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[发明专利]等离子体反应室-CN03147485.3无效
发明人：梁忠棋;张昭升;黄木上;彭顺煌 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-07-14 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体反应室，其包含有一下电极以及一环形体，该下电极设于该等离子体反应室的底侧，且该下电极的上表面用来承载一基板，以进行一等离子体反应于该基板上，而该环形体以可移动的方式套合于该下电极的周围，其中当该下电极承载该基板以进行该等离子体反应时，该环形体移动至该下电极的上方，以将该等离子体反应的等离子体离子集中于该基板之上。
等离子体反应

[发明专利]具有辅助反应室的等离子体室-CN202280019113.9在审
发明人： G·S·莱纳德三世;S·A·麦克勒兰德;J·J·雷哈根;具宰模 -专利权人：雷卡邦股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01J19/12 文献下载
摘要：一种等离子体反应系统，包括等离子体室和辅助反应室。等离子体室包括用于将反应气体引入等离子体室的等离子体室入口、形成内部空间的等离子体室壁、在等离子体室内产生的等离子体、用于将能量导向在等离子体室内产生的等离子体的波导件、以及用于从等离子体室运送第一出口气体的等离子体室出口，其中反应气体之间的化学反应可以在该内部空间中发生。辅助反应室包括配置成从等离子体室获得第一出口气体的辅助反应室入口、形成辅助反应室的内部空间的辅助反应室壁、以及用于从辅助反应室运送第二出口气体的辅助反应室出口，其中出口气体之间的第二化学反应可以在该内部空间中发生
具有辅助反应等离子体

[发明专利]等离子体洗手仪-CN202111626617.0在审
发明人：陈支通 -专利权人：深圳高性能医疗器械国家研究院有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： A47K7/04 文献下载
摘要：本公开涉及等离子体洗手仪，包括控制单元、感应装置、蓄水室、等离子体反应室、等离子液存储室，蓄水室与等离子体反应室之间连通，且蓄水室与等离子体反应室之间设有雾化装置，雾化装置用于将从蓄水室运输至等离子体反应室的液体汽化成气体，等离子体反应室与等离子液存储室连通，等离子体反应室设有等离子产生装置，等离子产生装置用于电离气体以获取等离子体液。本等离子体洗手仪可用于手部消毒。其可以放置在家里、办公室、大楼入口、医院、实验室等地方。而且由于等离子体液的作用，该洗手仪还具有治疗伤口、皮肤病等功效。
等离子体洗手

[发明专利]预载等离子体反应器设备及其应用-CN200310123278.X无效
发明人：理查德·怀斯;马克·C·哈基;西德哈撒·潘达;博米·A·陈 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-12-22 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种预载的等离子体基加工系统，其包括预反应等离子体加工室、与预反应等离子体加工室可操作地连接的能源和与预反应等离子体加工室流体连通的晶片等离子体加工室。预反应等离子体加工室的结构设置成使反应试剂物质发生等离子体基化学反应，形成反应性自由基。晶片等离子体加工室的结构设置成使反应性自由基与放置在晶片等离子体加工室内的晶片表面上的物质反应。其它实施方案包括在等离子体环境中加工晶片的方法及预载反应性气体流以防止晶片掩模或停蚀层腐蚀的方法。
等离子体反应器设备及其应用

[发明专利]调控等离子体反应腔室环境的方法-CN201310752645.6在审
发明人：罗巍;符雅丽;陈永远 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控等离子体反应腔室环境的方法，包括：在晶圆进入等离子体反应腔室前，在等离子体反应腔室的内壁和位于等离子体反应腔室内部的基片台的表面制备富碳材料涂层；在晶圆在等离子体反应腔室中完成等离子体加工处理并离开等离子体反应腔室后，向等离子体反应腔室中通入第一清洗气体，去除等离子体加工处理过程中吸附在富碳材料涂层表面的反应产物；向等离子体反应腔室中通入第二清洗气体，去除等离子体反应腔室的内壁和基片台表面的富碳材料涂层，使等离子体反应腔室恢复到清洁状态
调控等离子体反应环境方法

