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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]执行等离子体化学气相沉积的装置和制造光学预制件的方法-CN200810125813.8有效
发明人： M·J·N·范斯特拉伦;I·米利克维克;J·A·哈特苏伊克 -专利权人：德雷卡通信技术公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于执行等离子体化学气相沉积的装置，依靠该装置，一层或多层掺杂或未掺杂的氧化硅沉积到细长的中空玻璃衬底管的内部。本发明进一步涉及通过等离子体化学气相沉积来制造光学预制件的方法，其中使掺杂或未掺杂的玻璃成形气体通过细长玻璃衬底管的内部，同时在衬底管的内部建立使得玻璃层的沉积发生的条件。
执行等离子体化学沉积装置制造光学预制件方法

[发明专利]一种微波等离子体化学气相沉积装置-CN202010773735.3在审
发明人：任泽阳;张金风;张进成;苏凯;何琦;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括：波导装置，波导装置包括微波天线，微波天线包括进气管、水冷结构、天线下盘和分气盘，反应腔，设置在波导装置下方，与波导装置连接，天线下盘位于反应腔内部；旋转升降冷却机构本发明的微波等离子体化学气相沉积装置，可以为化学气相沉积工艺提供稳定的生长平台，避免了金刚石膜出现生长不均匀的现象。
一种微波等离子体化学沉积装置

[实用新型]一种微波等离子体化学气相沉积装置-CN202021593756.9有效
发明人：任泽阳;张金风;张进成;苏凯;何琦;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括：波导装置，波导装置包括微波天线，微波天线包括进气管、水冷结构、天线下盘和分气盘，反应腔，设置在波导装置下方，与波导装置连接，天线下盘位于反应腔内部；本实用新型的微波等离子体化学气相沉积装置，可以为化学气相沉积工艺提供稳定的生长平台，避免了金刚石膜出现生长不均匀的现象。
一种微波等离子体化学沉积装置

[发明专利]功能涂层及其制备方法和应用-CN202210957544.1在审
发明人：云洋;苏建华 -专利权人：深圳奥拦科技有限责任公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： B05D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种功能涂层及其制备方法和应用，其制备方法包括在蒸汽氛围中，采用等离子体放电进行化学气相沉积，以形成功能涂层；蒸汽的成分包括通式(I)所示化合物。通过在含有特定种类的蒸汽氛围中，采用等离子体放电进行化学气相沉积，使形成的功能涂层的防水、防腐蚀和耐低温性能均较好。
功能涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种氮磷共掺杂直立石墨烯及其制备方法、应用-CN202310482061.5在审
发明人：沈永龙;张公开;武智恒;邵国胜 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明的氮磷共掺杂直立石墨烯的制备方法，包括以下步骤：通过高通量等离子体增强化学气相沉积在衬底上沉积直立石墨烯；在沉积直立石墨烯时，同步通入气态氮源作为反应气体，并同步在等离子束流中放置单质磷源。本发明的氮磷共掺杂直立石墨烯的制备方法，利用高通量等离子体增强化学气相沉积技术，在沉积直立石墨烯的过程中引入固态单质磷源和气态氮源，在高密度等离子体作用下通过一步法制备得到氮磷共掺直立石墨烯，避免多步法繁琐过程
一种氮磷共掺杂直立石墨及其制备方法应用

[发明专利]等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法-CN201510698730.8在审
发明人：魏大程;李科;夏冬云;李孟林;蔡智;刘冬华;亓国强;曹敏 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-10-24 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明属于石墨烯制备技术领域，具体为一种等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法。本发明以固态碳为碳源，利用等离子增强化学气相沉积法生长石墨烯，其步骤为：（1）将衬底和活化后的固态碳置入等离子体增强化学气相沉积设备中的不同温区，抽真空；（2）将衬底和活化后的固态碳所在温区分别加热到相应温度，并通入气体；（3）打开等离子体发生器，生长石墨烯；（4）关闭加热电源，继续通入气体，快速冷却到室温，在衬底表面均匀生长出石墨烯。
等离子体增强化学沉积制备石墨方法

[发明专利]一种含氢类金刚石膜的制备方法-CN201010582867.4有效
发明人：王辅明;张玲;崔万国;黎琼钰 -专利权人：厦门大学
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：涉及类金刚石膜，提供一种含氢类金刚石膜的制备方法，包括以下步骤：将衬底正面正对着源电极放入等离子体增强型化学气相沉积生长腔体内，用等离子体溅射清洗等离子体增强型化学气相沉积生长腔体以及衬底表面；将腔体抽真空通过在生长腔体中将衬底相对于源电极反向平行放置后，并调整衬底与源电极距离，改变工作压强和射频功率的等离子体增强型化学气相沉积法可实现更大范围的调制类金刚石膜的光学带隙并能够显著提高其生长速率，满足其未来的应用需求
一种含氢类金刚石制备方法

[发明专利]一种硅粉的制备设备-CN201310220878.1有效
发明人：林朝晖;庄辉虎 -专利权人：福建省辉锐材料科技有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：本发明适用于化学合成技术领域，提供了一种硅粉的制备设备，所述设备包括反应腔室、射频电源、抽真空系统、喷淋电极及传送带衬底机构。本发明采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备，借助射频装置使带含硅气体局部形成等离子体，利用等离子体化学活性强的特点，使得硅原子基团分解而沉积在衬底上形成团簇进而结成粉末，产量大、得到的硅粉质量高
一种制备设备

