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[发明专利]用于形成UV硬化的低K介电膜的系统和方法-CN202180077241.4在审
发明人： B·谢;R·熊;S·恩戈;K·S·伊姆;Y·刘;夏立群 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-04 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：描述了用于形成经UV处理的低k介电膜的半导体处理方法。所述方法可包括将沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域。沉积前驱物可包括含硅与碳前驱物。所述方法可进一步包括从基板处理区域内的沉积前驱物产生沉积等离子体，以及从沉积等离子体的等离子体流出物在基板上沉积含硅与碳材料。沉积态的含硅与碳材料可以大于或约5％的烃基团为特征。所述方法可又进一步包括将沉积的含硅与碳材料暴露于紫外光。暴露的含硅与碳材料可以小于或约2％的烃基团为特征。
用于形成 uv 硬化介电膜系统方法

[发明专利]用于清洁低K沉积腔室的系统以及方法-CN202180072292.8在审
发明人： B·谢;R·熊;K·S·伊姆;Y·刘;夏立群;S·恩戈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：描述了清洁基板处理腔室的示例性半导体处理方法。此方法可包括在基板处理腔室中的第一基板上沉积介电膜，其中介电膜可包括硅碳氧化物。具有介电膜的第一基板可从基板处理腔室移除，及介电膜可沉积在基板处理腔室中的至少还有一个基板上。此至少还有一个基板可在介电膜沉积在此基板上之后从基板处理腔室移除。在移除具有介电膜的最后一个基板之后，蚀刻等离子体流出物可流入基板处理腔室中。蚀刻等离子体流出物可包括大于或约500sccm的NF3等离子体流出物，及大于或约1000sccm的O2等离子体流出物。
用于清洁沉积系统以及方法

[发明专利]沉积低k介电膜的系统及方法-CN202180070029.5在审
发明人： B·谢;R·熊;S·恩戈;K·S·伊姆;Y·刘;夏立群 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述了在半导体基板上形成低K膜的半导体处理方法的实施例。所述处理方法可包括使沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中。沉积前驱物可包括具有至少一个乙烯基的含硅前驱物。所述方法还可包括在基板处理区域中从沉积前驱物生成沉积等离子体。由小于或为约3.0的介电常数(K值)表征的含硅及碳的材料可以从沉积等离子体的等离子体流出物沉积在基板上。
沉积介电膜系统方法

[发明专利]沉积低K介电膜的系统及方法-CN202180052804.4在审
发明人： B·谢;K·S·伊姆;Y·刘;夏立群;R·熊 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：形成含硅碳材料的示例性方法可以包括以下步骤：使含硅氧碳前驱物流进半导体处理腔室的处理区中。基板可安放在半导体处理腔室的处理区内。方法可包括以下步骤：在含硅碳前驱物的处理区内形成等离子体。等离子体可以小于15MHz(例如，13.56MHz)的频率形成。方法可包括以下步骤：在基板上沉积含硅碳材料。所沉积的含硅碳材料可由低于或约3.5的介电常数和大于或约3Gpa的硬度来表征。
沉积介电膜系统方法

[发明专利]用于沉积低介电常数介电膜的系统和方法-CN202180019623.1在审
发明人： S·慕克吉;K·S·伊姆;D·帕德希;A·A·坎古德;R·拉杰夫;S·乔杜里 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：形成含硅和碳材料的示例性方法可包括：将含硅和碳前驱物流入半导体处理腔室的处理区域内。基板可容置于半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括：在处理区域内形成含硅和碳前驱物的等离子体。可在高于15MHz的频率下形成等离子体。所述方法可包括：将含硅和碳材料沉积于基板上。所沉积的含硅和碳材料的特征在于：低于或约3.0的介电常数。
用于沉积介电常数介电膜系统方法

[发明专利]具有自成型阻挡层的低K电介质-CN202080041895.7在审
发明人：丁祎;S·慕克吉;B·谢;K·S·伊姆;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种形成具有阻挡性质的低k介电层的方法。所述方法包括通过PECVD形成掺杂有硼、氮或磷中的一者或多者的介电层。一些实施例的掺杂剂气体可在沉积期间与其他反应物共同流动。
具有成型阻挡电介质

