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- [发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201410014510.4在审
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居建华;张帅
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2014-01-13
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2015-07-15
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H01L21/8244
- 该方法包括：S101：形成鳍型结构；S102：通过离子注入形成阱区，采用标准阈值电压离子注入条件调整SRAM单元的上拉晶体管和传输门晶体管的阈值电压、低阈值电压离子注入条件调整下拉晶体管的阈值电压；S103：形成晶体管的栅极；S104：采用P型高阈值电压离子注入条件对上拉晶体管进行离子注入，采用N型标准阈值电压离子注入条件对传输门晶体管进行离子注入，采用N型低阈值电压离子注入条件对下拉晶体管进行离子注入。该方法通过对上拉晶体管、传输门晶体管和下拉晶体管分别采用高阈值电压、标准阈值电压以及低阈值电压离子注入条件进行离子注入，提高了SRAM单元的性能和SRAM阵列良率的工艺窗口。
- 一种半导体器件制造方法
- [发明专利]离子注入装置-CN201610831654.8有效
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二宫史郎;冈本泰治;越智昭浩;上野勇介
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住友重机械离子技术有限公司
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2016-09-19
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2019-08-20
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H01J37/20
- 本发明提供一种兼顾离子注入处理的生产率与晶片面内的不均匀注入精度的离子注入装置。本发明的离子注入装置(10)对同一晶片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序。多个离子注入工序中，(a)以晶片的扭转角互不相同的方式设定各注入条件，(b)构成为对在往复运动方向上运动的晶片处理面照射往复扫描的离子束，并且(c)对应于晶片的往复运动方向的位置，以可改变照射到晶片处理面的离子束的射束电流密度分布的目标值的方式设定各注入条件控制装置在对同一晶片连续执行多个离子注入工序之前，执行设置工序，该设置工序中，统一确定作为多个离子注入工序的各注入条件而设定的与射束电流密度分布的多个目标值对应的多个扫描参数。
- 离子注入装置
- [发明专利]一种监控Ge离子注入质量的方法-CN201710146467.0有效
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王梦慧;张立;赖朝荣
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上海华力微电子有限公司
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2017-03-13
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2020-08-25
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H01L21/265
- 本发明公开了一种监控Ge离子注入质量的方法，首先提供一测试样本，其次选择与被监控Ge离子相同原子质量的As离子代替Ge离子,保持其余注入条件不变，对测试样本进行离子注入，然后待高温退火后，量测离子注入层的方块电阻，根据方块电阻的量测值结果，对与被监控Ge离子相同原子质量的As离子注入质量进行判断，等效于对被监控Ge离子注入质量进行判断。由于原子质量相同，导致其在离子注入机中通过磁场分析仪路径和加速路径也相同，从而，在其余注入条件相同的时候，离子注入的深度和角度也应该等同。因此，可以采用监控灵敏度更高的Rs监控方法对Ge离子注入质量进行监控，满足先进工艺对Ge离子注入质量的监测需求。
- 一种监控ge离子注入质量方法
- [发明专利]一种检测离子注入设备的方法-CN200710042412.1有效
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许世勋;毕健
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2007-06-22
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2008-12-24
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H01L21/00
- 本发明提供了一种检测离子注入设备的方法。现有技术通过测量在离子注入设备中进行离子注入并退火后的测试晶圆的方块电阻来检测离子注入设备，存在着检测不准的问题。本发明的检测方法先建立一标准注入参数及其对应的氧化层厚度的数据库，其中，该氧化层是在完成标准参数的离子注入后，再进行一预设氧化条件的氧化所生成的；然后在待测离子注入设备中对测试晶圆进行标称注入参数的离子注入；接着对该测试晶圆进行该预设氧化条件的氧化；然后测量所生成的氧化层的厚度并在数据库中查询其所对应的标准注入参数；最后依据查询出的标准注入参数与标称注入参数判断该离子注入设备是否正常。采用本发明的方法可准确检测出离子注入设备是否正常。
- 一种检测离子注入设备方法