[发明专利]一种超疏水纸及其制备方法-CN201710816908.3有效
发明人：陈庆;司文彬 -专利权人：邱禹
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： D21H25/02 文献下载
摘要：本发明涉及功能纸技术领域，特别是涉及一种超疏水纸及其制备方法，所述超疏水纸的制备方法，包括以下步骤：（1）对纸张进行羟基化改性；（2）采用等离子刻蚀法对纸张进行刻蚀；（3）以Ar为气源对纸张进行等离子体预处理；（4）采用等离子体化学气相沉积法在纸张表面沉积超疏水薄膜。本发明采用等离子刻蚀法对纸张进行刻蚀能够在纸张表面上制备微结构，增加纸张的比表面积，使纸张的粗糙增加，使纸张得表面难以被水浸润，有利于提高接触角，进行氟改性,通过等离子体化学气相沉积法在纸张表面沉积含氟的超疏水薄膜
一种疏水及其制备方法

[发明专利]一种用于化学气相沉积的装置以及化学气相沉积方法-CN201710512331.7有效
发明人：刘凤举 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C23C16/452 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于化学气相沉积的装置以及化学气相沉积方法，该装置包括：第一电离室，用于将第一反应气体电离，生成第一等离子体；第二电离室，用于将第二反应气体电离，生成第二等离子体；反应室，与所述第一电离室和第二电离室连接，用于接收第一等离子体和第二等离子体，及用于承载待加工器件。因为在待加工器件表面沉积薄膜的速率并不会受到传统的多种电磁场效应，例如，电势驻波效应、趋肤效应等因素的影响而导致成膜速率不相同，所以待加工器件表面成膜的均匀程度提高。
一种用于化学沉积装置以及方法

[发明专利]一种多元硬质膜及其制备工艺-CN202110452231.6在审
发明人：潘振强;朱惠钦;潘又铭;施华锋 -专利权人：广东振华科技股份有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明属于硬质膜产品技术领域，具体多元硬质膜及其制备工艺，该多元硬质膜的制备工艺的具体步骤是：选用不锈钢基片；对不锈钢基片表面进行轰击处理；溅射沉积第一膜层Cr层；溅射生成第二膜层CrN层；生成第三膜层该多元硬质膜的制备工艺有效的结合了磁控溅射和等离子体辅助化学气相沉积工艺，从而极大的改善和提高硬质膜结合力和硬膜性能。此外，制备的硬质膜为Cr/CrN/CrSiN/CrSiCN的多元结构，Si硅元素的掺杂采用的是具有一定饱和蒸气压的有机硅的前驱体，在等离子体辉光放电作用下发生裂解反应，实现Si硅元素在硬质膜中的等离子体辅助化学气相沉积工艺的制备和多元硬质膜中的掺杂
一种多元质膜及其制备工艺

[发明专利]改善沉积的介电膜上的显影后光刻胶外形的方法-CN200480029963.9无效
发明人：吹上纪明;凯瑟琳娜·巴比彻 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国际商业机器公司
申请日： 2004-10-15 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于改善沉积的介电膜上的显影后光刻胶外形的方法和装置。该方法包括利用等离子体增强化学气相沉积工艺在衬底上沉积具有可调节光学和抗刻蚀性质的TERA膜，并利用等离子体工艺后处理TERA膜。该装置包括室和用于提供多种前驱体和处理气体的喷淋头，其中室具有耦合到第一RF源的上电极和耦合到第二RF源的衬底夹持器。
改善沉积介电膜上显影光刻外形方法

[发明专利]一种垂直结构粗化方法-CN201711475429.6在审
发明人：单志远;陈党盛;王亚洲 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构粗化方法，包括：在露出的GaN层表面施加等离子体处理工艺，并在GaN层表面形成一氧化层；对GaN层进行粗化处理。等离子体处理工艺包括：通过等离子体增强化学气相沉积法向GaN层表面通一定量的O2。本发明利用PECVD在GaN表面处理用来抑制KOH腐蚀使晶胞受损较小，解决过粗化及粗化不均等问题，提高芯片性能。
粗化等离子体处理垂直结构等离子体增强化学气相沉积法表面施加表面形成粗化处理氧化层晶胞腐蚀芯片受损

[发明专利]低湿蚀刻速率的氮化硅膜-CN200880121406.8无效
发明人：赫门特·P·芒吉卡;吴璟;杨·S·李;王安川 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明是关于利用高密度等离子体化学气相沉积技术，在基板温度低于600℃下沉积低湿蚀刻速率氮化硅膜至基板上的方法。该方法还包括维持等离子体中的氮与硅呈高比例及维持低处理压力。
低湿蚀刻速率氮化

[发明专利]一种类金刚石碳膜制造方法和用其制造的带包覆膜的部件-CN200510047679.0无效
发明人：蔺增;巴德纯 -专利权人：东北大学
申请日： 2005-11-11 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种射频等离子体增强化学气相沉积方法，先在基底上沉积一层金属层，依次在金属层上沉积其氮化物层或者碳化物层，再在氮化物或者碳化物层上沉积类金刚石碳膜。本发明相应地提出了一种实施射频等离子体增强化学气相沉积方法的装置，该装置安装有至少一个金属溅射源，并把真空室分为等离子体生成室和等离子体处理室两个相连通的空间。在等离子体处理室内安有一对大面积的电极板，以确保镀层的均匀性和各向同性。通过调节电压、电流和真空室内Ar、N₂和含碳气体组分，可沉积高附着力的类金刚石碳膜。
种类金刚石制造方法带包覆膜部件

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