[发明专利]非UV高硬度低介电常数膜沉积-CN201980048633.0在审
发明人： S·慕克吉;B·谢;K·M·赵;K·S·伊姆;D·帕德希;A·加格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本文所述的实施例提供通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺来形成具有高硬度的低k碳掺杂氧化硅(CDO)层的方法。此方法包括以载气流率提供载气和以前驱物流率将CDO前驱物提供到工艺腔室。以一功率水平和一频率将射频(RF)功率施加至CDO前驱物。CDO层沉积在工艺腔室内的基板上。
uv 硬度介电常数沉积

[发明专利]用于3D NAND应用的低介电常数氧化物和低电阻OP堆叠-CN201880009550.6在审
发明人：韩新海;K·S·伊姆;Z·江;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本文所述的实施例大体涉及制造用于存储器器件(诸如NAND器件)的3D存储器单元的氧化物/多晶硅(OP)堆叠的方法。所述方法通常包括在PECVD工艺期间用前驱物处理所述氧化物和/或多晶硅材料，以降低所述氧化物的介电常数并降低所述多晶硅的电阻率。在一个实施例中，用八甲基环四硅氧烷(OMCTS)前驱物处理所述氧化物材料。在另一个实施例中，将锗烷(GeH₄)引入PECVD工艺以形成具有掺杂剂的Si_xGe_(1‑x)膜。在又一个实施例中，使用等离子体处理工艺来氮化所述OP堆叠的层之间的界面。所述前驱物和等离子体处理可以单独地使用或以任何组合使用，以产生具有低介电常数氧化物和低电阻率多晶硅的OP堆叠。
堆叠多晶硅前驱物氧化物低介电常数氧化物等离子体处理八甲基环四硅氧烷存储器单元存储器器件多晶硅材料氧化物材料氮化低电阻率介电常数掺杂剂单独地低电阻电阻率锗烷引入应用制造

[发明专利]用于多层图案化应用的低温单一前驱物ARC硬掩模-CN201680069461.1在审
发明人： S·慕克吉;K·S·伊姆;D·帕德希;K·M·赵;K·A·范;C-A·陈;P·达舍 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：描述了硬掩模和ARC层的单一前驱物沉积的方法。所得的膜是利用具有低碳含量的高密度氧化硅SiO2层封端的具有较高碳含量的SiOC层。所述方法可以包括：将第一沉积前驱物输送至基板，所述第一沉积前驱物包含SiOC前驱物和第一流速的含氧气体；使用等离子体激活沉积物质，由此在基板的已暴露表面上方沉积含SiOC的层。随后，将第二前驱物气体输送至含SiOC的层，所述第二沉积气体包含具有第二流速的不同或相同的SiOC前驱物和第二流速的含氧气体，并且使用等离子体激活沉积气体，所述第二沉积气体在硬掩模上方形成含SiO2的层，所述含SiO2的层具有非常低的碳。
前驱物沉积气体硬掩模沉积等离子体激活沉积前驱物含氧气体基板前驱物气体暴露表面多层图案氧化硅低碳高碳应用

[发明专利]降低多孔低K膜的介电常数的方法-CN201380036771.X在审
发明人： K·陈;J·徐;K·S·伊姆;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明的实施例一般是关于降低半导体制造中所使用的低k介电质薄膜的介电常数之方法。在一实施例中，一种用于降低低k的含硅介电质薄膜的介电常数(k)的方法包括使多孔的低k的含硅介电质薄膜暴露于氢氟酸溶液，接着使该低k的含硅介电质薄膜暴露于硅烷化作用剂。硅烷化作用剂与该多孔的低k介电质薄膜中的Si-OH官能基反应，以增加低k介电质薄膜中的碳浓度。
降低多孔介电常数方法

