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[发明专利]一种碳化硅纳米线增强高取向石墨复合材料及制备方法-CN201910198213.2在审
发明人：史忠旗;张晓钰;谢文琦;张哲健;魏智磊;葛邦治;夏鸿雁 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C04B35/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅纳米线增强高取向石墨复合材料及制备方法，在其表面生长一层均匀的碳化硅纳米线作为增强相，均匀分布在石墨片层间，形成碳化硅纳米线增强定向排列的石墨片层的各向异性结构；工艺上先以硅粉和片状石墨为原料通过熔盐法制备出碳化硅纳米线包覆片状石墨的粉体，然后预压成型后于1600～2000℃进行放电等离子体烧结，烧结过程中施加的轴向压力，使包覆碳化硅纳米线的石墨片层定向排布，烧结后形成的均匀三维陶瓷骨架，可显著提高石墨基体的强度，并约束石墨的热膨胀，从而形成致密、高强、沿片层方向高热导率、垂直片层方向低热膨胀的各向异性复合材料，其优异的综合性能，将在电子器件、发热部件的传热、散热等方面具有广泛的应用前景。
碳化硅纳米线石墨片层石墨复合材料片状石墨包覆取向制备热膨胀放电等离子体烧结各向异性复合材料各向异性结构致密表面生长低热膨胀电子器件定向排布定向排列发热部件高热导率烧结过程石墨基体陶瓷骨架预压成型轴向压力综合性能传热烧结垂直片增强相散热石墨粉体硅粉片层熔盐三维施加应用

[发明专利]黄铜与碳化硅陶瓷复合件及其制造方法-CN201010587320.3无效
发明人：张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;胡文峰 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明提供一种黄铜与碳化硅陶瓷的制造方法，该方法主要包括在热压烧结炉中通过施加钛箔和镍箔作为连接介质层，实现黄铜与碳化硅陶瓷的固相扩散连接。本发明还提供一种由上述制造方法制得的黄铜与碳化硅陶瓷的复合件。黄铜与碳化硅通过上述制造方法连接具有较高的结合力。
黄铜碳化硅陶瓷复合及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅-硼化铬复合陶瓷材料及其制备方法-CN201610124273.6有效
发明人：刘佩佩 -专利权人：江苏三锐研磨科技有限公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅‑硼化铬复合陶瓷材料及其制备方法，所述碳化硅‑硼化铬复合陶瓷材料，由以下按照物质的量份数的原料组成：碳化铬粉38‑45份、碳化硼粉27‑32份、硅粉105‑115份、碳化锝粉末2‑本发明制备的碳化硅‑硼化铬复合陶瓷材料，致密性及抗弯强度均表现良好，且烧结温度较低，因此在较低的温度下就能制备致密性良好的碳化硅陶瓷，降低了碳化硅陶瓷的制作成本，另外本发明制备的碳化硅‑硼化铬复合陶瓷材料具有良好的导电性，有利于拓展碳化硅陶瓷的应用范围。
一种碳化硅硼化铬复合陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]具有复合式背镀反射层的发光二极管-CN201711322148.7有效
发明人：潘群峰;谢颖;王强;何玉华 -专利权人：集美大学
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有复合式背镀反射层的发光二极管。通过在蓝宝石衬底与银反射层之间插入一碳化硅层，以解决二者无法黏附之问题并形成含银反射镜结构。碳化硅与银互相黏附性佳，且相较于氮化镓，不需要通过高温退火合金化增强黏附，同时碳化硅对于可见光波段也具极高透明度，所以采用碳化硅层作为黏附层可以很好的构造具备高反射率的含银背镀反射镜结构。
具有复合式背镀反射层发光二极管

[发明专利]碳化硅复合陶瓷的制备方法、其制得的碳化硅复合陶瓷和应用以及陶瓷制品-CN201811267257.8在审
发明人：甄风磊;李兆敏;张玉军;翟彦霞;刘欢 -专利权人：山东宝纳新材料有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅复合陶瓷的制备方法、其制得的碳化硅复合陶瓷和应用以及陶瓷制品，涉及碳化硅陶瓷制备技术领域。碳化硅复合陶瓷的制备方法包括以下步骤：将混合原料浆料经喷雾造粒得到的粉体进行干压成型得到碳化硅复合陶瓷坯体，坯体在真空气氛下2000‑2100℃烧结1‑3h，得到碳化硅复合陶瓷；混合原料浆料是混合原料加水研磨后得到的，混合原料包括质量百分比的如下组分：碳化硅60‑85％、二硼化钛1‑6％、碳化硼0.5‑5％和粘结剂10‑30％。本发明制得的碳化硅复合陶瓷具有高强度、高硬度和高断裂韧性的优点，可广泛应用于机械、化工、能源和军工等领域，工艺简单、成本低，自动化程度高，易于实现工业化生产。
碳化硅复合陶瓷混合原料制备陶瓷制品浆料应用制备技术领域高断裂韧性碳化硅陶瓷质量百分比二硼化钛干压成型喷雾造粒陶瓷坯体真空气氛高硬度碳化硅碳化硼粘结剂烧结研磨粉体加水坯体军工自动化能源