[发明专利]热等离子体和非热等离子体活化水反应器系统-CN201580067926.5有效
发明人： A·J·M·裴姆恩;W·F·L·M·赫本;P·P·范欧亦吉;P·H·M·伦德斯 -专利权人：维泰弗德有限公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本发明提供了一种热等离子体和非热等离子体活化水反应器系统，该系统包含反应室和等离子体活化水储库，其中反应室包含气体进口、水进口、气体和水出口、接地电极和反应电极，其中水进口和水出口设置成当水流过反应室时在反应室中产生水涡流，反应电极包含热等离子体电极和非热等离子体电极，其中等离子体活化水储库设置成从反应室接收等离子体活化水，并设置成将等离子体活化水返回到反应室。
等离子体活化反应器系统

[发明专利]等离子体分布监测装置及方法-CN202010831196.4在审
发明人：杨宏旭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种等离子体分布监测装置及方法。等离子体分布监测装置包括：电压可调电源和多个等离子体探针，多个等离子体探针对称地分布在等离子刻蚀机反应室的外周；等离子体探针包括工作端和检测端；电压可调电源连接等离子体探针的检测端，用于给等离子体探针施加可变电压；等离子体探针的工作端伸入等离子刻蚀机的反应室中，用于探测反应室中的等离子体。本申请提供的等离子体分布监测装置及方法，通过多个等离子体探针在各个位置，对称地探测反应室中的等离子体，能够多方位判断等离子体在反应室中的分布情况，为判断等离子体分布均匀性的判断提供依据。
等离子体分布监测装置方法

[发明专利]用于加工系统的材料和气体化学组成-CN00818379.1无效
发明人： A·D·拜利三世;A·M·舍普;D·J·赫姆克尔;M·H·维尔科克森 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2000-11-14 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于加工衬底的等离子体加工系统。该等离子体加工系统包括单一的腔室,即基本水平对称的等离子体加工腔室,其中点燃并保持等离子体用于加工。该等离子体加工腔室没有单独的等离子体发生腔室。该等离子体加工腔室具有上端和下端。该等离子体加工腔室包含基本不与送入该等离子体加工腔室的反应性气体化学物质反应的材料。此外,本发明公开了流入所述等离子体加工腔室的反应物气体。
用于加工系统材料气体化学组成

[发明专利]等离子体反应室的干式清洁方法-CN02157104.X有效
发明人：郑朝云;郭行健;庄智强;吴淑芬 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2002-12-12 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： B08B9/00 文献下载
摘要：一种等离子体反应室的干式清洁方法，适用于金属蚀刻工艺。首先，将一具有一金属层的基底置入一等离子体反应室。接着，蚀刻基底上的金属层。最后，自等离子体反应室移出基底并实施一干式清洗程序。其首先，借由氧气形成的等离子体清洁等离子体反应室内壁。随后，借由氯气及氯化硼气体形成的等离子体清洁等离子体反应室的上电极及下电极。再以氟化硫气体及氧气形成的等离子体清洁等离子体反应室内壁。最后，于等离子体反应室通入及抽取作为迫除气体的氧气及氦气。
等离子体反应清洁方法

[实用新型]微波等离子体辅助原子层沉积设备-CN202221851674.9有效
发明人：王东君;陈宇林;郭敏 -专利权人：英作纳米科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波等离子体辅助原子层沉积设备，包括：微波等离子体发生器、等离子体扩散腔、真空反应室和反应源接口。微波等离子体发生器含有等离子体快速发生装置。微波等离子体发生器通过等离子体扩散腔与真空反应室相连通。等离子体扩散腔与真空反应室通过开合装置连接，通过该开合装置，可以方便样品取放样。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备，能够提供微波辐照，提高等离子体的能量和密度，为原子层沉积的提供合适的能量，降低反应温度。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备含有等离子体快速发生装置以及等离子体反应气体特殊脉冲进入模式，可以实现毫秒级的等离子体脉冲，大大缩短反应时间。
微波等离子体辅助原子沉积设备