[发明专利]藉由紫外线辅助的光化学沉积而对等离子体损坏的低介电常数薄膜的介电恢复-CN201280027958.9无效
发明人： K·S·伊姆;T·诺瓦克;B·谢;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了用于修复损坏的低k膜的方法。低k膜的损坏发生在处理膜期间，诸如在蚀刻、灰化和平坦化期间。处理低k膜导致水储存在膜的孔隙中，并且处理低k膜进一步导致亲水性化合物在低k膜结构中形成。结合紫外线（UV）辐射与含碳化合物的修复工艺从孔隙移除水，并且所述修复工艺进一步从低k膜结构中移除亲水性化合物。
藉由紫外线辅助光化学沉积等离子体损坏介电常数薄膜恢复

[发明专利]用于恢复及封孔受损的低介电常数薄膜的紫外线辅助硅烷化-CN201280012115.1无效
发明人：谢波;A·T·迪莫斯;K·S·伊姆;T·诺瓦克;陈劲文 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-04-04 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供了用于修复受损的低介电常数薄膜的方法。对低介电常数薄膜的损坏发生在处理薄膜期间，诸如，在蚀刻、灰化及平坦化期间。对低介电常数薄膜的处理使水储存在薄膜的孔中且进一步使亲水性化合物形成在低介电常数薄膜结构中。结合紫外线（UV）辐射及硅烷化化合物的修复工艺自孔移除水且进一步自低介电常数薄膜结构移除亲水性化合物。
用于恢复受损介电常数薄膜紫外线辅助硅烷

[发明专利]原位低介电常数加盖以改良整合损坏抗性-CN201180057643.4无效
发明人： K·S·伊姆;J·徐;S·恩戈;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成包括气隙的低k介电层的方法及装置。在一个实施例中，提供一种处理基板的方法。该方法包含：将基板安置在处理区域内；在存在等离子体的情况下，将有机硅化合物与氧化气体以及提供致孔剂的前驱物反应，以将包含硅、氧及碳的含致孔剂的低k介电层沉积在基板上；将包含硅、氧及碳的多孔介电加盖层沉积在含致孔剂的低k介电层上；以及紫外线(UV)固化含致孔剂的低k介电层及多孔介电加盖层，以经由多孔介电加盖层从含致孔剂的低k介电层中移除致孔剂的至少一部分，以将含致孔剂的低k介电层转化为具有气隙的多孔低k介电层。
原位介电常数加盖改良整合损坏抗性

[发明专利]用以降低超低k介电薄膜的黏着层厚度并提高抗破坏性的工艺-CN201180053880.3无效
发明人： M·查布拉;K·S·伊姆;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供了一种改良的方法用于沉积超低介电常数薄膜堆栈。本发明实施例藉由降低超低介电薄膜堆栈中的氧化物黏着层厚度而将来自沉积超低介电常数薄膜堆栈的最初阶段的k(介电常数)影响最小化，因而将薄膜堆栈的厚度非均匀性降低至小于2%。所述改良的工艺以较低的沉积速率与较低的等离子体密度以及较高的总流速，在超低介电薄膜堆栈中沉积氧化物黏着层与块层，从而在薄膜沉积期间产生共沉积物质的较佳封装/排序，所述较佳封装/排序导致较高机械强度与较低孔隙率。
用以降低薄膜黏着厚度提高破坏性工艺

[发明专利]藉由等离子体增强化学气相沉积使用含有具有机官能基的硅的杂化前驱物所形成的超低介电材料-CN201180010481.9无效
发明人： K·S·伊姆;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-02-16 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：提供一种在衬底上沉积低介电常数层的方法。在一个实施例中，所述方法包括将一种或更多种有机硅化合物引进腔室，其中所述一种或更多种有机硅化合物包含硅原子和成孔剂成分；在存在射频功率的情况下，使所述一种或更多种有机硅化合物反应而在腔室内的衬底上沉积低介电常数层；以及后处理低介电常数层，以从低介电常数层基本移除成孔剂成分。可选地，将惰性载气、氧化气体或惰性载气与氧化气体伴随所述一种或更多种有机硅化合物引进处理腔室。后处理工艺可以是紫外线辐射固化沉积材料。紫外线固化工艺可与热或电子束固化工艺同时或按顺序进行。所述低介电常数层具有良好的机械性质和预期的介电常数。
藉由等离子体增强化学沉积使用含有有机官能前驱形成超低介电材料

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