[发明专利]碳化硅缓冲层电阻率的测试方法-CN201911101363.3在审
发明人：赵丽霞;杨龙;吴会旺 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明适用于碳化硅外延生长技术领域，提供了一种碳化硅缓冲层电阻率的测试方法，该方法包括：在碳化硅衬底上的预设位置测量碳化硅衬底的厚度，获得第一厚度；在与预设位置一致的位置分别测量碳化硅片的厚度以及碳化硅片的电阻，获得第二厚度以及方块电阻，碳化硅片为在碳化硅衬底上生长缓冲层获得的样品；根据碳化硅衬底的厚度、碳化硅片的厚度以及方块电阻，计算获得缓冲层的电阻率，从而可以快速、准确地获得缓冲层的电阻率，本实施例采用的碳化硅缓冲层电阻率的测试方法具有无损
碳化硅缓冲层碳化硅片电阻率衬底方块电阻预设位置测量碳化硅外延测试生长电阻无损

[发明专利]低成本制备基于连续C与SiC束间混杂纤维增强碳化硅复合材料的方法及其产品-CN202011184548.8在审
发明人：王春齐 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本制备基于连续C与SiC束间混杂纤维增强碳化硅复合材料的方法及其产品，包括以下步骤：将碳纤维和碳化硅纤维进行束间混杂；接着将束间混杂纤维表面制备涂层，得到含涂层的束间混杂纤维；将含涂层的束间混杂纤维进行预制体的编织，得到束间混杂纤维预制体；将束间混杂纤维预制体进行PIP法预致密化，得到多孔的混杂纤维增强碳化硅复合材料并对其进行机械加工，得到加工后的多孔的混杂纤维增强碳化硅复合材料；将加工后的多孔的混杂纤维增强碳化硅复合材料进行渗硅致密化，得到致密化的连续混杂纤维增强碳化硅复合材料；对致密化的连续混杂纤维增强碳化硅复合材料上制备抗氧化涂层，得到连续C+SiC束间混杂纤维增强碳化硅复合材料。
低成本制备基于连续 sic 混杂纤维增强碳化硅复合材料方法及其产品

[发明专利]一种纤维增强碳-碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法-CN201811282538.0有效
发明人：杨冰洋;王鹏;金鑫;宋环君;于艺;左红军;霍鹏飞;于新民;刘俊鹏;裴雨辰 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种纤维增强碳‑碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。所述方法包括：(1)在纤维预制体的表面依次制备一层热解碳层和一层碳化硅层，制得改性纤维预制体；(2)用包含硅粉、酚醛树脂和有机溶剂的树脂溶液浸渍改性纤维预制体，然后将浸渍后的改性纤维预制体依次经过固化步骤和裂解步骤；(3)重复步骤(2)至少一次，制得纤维增强碳‑硅陶瓷基复合材料；(4)将纤维增强碳‑硅陶瓷基复合材料于1350～1550℃下进行高温处理0.5～2h，制得纤维增强碳‑碳化硅陶瓷基复合材料。本发明方法能实现硅和碳在复合材料中的均匀分布，原位反应生成碳化硅，能降低复合材料中游离硅含量低，提高复合材料的力学性能和抗烧蚀性能。
一种纤维增强碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]短沟道碳化硅功率MOSFETS及其制造方法-CN01820007.9有效
发明人：柳世衡;A·阿加瓦尔;M·K·达斯;L·A·利普金;J·W·帕尔穆尔;R·辛 -专利权人：克里公司
申请日： 2001-10-02 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供碳化硅金属－氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其制造方法。碳化硅MOSFET有n型碳化硅漂移层，在n型漂移层内包含有一定间隔的、其中又包含n型碳化硅区的p型碳化硅区，和氮化的氧化层。MOSFET还有n型短沟道，从相应的n型碳化硅区穿过p型碳化硅区延伸到n型碳化硅漂移层。在另一个实施例中，提供碳化硅MOSFET及其制造方法，MOSFET包括施加零栅偏压时为配置为自耗尽源区的一个区域，其处在n型碳化硅区和漂移层之间，与氧化层相邻。
沟道碳化硅功率 mosfets 及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅芯片封装结构-CN202210935220.8在审
发明人：王亮;代安琪;周扬;马慧远;陈巍 -专利权人：北京智慧能源研究院;国家电网有限公司;国网北京市电力公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及高压碳化硅芯片封装技术领域，具体涉及一种碳化硅芯片封装结构，包括：芯片本体，包括层叠设置的第一子芯片和第二子芯片，第一子芯片与第二子芯片之间设有芯片绝缘层，第一子芯片与第二子芯片之间串联，芯片导电件贯穿芯片绝缘层设置；印刷线路层，平行设于芯片本体的一侧，第一子芯片与印刷线路层之间连接有发射极引出端子；复合绝缘层，平行设于芯片本体背离印刷线路层的一侧，复合绝缘层朝向芯片本体的一面设有复合导电层，第二子芯片与复合导电层之间电气连接针对碳化硅芯片高绝缘、低感封装需求采用芯片绝缘板实现中低压碳化硅芯片的串联，串联后的芯片器件能够提高器件整体电压水平，从而实现利用现有低压芯片进行高压封装。
一种碳化硅芯片封装结构