- [发明专利]离子注入方法及离子注入机-CN201110386245.9有效
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沈政辉
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汉辰科技股份有限公司
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2011-11-17
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2012-05-30
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H01J37/317
- 本发明提供了一应用离子束截面特征分析仪的一离子注入方法及一离子注入机。该方法包含设定扫描条件、侦测离子束截面特征、依据侦测得到的离子束截面特征计算出离子注入剂分布以及扫描条件、测定位移距离用以进行离子注入，以及将离子簇注入在晶圆表面。该离子注入机运用了离子束截面特征分析仪来侦测离子束截面特征、计算离子注入剂分布以及测定位移距离，以及将位移距离应用在离子注入上使注入达到最佳化，其中该离子束截面特征分析仪包含了具有离子通道的主体，以及侦测单元配置在离子流道后方的侦测单元，用以侦测离子截面特征。该离子束截面特征分析仪可以是一维、二维或者斜角离子束截面特征分析仪。
- 离子注入方法
- [发明专利]批处理式离子注入方法-CN202110719090.X在审
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施志明;李文军;孙建军
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2021-06-28
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2021-10-22
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H01L21/265
- 本申请公开了一种批处理式离子注入方法，涉及半导体制造领域。该方法包括将晶圆传送至批处理离子注入机的工艺腔内，晶圆表面涂布有光刻胶；对晶圆进行第一步离子注入，令光刻胶释放气体且工艺腔内的气压在预定范围内；当批处理离子注入机的工艺腔内的气压满足气压稳定条件时，对晶圆进行第二步离子注入；第一步离子注入时的束流小于第二步离子注入时的束流，第一步离子注入时的注入剂量小于第二步离子注入时的注入剂量，第一步离子注入的注入剂量与第二步离子注入的注入剂量之和等于目标剂量；解决了目前批处理离子注入机台在单道注入时容易出现多次注入中断，影响产能、增加产品缺陷风险的问题；达到了减少离子注入时间，改善颗粒缺陷的效果。
- 批处理离子注入方法
- [发明专利]离子注入跑片方法和离子注入跑片系统-CN201710183422.0有效
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钱锋;宋银海;贾银海;姚飞;埃尔詹·马兹
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东莞帕萨电子装备有限公司
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2017-03-24
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2019-07-23
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H01L31/18
- 本发明公开一种离子注入跑片方法，包括以下步骤：A)将多个硅片排列放入硅片托盘上。B)多个载有硅片的硅片托盘同时由多个输送带装置输送至缓冲区。C)硅片托盘上的硅片经过离子注入设备注入其中一种离子后输送到切换区。D)切换区内还设有隔板孔切换装置。E)硅片托盘反向输送至离子注入设备的位置时，离子注入设备将另一种离子注入硅片托盘上的硅片上。F)硅片托盘上的硅片注入两种离子后，输送回缓冲区完成离子注入。本发明离子注入的条件只需要在硅片托盘进出的真空度一致即可实现；该方法采用离子扩散的方式无法实现；本方法采用离子注入的方式，控制单种类型的离子逐一注入硅片上，可以通过调节离子注入设备的离子注入的种类，能量和注入剂量，使离子注入的效果更佳，制作成本更低。
- 离子注入方法系统
- [发明专利]离子注入角度偏移监控方法及监控系统-CN201911162920.2在审
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陈娜;时锋;章开
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上海华力微电子有限公司
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2019-11-25
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2020-02-28
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H01L21/66
- 本发明公开了一种用于离子注入机注入角度监控的离子注入角度偏移监控方法，包括以第一注入角度向高精度硅片进行离子注入；测量在第一注入角度条件下，该高精度硅片的热波值；将步骤S2中测得的热波值与第一注入角度对应的热波值阈值比较；若测得热波值大于等于热波值阈值，则进行离子注入机注入角度校准；若测得热波值小于热波值阈值，则离子注入机继续生产作业。本发明还公开了一种用于离子注入机注入角度监控的离子注入角度偏移监控系统。本发明基于高精度硅片的热波值与离子注入角度的特殊关系，能精准监控高能离子注入机的离子注入角度，并及时发现离子注入机注入角度偏移，保障产品的良率，提高产品质量。
- 离子注入角度偏移监控方法系统
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