[发明专利]等离子体反应器-CN201210392266.6有效
发明人： G.P.奈特;A.钱伯斯 -专利权人：爱德华兹有限公司
申请日： 2008-07-14 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子体反应器包括反应室和连接到反应室的入口头。入口头包括连接到反应室的开口端，位于与开口端相对的等离子体入口，从开口端向等离子体入口逐渐变小的内表面，和各自位于等离子体入口和开口端之间的第一和第二气体入口。等离子炬通过等离子体入口将等离子体物流注入到反应室中，所述等离子体入口被成形为使得等离子体物流朝着第一和第二气体入口向外散布。入口头和等离子体入口的这种成形能够使得等离子体物流可以撞击到气体物流上，当它们从气体入口离开时，并且由此引起相当大比例的气体物流的至少一种组分在气体物流开始在室内混合前进行反应。
等离子体反应器

[发明专利]等离子体反应器-CN200880025328.1有效
发明人： G·P·奈特;A·钱伯斯 -专利权人：爱德华兹有限公司
申请日： 2008-07-14 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子体反应器包括反应室和连接到反应室的入口头。入口头包括连接到反应室的开口端，位于与开口端相对的等离子体入口，从开口端向等离子体入口逐渐变小的内表面，和各自位于等离子体入口和开口端之间的第一和第二气体入口。等离子炬通过等离子体入口将等离子体物流注入到反应室中，所述等离子体入口被成形为使得等离子体物流朝着第一和第二气体入口向外散布。入口头和等离子体入口的这种成形能够使得等离子体物流可以撞击到气体物流上，当它们从气体入口离开时，并且由此引起相当大比例的气体物流的至少一种组分在气体物流开始在室内混合前进行反应。
等离子体反应器

[发明专利]等离子体沉积-CN201080017095.8有效
发明人：盖·詹姆斯·雷诺兹;康纳·尼古拉斯·马丁;彼得·格洛瓦茨基;玛丽-皮埃尔·弗朗索瓦兹·温特伯特埃普富凯;萨蒂亚纳拉扬·巴利克;帕特里克·坡-曾·陈 -专利权人：盖利姆企业私人有限公司
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：一种用于在基片上沉积第Ⅲ族金属氮化物薄膜的装置，装置包含从氮源产生氮等离子体的等离子体发生器，反应室，在所述反应室中使包含第Ⅲ族金属的反应物和来自于氮等离子体的活性氮物种反应以在基片上沉积第Ⅲ族金属氮化物，便于氮等离子体从等离子体发生器进入反应室的通过的等离子体入口，和具有有一个或多个供氮等离子体通过的流动通道的挡板。挡板位于等离子体的入口和基片之间，并且防止等离子体入口和基片之间的氮等离子体的直线通过。
等离子体沉积

[发明专利]清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体-CN201811107929.9有效
发明人：赖诚忠;陈舜钦;陈世芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文公开一种干式清洁沉积反应腔室的方法、干式清洁系统以及非暂态电脑可读取媒体。在一些实施例中，清洁沉积反应腔室的方法包括：进行等离子体辅助清洁工艺，以清洁在沉积反应腔室的内表面所形成的管道沉积物，其中等离子体辅助清洁工艺包括：将第一反应气体提供到远端等离子体源以产生等离子体，其中等离子体包括含氟自由基；将等离子体从远端等离子体源提供到沉积反应腔室，以清洁管道沉积物；以及在进行等离子体辅助清洁工艺后，通过将第二反应气体提供到沉积反应腔室，以进行化学清洁工艺。
清洁方法系统非暂态电脑读取媒体

[发明专利]使用磁场的等离子体处理设备和等离子体控制方法-CN202310335469.X在审
发明人：孙德铉;李东穆;金炯俊 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种使用磁场的等离子体处理设备，所述等离子体处理设备包括：反应室；等离子体产生装置，所述等离子体产生装置连接到所述反应室以在所述反应室中产生等离子体；衬底支撑件，所述衬底支撑件设置在所述反应室的下部以支撑待由所述等离子体蚀刻的晶片；以及磁性模块，所述磁性模块包括竖直地设置在所述反应室上方的永磁体和电磁体，以及连接到所述电磁体以向所述电磁体输入功率的DC电源单元。
使用磁场等离子体处理设备控制方法

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