充气组件，用于对所述容器的内部抽真空以及充入工作气体以及通过移动与所述微波组件实现切换配合；所述微波组件用于与各个所述真空抽气及充气组件配合以实现微波等离子体化学气相沉积。本实用新型所述微波组件能够在多个真空抽气及充气组件之间切换，免除了放气、取样及抽真空时微波组件的闲置问题，可以实现微波等离子体化学气相连续沉积，且无需增加成本最高的微波组件，效率即可提升。
一种内壁镀膜微波等离子体化学快速沉积系统

[发明专利]一种检验基板的处理方法及处理装置-CN201710262131.0有效
发明人：张文波;郭如旺;储明明;张锐;郑文灏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：处理方法包括：在检验基板上设置牺牲膜层；利用等离子体增强化学气相沉积法在所述牺牲膜层上形成检验膜层；在对所述检验膜层的形成状况进行检验后，从所述检验基板上去除所述牺牲膜层，从而使得所述检验膜层与所述检验基板分离本发明的方案先在检验基板上沉积出易于与检验基板分离的牺牲膜层，之后再使用离子体增强化学气相沉积法制作出用于检验化学气象沉积工艺的检验膜层，在验证完成后，只需要将牺牲膜层与检验基板分离，即可重新回收干净的检验基板
检验基板牺牲膜检验膜层处理装置等离子体增强化学气相沉积法化学气相沉积化学气象沉积回收离子体再使用沉积验证节约制作

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN201010571081.2无效
发明人：平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有沟槽；使用第一高密度等离子体化学气相沉积形成填充介质层，对所述沟槽进行预填充，并覆盖所述半导体衬底的表面；使用第二高密度等离子体化学气相沉积形成帽盖介质层，对所述沟槽进行完全填充，并覆盖所述填充介质层，所述第二高密度等离子体化学气相沉积的反应温度为630℃至670℃。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]一种三维结构CNTs增强Cu基复合材料的制备方法-CN201511009348.8有效
发明人：亓钧雷;罗大林;陈树林;林景煌;王泽宇;冯吉才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：一种三维结构CNTs增强Cu基复合材料的制备方法，本发明涉及CNTs增强铜基复合材料的制备方法。本发明要解决传统方法制备三维CNTs分散不均匀，CNTs与基体结合力低导致复合材料强度低的问题。本发明的方法首先采用化学气相沉积方法，在泡沫铜基体上制备三维石墨烯，然后采用等离子体增强化学气相沉积方法，在石墨烯上生长CNTs，制得三维结构CNTs，最后将三维CNTs/泡沫铜材料与铜粉进行放电等离子烧结，得到三维结构CNTs增强Cu基复合材料。本发明用于三维结构CNTs增强Cu基复合材料的制备方法。
一种三维结构 cnts 增强 cu 复合材料制备方法