[实用新型]碳化硅管与钢结构的密封结构-CN201020573536.X有效
发明人：周绍芳;孙贤刚 -专利权人：岳阳市巴陵节能炉窑工程有限公司
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： F16L5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅管与钢结构的密封结构。它是由复合管板与碳化硅空气管的端部采用密封钢套和内压紧环固定，且密封钢套套设在碳化硅空气管的端部，内压紧环设置在密封钢套和碳化硅空气管之间并顶在复合板管板的一侧；内压紧环的一侧重叠设置高温纤维盘根，每层纤维盘根之间用粘贴剂压实；最后一层高温纤维盘根外侧设置高温纤维纸垫并用粘贴剂密封；高温纤维纸垫外侧设置外压紧环，并且利用复合管板上的固定压紧螺栓紧固外压紧环。它具有解决膨胀问题：碳化硅管与其他材料组合使用时，在热膨胀不同的条件下不会互相制约，两者都可以自由膨胀；提高密封效果：使碳化硅管在对各种预热介质时不发生泄漏；提高碳化硅管的使用寿命的优点。
碳化硅钢结构密封结构

[发明专利]一种石墨烯/碳化硅复合材料及其制备方法-CN201810927678.2在审
发明人：李娜;赵大东;陈睿;张红梅;姜正义;彭兴东;苗岩;王明宇;王岳松;董燃;孔祥楠;王宇 -专利权人：辽宁科技大学
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明的目的是为了解决现有技术中制备石墨烯包覆碳化硅复合材料存在的问题，提供了一种石墨烯/碳化硅复合材料及其制备方法，属于石墨烯复合材料技术领域。本方法通过将适当尺寸的片层石墨与纳米碳化硅颗粒的粉末进行适当的混合，再添加乙醇和蒸馏水作为研磨介质和过程控制试剂，进行一定时间的充分球磨，制备获得具有石墨烯包覆碳化硅核壳结构的纳米复合材料。本发明不需要先制备石墨烯，在球磨条件下一步完成制备石墨烯/碳化硅复合材料。而且，本发明不使用任何危险的试剂，没有高温、高压过程。制得的产品具有更均匀的微观结构和各向同性的性能。
石墨烯制备碳化硅复合材料包覆蒸馏水纳米碳化硅颗粒石墨烯复合材料纳米复合材料高压过程过程控制核壳结构球磨条件微观结构研磨介质一步完成碳化硅石墨乙醇片层球磨

[发明专利]铝-碳化硅质复合体及其加工方法-CN200780015978.3有效
发明人：岩元豪;广津留秀树 -专利权人：电气化学工业株式会社
申请日： 2007-05-08 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明提供适合作为功率模块用底板等的铝-碳化硅质复合体。它是将以铝为主要成分的金属含浸至平板状的碳化硅质多孔体中而形成的铝-碳化硅质复合体，其特征在于，两主面具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层，对侧面部及孔部进行水喷射加工，使侧面不具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层
碳化硅复合体及其加工方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810215916.3有效
发明人：河野洋志;四户孝;太田千春;西尾让司 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体器件具备：设置在碳化硅基板上的第1导电类型的第1碳化硅层(2)；形成于第1碳化硅层(2)上的第2导电类型的第2碳化硅层(3)；在第2碳化硅层(3)的表面以预定的间隔相向地设置，具有同一浓度、同一深度的第1导电类型的第1和第2碳化硅区域(4、5)；贯通第1碳化硅区域(1)和第2碳化硅层(3)，到达第1碳化硅层的第3碳化硅区域(9)；在第1和第2碳化硅区域(4、5)上以及被第1和第2碳化硅区域夹着的第2碳化硅层(3)上连续地形成的栅绝缘膜(10₁)；以及形成于栅绝缘膜(10₁)上的栅电极(11)。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]重结晶碳化硅复合弯管及其制备方法-CN201210289120.9有效
发明人：苏建林;王灿光;王振海 -专利权人：郑州华泰节能陶瓷有限公司
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： F16L9/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种重结晶碳化硅复合弯管。它包括金属外壳及复合于其内壁的耐磨层，该耐磨层是由下述原料经制浆、浇注成型、2450～2550℃下烧结而成的重结晶碳化硅衬管层：纯度≥99.5%、粒度为0～150um的碳化硅微粉88～92wt%、稀土钇助剂本发明重结晶碳化硅复合弯管耐磨性能良好，高温条件下不变形、强度不降低，其结构致密、耐酸碱磨蚀，表面光洁光滑且呈流畅曲线，不堵塞、截留粉料，适应各种恶劣工况条件下的防磨损作业，对提高企业生产效率、节约能源
重结晶碳化硅复合弯管及其制备方法